直拉硅片中间隙氧和硼对太阳电池光衰减影响的研究

为研究间隙氧和硼对于硅片少子寿命和光衰减的影响,实验中采用不同氧碳含量、不同掺杂浓度的p型(100)的直拉硅(Cz Si)片制作太阳电池,设计了不同温度、气氛的热处理工艺。发现:太阳能级直拉单晶硅片中间隙氧含量和硼的掺杂浓度的不同对于硅片少子寿命的影响有一定的规律;硅片少子寿命值在650℃热处理时有轻微下降,而在后续650℃和950℃的热处理中有着显著的提高。当电阻率一定时,低氧的样片有利于少子寿命的提高;而在氧含量相同的情况下,掺杂硼的浓度越低,对于少子寿命的提高越有利。

大直径CZSi单晶中微缺陷与间隙氧之间的关系

通过实验分析了大直径直拉硅片中间隙氧含量对原生新微缺陷的影响,并对具有不同间隙氧含量的硅片进行热处理实验。结果发现间隙氧含量影响到晶体中新微缺陷的密度,通过高温退火可显著降低微缺陷的密度。

稀土离子掺杂钨酸铅晶体中的间隙氧

本实验使用激光选择激发和发射技术,对Eu3+掺杂(0.01%原子分数)的钨酸铅晶体进行了发光表征和研究,对原生态的PbWO4:Eu3+0.01%原子分数晶体,在空气气氛中分别进行了不同温度下的退火处理。在不同退火的样品中,Eu3+离子的5D0→7F0激发光谱、5D0→7FJ(J=1,2,3,4)发射光谱、发光衰减及其荧光寿命具有不同的特征。Eu3+离子的7F0和5D0态都是单态,不会发生分裂,对应于7F0→5D0激发跃迁的数目,就是Eu3+离子在晶格中的晶体学位置。实验证实了在Eu3+掺杂钨酸铅晶体之中,主要的电荷补偿机制是来自[(EuPb3+).-V"Pb-(EuPb3+).],在低温空气条件下退火产生间隙氧,产生新的电荷补偿[(EuPb3+).-O"i-(EuPb3+).]。

借助硅片减薄重掺硅间隙氧含量低温(10K)红外测量

本文首次报道了一种新颖的重掺硅中间隙氧含量测量技术，通过硅片减薄并采用低温红外透射测量，明显降低了重掺硅自由载流子吸收的严重干扰，提高了红外吸收峰信噪比，在1136cm－1附近得到了明显的Si－O键红外吸收峰，从而可以准确地测量重掺硅间隙氧含量．实验结果表明：该测量方法具有很高的测量准确度和更宽泛的电阻率应用范围．对于重掺n型硅，其测量应用范围可扩展至电阻率1×10-2Ω·cm（自由载流子浓度高达4×1018cm－3）．

多次透射反射红外光谱法灵敏和准确地测量单晶硅中间隙氧和代位碳的含量（英文）

建立了室温下使用多次透射反射红外光谱法（MTR-IR）测量单晶硅中间隙氧和代位碳含量的新红外光谱吸收方法，在理论和实验上证明了MTR-IR优于常规使用的单次垂直透射红外（IR）吸收测量方法。与IR法相比较，MTR—IR法的优点为：（1）间隙氧在1107cm。处和代位碳在605cm^-1处的吸收峰与MTR-IR法中红外光透过硅片的的次数N（6～12）成线性增加的正比例关系，因此单晶硅中间隙氧和代位碳含量的检测限至少比IR法低一个数量级：（2）MTR-IR法测量薄硅片如0．2mm的厚度时产生的干涉条纹强度是单次垂直透射红外吸收法（IR）的1，23、是单次Brewster角透射红外吸收法的1／11；（3）单次垂直透射红外吸收法（IR）1次只测量样品上的1个点，MTR-IR法则在更长的样品上1次测量多个样品点．每次测量更具有代表性。理论计算和实验结果都证实了MTR-IR吸收法测量晶体硅中间隙氧和代位碳杂质含量的高灵敏度、可靠性和重复性。

高温超导铜氧化合物中间隙氧占位的分形结构

在包含有过渡金属的复杂氧化物中,许多材料表现出奇特的物理性质.从微观角度看,其起因在于：在低温下电子结成团队,以致于材料的性质由电子的集体行为（而非单电子行为）决定.对传统半导体材料来说,通常要求生长出几乎完美的晶体.我们今天蓬勃发展的信息产业正是建立在各类半导体优质晶体的基础之上.然而,对过渡金属氧化物来说,高质量晶体的制备决非易事.其中的困难除了元素种类多以外。

脉络宁和间隙头罩给氧治疗新生儿缺氧缺血性脑病32例疗效观察

我们于1994年元月～12月在原有治疗方法的基础上加用脉络宁和间隙头罩给氧治疗32例新生儿缺氧缺血性脑病(HIE)收到较为满意的效果,现报告如下。1 临床资料1.1 一般资料治疗组32例和对照组44例均符合1989年济南会议诊断和分类标准。1993年元月～12月收住的44例为对照组。其中男34例,女10例,年龄1/2小时—4天,足月儿38例,早产儿6例,体重<2500g10例,>2500g34例,有合并症20例。1994年1月～12月收住32例为治疗组。

奥硝唑与替硝唑治疗口腔颌面间隙厌氧菌感染效果比较

目的:比较奥硝唑与替硝唑治疗口腔颌面外科间隙厌氧菌感染的效果。方法:选取80例口腔颌面外科间隙厌氧菌感染患者作为观察对象,依据随机数字表法将其分为观察组和对照组各40例,观察组采用奥硝唑治疗,对照组采用替硝唑治疗,比较奥硝唑与替硝唑治疗口腔颌面外科间隙厌氧菌感染的效果,并比较两组不良反应发生情况及抗生素使用时间。结果:奥硝唑对厌氧杆菌、微球菌、厌氧链球菌、唾液链球菌、韦荣球菌的总清除率为97.5%(39/40),明显高于替硝唑的90.0%(36/40),差异有统计学意义(P<0.05);观察组的治疗有效率为97.5%(39/40),明显高于对照组的85.0%(34/40),差异有统计学意义(P<0.05);观察组的不良反应发生率为15.0%(6/40),明显低于对照组的35.0%(14/40),差异有统计学意义(P<0.05);观察组抗生素使用时间为(5.2±1.5)d,明显短于对照组的(7.6±1.3)d,差异有统计学意义(P<0.05)。结论:奥硝唑治疗口腔颌面间隙厌氧菌感染的效果明显优于替硝唑,且不良反应更少,用药时间更短,更经济。

浅谈口腔颌面外科间隙厌氧菌感染的临床效果

目的研究口腔颌面外科间隙厌氧菌感染治疗的临床效果.方法：选取口腔颌面外科间隙厌氧菌感染患者100 例,将其随机分为观察组与对照组.观察组采用奥硝唑进行治疗;对照组采用甲硝唑进行治疗,观察比较2 组疗效.结果：观察组的总有效率显著高于对照组,不良反应发生率显著低于对照组,差异有统计学意义（P〈0.05）.结论：奥硝唑治疗口腔颌面外科间隙厌氧菌感染的疗效显著,在临床上值得广泛推广.

钼含量和均匀化处理冷却方式对β型Ti-Mo合金中点缺陷弛豫的影响

采用真空电弧熔炼制备β型Ti-xMo(x为质量分数/%,3~24)合金,并进行950℃×20 min均匀化处理,随后分别水冷和炉冷至室温,通过内耗测试结合物相和微观结构分析,研究了钼含量和冷却方式对该合金点缺陷弛豫的影响。结果表明:炉冷和水冷Ti-xMo合金中均出现2个Snoek型驰豫峰,炉冷Ti-xMo合金的弛豫峰随钼含量的变化特征与水冷合金相似。2种冷却方式下Ti-xMo合金在加热时的低温峰峰高随钼含量的增加而增大,但峰温几乎不变,峰高的增大与β相和间隙氧原子含量的增多有关;除Ti-3Mo合金外,其余合金高温峰的峰高和峰温都随钼含量增加而增大,峰高和峰温的增大与钼和氧的相互作用增强有关。

氧基磷灰石离子导体的研究进展

对氧基磷灰石的制备方法、晶体结构特点以及氧离子导电机理进行了综述,并归纳总结了组成、结构与氧离子传导性能之间的关系。磷灰石的特殊结构决定了氧离子的一维导电性。在不同组成的氧基磷灰石中离子导电分别以间隙氧和自由氧两种不同传导形式为主。组成上存在过量氧或者阳离子空位均会提高材料的间隙氧浓度,从而提高电导率。

硅酸盐氧基磷灰石的溶胶凝胶法制备与表征

为了提高电导率,以溶胶-凝胶法制备了硅酸盐氧基磷灰石.通过TG-DTA、XRD和IR分析,研究了从凝胶转变为硅酸盐氧基磷灰石过程中凝胶焙烧温度的影响.结果表明,制备Sr2La8(SiO4)6O2、La9.33(SiO4)6O2和La10(SiO4)6O3时凝胶的焙烧温度分别为850、950℃和950℃;间隙氧可能诱发晶体结构扭曲,晶胞体积变大.通过IR和XRD分析,证实了在La9.33(SiO4)6O2和La10(SiO4)6O3磷灰石中间隙氧的存在.

CaxLa10-x(SiO4)6O3-x/2氧离子导体的制备及性能

由于在低温和低氧分压下具有比ZrO2固体电解质高的电导率,氧基磷灰石引起了研究者的关注.利用溶胶-凝胶法低温制备了硅酸盐磷灰石CaxLa10-x(S iO4)6O3-x/2(x=0,0.5,1.0,1.5和2),经TG-DTA、XRD、IR和SEM表征,所得产品为磷灰石相.以电化学阻抗谱研究了CaxLa10-x(S iO4)6O3-x/2的导电性能,发现随着间隙氧数量的增加,体系电导率逐渐增大,活化能却逐步减小.在700℃时La10(S iO4)6O3的电导率达到7.98×10-3Scm-1,比Ca2La8(SiO4)6O2提高21000多倍.离子迁移数和氧分压对电导率的研究表明,主要的电荷载体是O2-,所制备的磷灰石为氧离子导体.

硅/氧浓度初始分布对硅晶圆内V-O_(2)对演变影响的仿真

为了揭示自间隙硅原子相对浓度和间隙氧原子相对浓度的初始分布状态对低温退火期间硅晶圆内V-O_(2)对介观演变的影响,应用原有相场仿真模型及其改进模型,仿真了两个不同的点缺陷相对浓度初始分布状态下退火的硅晶圆内V-O_(2)对演变过程.结果表明:在文章的仿真条件下,均匀分布的硅原子相对浓度未影响V-O_(2)对演变,这与不考虑硅原子存在的情况相同;与均匀分布状态相比,初始的氧原子相对浓度随机均匀分布状态使得V-O_(2)对生成速度减慢.

多晶硅锭高氧浓度与少子寿命的研究

在多晶硅定向凝固高少子、低氧区域通入含氧气体，研究氧浓度对多晶硅锭少子寿命的影响程度。研究结果表明，当间隙氧浓度低于4．5×1017cm-3时，对于铸造多晶硅少子寿命的影响非常小；当间隙氧浓度为4．5×1017～7．0×1017cm-3时，降低平均少子寿命0．50μs；当间隙氧浓度高于7．0×1017cm-3时，硅锭少子寿命受到极大影响，平均少子寿命降低到1．50μs，形成红区。因此，只有当铸造多晶硅尾部间隙氧浓度达到7．0×1017cm-3时，才可能形成尾部红区。

氧基磷灰石La_(10-x)Sr_x(GeO_4)_6O_(3-x/2)的合成及其导电性能的研究

利用固相法在1350℃合成了系列锗酸盐氧基磷灰石La10-xSrx（GeO4）6O3-x/2（x=0、0．25、0．5、0．75、1），利用XRD、SEM及电化学阻抗仪对样品进行了表征。结果表明：适量的Sr掺杂可以提高磷灰石的电导率。550℃时La975Sr0.25（GeO4）6O2．875的电导率为2．936×10^-3S cm^-1，比La10（GeO4）6O3电导率（3．781×10^-4S cm^-1）高6倍，与同温度下的YSZ电导率相当。氧分压PO2=1～10^-5atm时体系的电导率数值保持不变，证明Sr掺杂的锗酸盐氧基磷灰石在测试的氧分压范围内为O^2-导电。

氧对多晶硅太阳电池磷铝吸杂效应的影响

对不同氧含量的太阳电池用多晶硅片进行了磷扩散吸杂,铝吸杂及磷铝联合吸杂的研究,用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)和太阳电池效率测试系统测试了吸杂前后多晶硅片的少子寿命和IV曲线.发现3种吸杂方式对于多晶硅片的少子寿命和电池效率都有提高,而磷铝联合吸杂的效果最佳;实验发现[Oi]<10ppma的低氧样品有利于促进吸杂.

La_9(SiO_4)_(6-x)(VO_4)_xO_(1.5+0．5x)的合成及其导电性能的研究

利用溶胶-凝胶法低温合成了钒掺杂硅酸盐氧基磷灰石La9(SiO4)6-x(VO4)xO1．5+0.5x (x=0、0．5和1),经XRD表征所得产品为磷灰石相．以电化学阻抗谱研究了其导电性能,V的掺杂使电导率大大提高,700℃时La9(SiO4)5(VO4)O2电导率为5．23×10-3S·cm-1,与未掺杂V的La9(SiO4)6O1．5相比提高了5倍．氧分压Po2=105-1Pa时,La9(SiO4)6O1．5的电导率不改变,而La9(SiO4)5(VO4)O2的电导率则随着氧分压的降低而稍有增加,表明钒的掺杂在体系中引入n型电子导电．

ALa9(SiO4)6O2.5(A=Ca,Sr,Ba)的合成及其电性能

利用溶胶-凝胶法在850℃合成了硅酸盐氧基磷灰石ALa9(SiO4)6O2.5(A=Ca、Sr和Ba),经XRD表征所得产品为磷灰石相。以电化学阻抗谱研究了ALa9(SiO4)6O2.5的导电性能,发现A的原子半径越大,体系的电导率越高,活化能却减小。在700℃时BaLa9(SiO4)6O2.5的电导率为5.57×10-3S.cm-1,是CaLa9(SiO4)6O2.5的8.5倍。离子迁移数和氧分压研究表明,主要的电荷载体是O2-离子。

La10(SiO4)6-x(GaO4)xO3-0.5x的合成及其导电性能

以溶胶-凝胶法合成前驱体,在950℃时烧结制得La10(SiO4)6-x(GaO4)xO3-0.5x(x=0,0.5,1.0,1.5和2.0)陶瓷样品,通过TG-DTA,XRD,IR和SEM表征,所得产品为磷灰石相.以电化学阻抗谱研究了其导电性能,发现决定电导率大小的因素有两种,一是间隙氧的数量,二是晶胞的大小,两种因素的综合作用,使得La10(SiO4)5(GaO4)O2.5的电导率最大,在700℃时其电导率达到4.66×10-2S.cm-1.离子迁移数和氧分压对电导率的研究表明,其主要的电荷载体是O2-离子.