电流叠加型CMOS基准电压源

介绍了一种CMOS基准电压源,该电路由NMOS管阈值电压的温度系数及NMOS管迁移率温度系数形成温度补偿,产生低温度系数的基准电压。与传统的带隙基准比较而言,不需要三极管;另外,通过结构的改进,变成正负温度系数电流叠加型的基准电压源,可以按需要任意调节输出基准电压的值,而且可以同时提供多个基准电压。电流叠加型基准电压源电路已经在3μmCMOS工艺线上实现,基准电压源输出中心值在2.2 V左右,温度系数为80 ppm/℃。

4nm超薄栅nMOSFET中漏电压对栅控产生电流影响研究

研究了90nmCMOS工艺下4nm超薄栅氧化层LDDnMOSFET中漏电压VD对栅调制产生电流‰的影响，随着VD的增加，IGD曲线上升沿不变，而下降沿向右漂移，这归因于VD增大引发了闽值电压增大所致。研究发现IGD下降沿最大跨导GMW随着VD的变化成幂指数关系：GMW=VDn，n=0．08。进一步发现电流上升沿与下降沿最大跨导所对应的栅电压VG差与VD成线性关系，斜率为1．19。文中给出了相关的物理机制。

低温下功率MOSFET的特性分析

文章完成了对功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)阈值电压和通态阻抗在77K-300K范围内的实验测试,并结合上述两个参数宽温区的数学模型进行了相应的分析,从实验结果中,我们发现阀值电压随温度的降低略有升高;而通态阻抗随温度的降低则下降得非常明显。通态阻抗是影响功率MOSFET开关损耗的重要参数,所以在低温下功率MOSFET的开关损耗将大幅度下降。

用温度传感器原理设计“保温杯”

利用A9590温度传感器的特性,提出了一种既方便又实用的"保温杯"设计思路。可将温度示数直接转化为输出电压量,再运用集成运放、比较器和二极管来控制水温,使之保持在40℃～70℃。

电流镜版图的八段设计方案

主要提出一种新的电流镜版图设计方法—八段版图法,从而大大降低了电流镜对线性梯度参数的灵敏度,并对比论证了电流镜现有版图和新版图的各晶体管阈值电压对放大区梯度角的变化关系,结果表明新版图在匹配性能上远优于现有的版图设计方案。

i.MX:创建无线通信持久的性能

概述 第三代移动业务正在将宽带接入到每个人的身边,无线通信接入和处理能力正在与日俱增.然而,移动系统有其特定的弱点-电源问题.不管移动系统变得多么强大,它们所能执行工作的数量都会受制于所使用电池的寿命.这就是低功率消耗与移动通信设备的速度和效率同样重要的原因.