双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降

基于电荷分享原理 ,推导了双栅和环栅 MOSFET短沟效应引起的阈值电压下降 ,分析了衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度及硅膜厚度等因素对阈值电压下降的影响 ,并用数值模拟验证了理论结果 .这些研究结果对进一步开展纳米

短沟道SOI中的阈值电压下降问题的研究

运用电荷分享模型推导出背界面处于耗尽状态的单栅和双栅薄膜SOI MOSFET中短沟道效应引起的阈值电压下降的理论模型。利用MatLab进行了数值模拟计算,并比较了单栅和双栅器件的结果。同时分析了沟道区掺杂浓度、硅膜厚度、栅氧化层厚度对阈值电压下降的影响。结果表明,薄膜器件有利于减小短沟道效应,而双栅器件短沟道效应比单栅器件减小4倍。另外,对于薄膜器件来说,改变器件结构要比改变器件参数对短沟道效应的抑制作用好得多。

基于机器视觉的量子点STM形貌图像识别研究

为减轻量子点表面形貌分析过程中的人工工作,使量子点的STM图像分析更加自动化,基于机器视觉对衬底的斜切角及量子点的形貌特性展开研究.利用腐蚀和边缘检测提取台阶形状,并通过反三角变换计算斜切角.利用二值化和阈值下降对量子点的数量与空间坐标进行提取,在此基础上,通过邻域密度计算分析其均匀性,并在解决图像中的粘连问题后找出量子点的尺寸.实验结果显示,与人工统计相比,斜切角、量子点计数及尺寸的平均误差分别为5.02%,0.7788%及1.12%;并实现量子点均匀性的自动化统计与分析.基于机器视觉算法的自动识别过程,对协助研究者分析量子点表面形貌有实际意义.

竖直圆管内脉动流量下临界热流密度预测

以预测脉动流动下临界热流密度下降阈值的温度反馈模型为基础,用实验数据对理论预测结果进行修正,并根据修正后的临界热流密度下降阈值拟合了一个流量脉动条件下竖直小管径圆管内临界热流密度的半理论半经验预测公式。该公式预测值与低压低质量流速下Umekawa和Ozawa的脉动流动临界热流密度实验结果相比较,平均相对误差为11.15%,低于Kim关系式21.04%的预测误差。

库水位骤降下土石坝损伤评价与管理对策

库水位的快速下降会造成土石坝上游坡面产生损伤,这是威胁中小型土石坝安全运行的因素之一。大量研究表明,土石坝在库水位下降时,上游坡面的安全性会大大降低,产生累积损伤,降低大坝的使用寿命。以大伙房水库土石坝为例,在不同水位降速情况下对其坡面进行损伤评价,结果表明:水位降速越快损伤越严重,控制水位下降速度和幅度可有效规避损伤的发生。通过设置3级水位下降阈值指标,即轻度损伤、中度损伤和重度损伤控制指标,可为土石坝安全运行提供参考,该方法操作简单,可有效减少土石坝在水位骤降时的坝体坡面累积损伤,具有较强的工程应用价值。