光学膜层激光损伤阈值均匀性的实验研究

镀制了多种氧化物介质薄膜。用R on 1方法测定了膜层的激光损伤阈值。引入数据处理方法,对测试数据进行分析。结果表明,基片清洗后,若放置一段时间再镀膜,则会影响到镀膜后膜层损伤阈值的均匀性,但对损伤阈值自身大小没有影响。测试激光参数对阈值均匀性也有一定影响。

GaAs IC阈值电压均匀性的计算机模拟分析

本文在ＰＳＰＩＣＥ电路模拟的基础上设计了一套ＧａＡｓＩＣ对阈值电压均匀性要求的计算方法，并计算三种不同ＧａＡｓＩＣ对阈值对电压均匀性的要求，结果表明，ＳＤＦＬ对阈值电压均匀性的要求较低，σＶｔｈ为２１８ｍＶ，ＤＣＦＬ和ＢＤＣＦＬ对阈值电压均匀性要求较高，σＶｔｈ分别为３８ｍＶ和３５ｍＶ．模拟计算还提出：优化和未优化的电路对阈值电压均匀性的要求不同；工艺不同，电路对阈值电压均匀性的要求也不同．这些理论计算分析的结果对ＧａＡｓＩＣ的电路设计和工艺选择均有重要指导意义．

不同工艺制备的GaAs MESFET阈值电压均匀性研究

分别采用离子注入隔离凹栅工艺、自隔离平面工艺、离子注入隔离平面工艺在非掺杂半绝缘 Ga As衬底上制备 MESFET,对三种工艺制备的 MESFET的阈值电压均匀性进行了研究。结果表明 ,器件工艺对 MESFET阈值电压有一定的影响 ,开展 Ga As MESFET阈值电压均匀性研究应采用适宜的工艺 ,以尽可能减少工艺引起的偏差。