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阈值开关滤波器设计及其在图像去噪中的实现 被引量:1
1
作者 谭小容 杨保海 查代奉 《组合机床与自动化加工技术》 北大核心 2011年第10期49-52,共4页
结合均值滤波器和中值滤波器各自在图像去噪中的优点,借助阈值图像分割思想,提出一种阈值开关空域滤波器设计新思想。在该滤波器设计中,先求解模块中未被噪声污染的像素点占模板总像素数的比值,然后设置一个阈值并用该阈值将比值划分为... 结合均值滤波器和中值滤波器各自在图像去噪中的优点,借助阈值图像分割思想,提出一种阈值开关空域滤波器设计新思想。在该滤波器设计中,先求解模块中未被噪声污染的像素点占模板总像素数的比值,然后设置一个阈值并用该阈值将比值划分为不同的分段,最后对每个分段采用不同空域滤波算法。将本设计方法与标准中值滤波、算术均值滤波以及修正的阿尔法均值滤波器进行仿真分析。实验结果表明,这种设计方法在图像去噪与保留细节方面都有很好的效果,即使是高密度的噪声,采用较小窗口滤波,也能取得较好的除噪效果。 展开更多
关键词 阈值开关 滤波 邻域 去噪
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非晶态半导体的阈值开关机理
2
作者 齐吉泰 刘丽敏 《现代电子技术》 2008年第4期184-185,共2页
从理论上定性地分析了非晶态半导体的阈值开关机理。利用非均匀模型、热与热电理论和电子开关模型等,从3个方面描述非晶态半导体的阈值开关形成的原因,给出非晶态半导体的阈值开关的"开态"和"关态"时的形成过程,对... 从理论上定性地分析了非晶态半导体的阈值开关机理。利用非均匀模型、热与热电理论和电子开关模型等,从3个方面描述非晶态半导体的阈值开关形成的原因,给出非晶态半导体的阈值开关的"开态"和"关态"时的形成过程,对不同状态下载流子的运动规律、电场强度、电导率进行了较详尽的分析,从而论述非晶态半导体的阈值开关机理。 展开更多
关键词 非晶态 阈值开关 电导率 半导体
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由双阈值开关估计出靶速度的自适应延期控制 被引量:1
3
作者 王方 徐蓬朝 《四川兵工学报》 CAS 2015年第9期41-44,共4页
针对现有引信自适应延期起爆方法复杂度、成本较高或无法计算弹丸的出靶速度造成炸点散布较大的问题,提出了由双阈值开关估计出靶速度的自适应延期控制;该方法是引信根据薄、厚双簧片阈值开关侵彻过程中的动态响应信息计算弹丸的出靶速... 针对现有引信自适应延期起爆方法复杂度、成本较高或无法计算弹丸的出靶速度造成炸点散布较大的问题,提出了由双阈值开关估计出靶速度的自适应延期控制;该方法是引信根据薄、厚双簧片阈值开关侵彻过程中的动态响应信息计算弹丸的出靶速度,根据出靶速度设定引信延时起爆时间;仿真计算和外场试验表明设计的双簧片阈值开关可以满足一定范围内炸点自适应起爆控制,炸点可满足战标要求。 展开更多
关键词 引信 自适应 起爆控制 炸点 阈值开关
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氧压对VO_(x)薄膜阈值开关性能的影响
4
作者 李国强 魏建红 +2 位作者 刘雍 熊锐 卢志红 《陕西科技大学学报》 北大核心 2021年第4期166-174,共9页
结合脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)和直流(DC)磁控溅射方法成功制备了Pt/VO_(x)/Pt/SiO_(2)/Si阈值开关器件(TS),VO_(x)薄膜厚度约为300 nm.为了研究器件沉积时氧压对器件性能的影响,本文制备了四个不同沉积气压的VO_(x)... 结合脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD)和直流(DC)磁控溅射方法成功制备了Pt/VO_(x)/Pt/SiO_(2)/Si阈值开关器件(TS),VO_(x)薄膜厚度约为300 nm.为了研究器件沉积时氧压对器件性能的影响,本文制备了四个不同沉积气压的VO_(x)薄膜器件(0.5 Pa、1.2 Pa、2.4 Pa和3.0 Pa),利用XRD、SEM、XPS手段对VO_(x)薄膜器件进行晶体结构、形貌、厚度和元素价态表征,同时还对四个器件进行TS性能测试以及研究了不同沉积气压对器件阻变机制的影响.结果表明,随着沉积气压从0.5 Pa增加到2.4 Pa,VO_(x)薄膜中的氧空位含量减少,器件的开关电流比(I_(ON)/I_(OFF))和阈值电压(V_(th))增大,且循环稳定性增强;但是当氧压增加到3.0 Pa后,器件性能略有降低.这表明O空位的含量对VO_(x)薄膜的TS性能有显著的影响,并且可以通过调控薄膜的O空位含量来实现对器件性能的改性. 展开更多
关键词 阈值开关 阈值电压 开关 氧空位
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用n—i—p—i掺杂超晶格制备的高增益低功率(双稳)光电阈值开关
5
作者 邸建华 《发光快报》 CSCD 1993年第6期52-55,共4页
关键词 光电阈值开关 超晶格 n-i-p-i掺杂
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光擦除双光束耦合的阈值开关特性 被引量:3
6
作者 刘劲松 杨雪玲 +3 位作者 石顺祥 郭占国 孙大亮 陈焕矗 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期412-415,共4页
基于光擦除折射率光栅和双光束耦合构成了一种新型的非线性光学器件.用带导模型和耦合波方程建立了理论公式.用KNSBN单晶和Ar^+激光进行了实验演示.理论和实验都表明该器件具有明显的阈值开关特性.
关键词 开关 阈值开关特性 双光束耦合
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本征可拉伸阈值型忆阻器及其神经元仿生特性 被引量:1
7
作者 田雨 朱小健 +3 位作者 孙翠 叶晓羽 刘慧媛 李润伟 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期413-420,共8页
研制具有生物神经元信息功能的柔性电子器件对于发展智能穿戴技术具有重要意义。传统阈值型忆阻器可模仿神经元信息整合功能,但因缺乏本征柔韧性,难以满足应用需求。本工作制备了一种基于本征可拉伸阈值型忆阻器的柔性人工神经元,它由... 研制具有生物神经元信息功能的柔性电子器件对于发展智能穿戴技术具有重要意义。传统阈值型忆阻器可模仿神经元信息整合功能,但因缺乏本征柔韧性,难以满足应用需求。本工作制备了一种基于本征可拉伸阈值型忆阻器的柔性人工神经元,它由银纳米线–聚氨酯复合介质薄膜和液态金属电极构成。在外加电压下,器件呈现良好的阈值电阻转变特性,这归因于银纳米线间形成非连续银导电细丝的动态通断。该器件可模仿生物神经元的信息整合–发放及脉冲强度和脉冲间隔调制的尖峰放电功能。在20%拉伸应变下,器件工作参数基本保持稳定,性能未发生明显退化。本工作为发展可拉伸柔性人工神经元及下一代智能穿戴设备提供重要材料和技术参考。 展开更多
关键词 神经形态计算 忆阻器 阈值开关 可拉伸 人工神经元
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MEMS阈值可调开关的仿真与实验分析
8
作者 许马会 刘凤丽 郭航 《传感器与微系统》 CSCD 2016年第10期28-31,共4页
微系统(MEMS)阈值可调开关是一种适用于弹药类型的通用碰炸开关,靠捕捉碰撞目标时的前冲惯性力而闭合。此开关除了受惯性力和静电力之外,还受到可动电极和驱动电极之间由于空气阻力而产生很大的阻尼力的影响。利用Coventor wave软件中的... 微系统(MEMS)阈值可调开关是一种适用于弹药类型的通用碰炸开关,靠捕捉碰撞目标时的前冲惯性力而闭合。此开关除了受惯性力和静电力之外,还受到可动电极和驱动电极之间由于空气阻力而产生很大的阻尼力的影响。利用Coventor wave软件中的Saber系统仿真法,对设计的开关结构进行瞬态特性分析,仿真结果表明:开关在不同加速度信号下,阈值加速度与电压基本上呈反比关系,且随着阈值加速度的增大,电压减小。对加工的开关样件进行实验检测,实验结果表明开关可以实现阈值可调。 展开更多
关键词 微系统 阈值可调开关 特性分析 实验检测
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双阈值温度开关MAX6507/6508的应用
9
作者 戴维德 《传感器世界》 2001年第7期33-35,共3页
本文介绍一种新颖双阈值温度开关MAX6507/6508的特点,主要参数,特性及应用电路。
关键词 阈值温度开关 MAX657 MAX6508 专用集成电路
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差动电流开关的控阈技术及施密特电路 被引量:2
10
作者 杭国强 吴训威 《科技通报》 1997年第1期1-5,共5页
在输入信号的变化过程中,施密特电路实现阈值突变的核心部件为阈值可控开关.本文从分析差动电流开关着手,对现有TTL施密特集成电路进行了剖析。
关键词 施密特电路 阈值可控开关 ECL电路 差动电流开关
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高阶耦合系数三芯光纤耦合器开关数值解
11
作者 谢玉永 朱殷芳 李齐良 《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》 2008年第4期29-32,共4页
利用分裂步长傅立叶方法研究了基态孤子在耦合系数随频率变化的三纤芯非线性光纤耦合器中的传输和开关特性。研究表明一阶色散耦合系数使光脉冲耦合传输的周期性和陡峭的开关特性遭到破坏;二阶色散耦合系数使光脉冲传输时的耦合长度减... 利用分裂步长傅立叶方法研究了基态孤子在耦合系数随频率变化的三纤芯非线性光纤耦合器中的传输和开关特性。研究表明一阶色散耦合系数使光脉冲耦合传输的周期性和陡峭的开关特性遭到破坏;二阶色散耦合系数使光脉冲传输时的耦合长度减短、开关阈值功率增加而且开关特性也变得更加陡峭。 展开更多
关键词 三芯光纤耦合器 高阶耦合系数 耦合长度 开关阈值功率
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二阶色散耦合系数光纤耦合器开关变分分析
12
作者 谢玉永 李齐良 金晶 《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》 2009年第1期21-24,共4页
利用基于拉格朗日密度的变分原理解耦合系数与频率有关的耦合非线性薛定谔方程,得到了纤芯中能量转移系数的雅克比椭圆函数形式的解析表达式,研究了二阶色散耦合系数对基态孤子在两纤芯对称光纤耦合器中的传输和开关特性的影响。研究表... 利用基于拉格朗日密度的变分原理解耦合系数与频率有关的耦合非线性薛定谔方程,得到了纤芯中能量转移系数的雅克比椭圆函数形式的解析表达式,研究了二阶色散耦合系数对基态孤子在两纤芯对称光纤耦合器中的传输和开关特性的影响。研究表明,初始啁啾使光脉冲传输时的耦合长度减小,耦合器的开关特性变差;二阶色散耦合系数使光脉冲在二纤芯之间能量转换的周期变小、开关阈值功率增加而且开关特性也变得更加陡峭。 展开更多
关键词 非线性光纤耦合器 二阶色散耦合系数 耦合长度 开关阈值功率
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射频MEMS膜开关的力学解析模型
13
作者 郑惟彬 黄庆安 李拂晓 《微波学报》 CSCD 北大核心 2002年第3期39-42,48,共5页
MEMS开关以其固有的低功耗、低插损和低交叉调制损耗等特性 ,在微波领域表现出巨大的应用潜力。但是目前大部分的研究工作都集中在设计新型开关结构和开关制作工艺上 ,对开关力学模型的研究较少。本文根据材料力学 ,通过合理的假设和简... MEMS开关以其固有的低功耗、低插损和低交叉调制损耗等特性 ,在微波领域表现出巨大的应用潜力。但是目前大部分的研究工作都集中在设计新型开关结构和开关制作工艺上 ,对开关力学模型的研究较少。本文根据材料力学 ,通过合理的假设和简化 ,推导出MEMS开关的静电力解析模型 ,并详细探讨开关阈值电压和开关几何尺寸及材料特性之间的关系。 展开更多
关键词 开关 模型 阈值电压
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硫系化合物在相变存储器中的应用概述
14
作者 石红春 刘晓华 +6 位作者 朱晨阳 林泉 马远飞 曹波 尚鹏 杨海 黎建明 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第S01期99-103,共5页
相变存储器具有非挥发性、存储密度高、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、抗辐射干扰等诸多优点,被认为是最具潜力的下一代存储器。硫系化合物材料在电压驱动下,可在高阻态和低阻态之间可逆转换,这一特性使之作为相变存储和阈值开关材... 相变存储器具有非挥发性、存储密度高、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、抗辐射干扰等诸多优点,被认为是最具潜力的下一代存储器。硫系化合物材料在电压驱动下,可在高阻态和低阻态之间可逆转换,这一特性使之作为相变存储和阈值开关材料广泛地应用于相变存储领域。本文简要介绍了硫系化合物材料特性及作为相变存储和阈值开关材料的工作原理,综述了近年来硫系化合物在相变存储和阈值开关领域的应用、材料研究进展,展望了硫系化合物材料在相变存储领域的研究和发展趋势。 展开更多
关键词 功能材料 硫系化合物 相变存储 阈值开关
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不同电极构型的砷烯和砷化锑扩展分子的电子输运性质
15
作者 杨亚杰 苏文勇 +1 位作者 衡成林 王锋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第18期18039-18043,共5页
通过杂化密度泛函理论和弹性散射格林函数方法,计算了不同电极结构的Au-As-Au和Au-AsSb-Au扩展分子的电子输运性质。结果表明,在两种Au-As-Au扩展分子中,类型Ⅰ扩展分子容易导通,并在0.5 V时达到较宽的3.8 nA饱和电流;类型Ⅱ扩展分子在0... 通过杂化密度泛函理论和弹性散射格林函数方法,计算了不同电极结构的Au-As-Au和Au-AsSb-Au扩展分子的电子输运性质。结果表明,在两种Au-As-Au扩展分子中,类型Ⅰ扩展分子容易导通,并在0.5 V时达到较宽的3.8 nA饱和电流;类型Ⅱ扩展分子在0.4 V之前几乎没有电流,之后缓慢增加并在1.5 V达到与类型Ⅰ相同的饱和电流。这说明不同的电极接触方式改变了砷烯扩展分子的分子轨道性质,但是并未改变它们的最大电流导通能力。在两种Au-AsSb-Au扩展分子中,类型Ⅰ扩展分子容易导通并在0.5 V时达到较宽的1.8 nA饱和电流;类型Ⅱ扩展分子在1.0 V之前电流增加缓慢,之后迅速增加并在1.25 V达到1.0 nA饱和电流。对比发现,类型Ⅰ扩展分子容易导通且具有较宽的电流平台值;类型Ⅱ扩展分子不易导通,之后会达到一个较窄的电流平台值,这使砷类分子器件具备了更丰富的电子输运性质,从而在电路中满足稳恒输出、阈值开关、线性响应的不同要求。 展开更多
关键词 砷烯 砷化锑 电子输运 饱和电流 阈值开关
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Analysis and Design for a Micro Mechanical Optical Switch 被引量:1
16
作者 贾玉斌 陈良惠 李玉璋 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期837-840,共4页
The mechanical and electric characteristics of a cantilever beam micro opto mechanical switch are studied theoretically,with which the dependence of the flexion on the applied voltage is derived,as well as the form... The mechanical and electric characteristics of a cantilever beam micro opto mechanical switch are studied theoretically,with which the dependence of the flexion on the applied voltage is derived,as well as the formula of the threshold voltage.The applied voltage,having no connection with the width of the beam,is in inverse proportion to the square of the beam's length.The deflection at the beam's tip cannot exceed 1/3 of the distance between two adjacent electrodes.These results are the basis of the switch design and development. 展开更多
关键词 MEMS optical switch cantilever beam threshold voltage
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单负材料对系统光学双稳态的影响
17
作者 王光 汪萨克 +1 位作者 杨烨 陈宪锋 《常州大学学报(自然科学版)》 CAS 2011年第4期67-70,共4页
研究了单负材料对光子晶体微腔系统光学双稳态的影响。若是腔中介质为散焦型的Kerr介质,晶体最外层单负材料厚度的增加,可以有效降低系统双稳态的开关阈值,最佳的单负材料层厚度约为30nm。但是对于聚焦型Kerr介质,单负材料层的存在反而... 研究了单负材料对光子晶体微腔系统光学双稳态的影响。若是腔中介质为散焦型的Kerr介质,晶体最外层单负材料厚度的增加,可以有效降低系统双稳态的开关阈值,最佳的单负材料层厚度约为30nm。但是对于聚焦型Kerr介质,单负材料层的存在反而不利于系统双稳态开关阈值的有效降低。 展开更多
关键词 单负材料 光学双稳态 Bragg微腔 开关阈值
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汽车超速警报器设计
18
作者 王强 于士军 《汽车实用技术》 2016年第9期100-102,共3页
随着我国经济的飞速发展,人们的生活水平也大大的提高,使得私家车也走进了千家万户,成为了主要的交通工具。这也使得超速现象频频出现,汽车的行驶速度国语快的时候,这就会使汽车的安全性能极大地降低,这时候,如果出现危急情况,往往会发... 随着我国经济的飞速发展,人们的生活水平也大大的提高,使得私家车也走进了千家万户,成为了主要的交通工具。这也使得超速现象频频出现,汽车的行驶速度国语快的时候,这就会使汽车的安全性能极大地降低,这时候,如果出现危急情况,往往会发生严重的交通事故。基于这种情况,设计了一种汽车超速报警器。这种超速传感器系统通过无时无刻不监视着汽车的行驶速度,如果行驶速度超过设置的数值的时候,报警器开始报警,警告灯开始变亮,警告驾驶员已经超速,及时减速,达到防患于未然的目的[1]。 展开更多
关键词 车辆速度传感器 频率/电压转换器 阈值速度选择器开关 直流电源
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用非线性光纤连接的长周期光栅对的光开关特性 被引量:5
19
作者 李淳飞 臧志刚 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1919-1923,共5页
提出用一根掺铒光纤连接两个对称的长周期光纤光栅(EDF-LPFG)对构成的新型全光开关。数值模拟了在交叉相位调制下对应于不同抽运功率的信号光的透射谱;还研究了在不同光栅的有效折射率调制幅度和光纤吸收系数下,信号光透射率随抽运光功... 提出用一根掺铒光纤连接两个对称的长周期光纤光栅(EDF-LPFG)对构成的新型全光开关。数值模拟了在交叉相位调制下对应于不同抽运功率的信号光的透射谱;还研究了在不同光栅的有效折射率调制幅度和光纤吸收系数下,信号光透射率随抽运光功率的变化。导出了器件的阈值开关功率公式。EDF-LPFG对光开关的阈值开关功率比单LPFG光开关的开关功率降低了5个数量级,不到25 mW。 展开更多
关键词 光纤光学 全光开关 长周期光纤光栅 掺铒光纤 阈值开关功率
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三芯非线性光纤耦合器中的短脉冲光开关 被引量:7
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作者 俞重远 张晓光 刘秀敏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期904-909,共6页
利用变分法研究三芯非线性光纤耦合器中的短脉冲光开关 ,解析分析线性三耦合非线性Schr dinger方程的结果与数值模拟符合得很好 .并且得到在非线性光纤耦合器中孤子的耦合长度和开关阈值 ,与连续波情况和两芯光纤耦合器的结果不同 .
关键词 开关 耦合长度 开关阈值 三芯非线性光纤耦合器 变分法 非线性薛定谔方程 数值模拟
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