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全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型
1
作者
万新恒
张兴
+3 位作者
谭静荣
高文钰
黄如
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第11期1519-1521,共3页
报道了全耗尽SOIMOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系 .模型计算结果与实验吻合较好 .该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于低辐照总剂量条件下的加固SOI器件与电路的模拟 .讨论了抑制阈值电压漂移的方法 ...
报道了全耗尽SOIMOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系 .模型计算结果与实验吻合较好 .该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于低辐照总剂量条件下的加固SOI器件与电路的模拟 .讨论了抑制阈值电压漂移的方法 .结果表明 ,对于全耗尽SOI加固工艺 ,辐照导致的埋氧层 (BOX)氧化物电荷对前栅的耦合是影响前栅阈值电压漂移的主要因素 ,但减薄埋氧层厚度并不能明显提高SOIMOSFET的抗辐照性能 .
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关键词
SOI
MOSFET
阈值电压漂移模型
场效应晶体管
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职称材料
题名
全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型
1
作者
万新恒
张兴
谭静荣
高文钰
黄如
王阳元
机构
北京大学微电子学研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第11期1519-1521,共3页
基金
高等学校博士学科点专项科研基金 (No .60 0 1 1 61 936)
"973"国家重点基础研究发展规划项目(No G2 0 0 0 0 3650 3)
文摘
报道了全耗尽SOIMOSFET器件阈值电压漂移与辐照剂量和辐照剂量率之间的解析关系 .模型计算结果与实验吻合较好 .该模型物理意义明确 ,参数提取方便 ,适合于低辐照总剂量条件下的加固SOI器件与电路的模拟 .讨论了抑制阈值电压漂移的方法 .结果表明 ,对于全耗尽SOI加固工艺 ,辐照导致的埋氧层 (BOX)氧化物电荷对前栅的耦合是影响前栅阈值电压漂移的主要因素 ,但减薄埋氧层厚度并不能明显提高SOIMOSFET的抗辐照性能 .
关键词
SOI
MOSFET
阈值电压漂移模型
场效应晶体管
Keywords
SOI MOSFET
radiation effects
threshold voltage shift model
dose rate
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型
万新恒
张兴
谭静荣
高文钰
黄如
王阳元
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
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