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空间低剂量率效应模拟方法研究
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作者 何宝平 王桂珍 +2 位作者 龚建成 周辉 贺朝会 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期427-430,440,共5页
一方面介绍了利用线性响应理论能够预估MOS器件空间低剂量率的辐射响应,并得出在相同偏压下,高剂量率辐照加室温退火所引起的阈值电压漂移量在误差允许的范围内等于低剂量率辐照的漂移量,两者总的时间相等;另一方面对美军标1019.4实验... 一方面介绍了利用线性响应理论能够预估MOS器件空间低剂量率的辐射响应,并得出在相同偏压下,高剂量率辐照加室温退火所引起的阈值电压漂移量在误差允许的范围内等于低剂量率辐照的漂移量,两者总的时间相等;另一方面对美军标1019.4实验程序进行了重新评估,对氧化物陷阱电荷和界面态效应的评估方面给出了一些建议。 展开更多
关键词 低剂 加速试验 退火 线性响应理论 电离损伤 阈值电压漂移量 MOS器件
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