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高掺镁浓度铌酸锂晶体的OH吸收谱 被引量:1
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作者 冯锡淇 邓棠波 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第3期273-280,共8页
本文给出一组高掺镁浓度、同时掺有三价或二价阳离子的铌酸锂(LiNbO_3)晶体的 OH 红外吸收谱,其中一些样品还测量了 ESR 谱.讨论了掺镁浓度阈值效应对 LiNbO_3中杂质离子加入位置的影响,试图找出 OH 吸收谱与杂质离子点阵位置的关系.一... 本文给出一组高掺镁浓度、同时掺有三价或二价阳离子的铌酸锂(LiNbO_3)晶体的 OH 红外吸收谱,其中一些样品还测量了 ESR 谱.讨论了掺镁浓度阈值效应对 LiNbO_3中杂质离子加入位置的影响,试图找出 OH 吸收谱与杂质离子点阵位置的关系.一个主要的 OH 带(3536 cm^(-1))出现在所有高掺镁浓度的晶体中,它由 Mg_(Nb)-OH-Mg_(Li) 复合缺陷产生;在某些 Mg,Me^(3+)双掺 LiNbO_3中(Me=Fe,Cr 和 Nd),观察到一些新 OH 吸收带,位於3500~3525cm^(-1)波段,其峰值位置与三价阳离子与 Nb 离子的电荷失配及离子半径有关,它们被认为由 Me_(Nb)-OH-Mg_(Li) 复合缺陷产生;而在 Mg,Er:LiNbO_3,Mg,HO:LiNbO_3和 Mg,Tm:LiNbO_3三种晶体中未观察到新带;根据 Me^(3+)的离子半径和电负性对十余种 Me^(3+)离子分类,讨论了在 Mg,Me^(3+)双掺 LiNbO_3中产生新点阵位置 Me^(3+)缺陷的条件. 展开更多
关键词 铌酸锂 浓度 阈直效应 缺陷 硅酸盐
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