阱型HPGe探测器的效率标定及符合相加效应校正

阱型HPGe探测器是弱放射性测量的重要设备,由于其探测效率强烈依赖样品的几何形状,一般采用标定刻度系数的方法进行放射性核素活度测量。本文采用多种单能γ放射源标定了阱型HPGe探测器的峰效率和总效率,研究了测量条件下的γ射线真符合相加效应,最后用已知活度的60Co1、33Ba和134Cs多γ源对标定的峰效率曲线进行了扩展和检验。

用于校准^(192)Ir医用源的阱型电离室

研制了一种用于校准医用192Ir源的阱型电离室。该电离室的灵敏体积约为271 cm3,在极化电压为300 V时,电离室的离子收集效率约为99.96%,总位置灵敏度变化小于0.3%。该阱型电离室对192Ir的响应因子为0.230 nA/GBq,其相对合成不确定度为1.5%,与IAEA校准过的阱型电离室比对,在不确定度范围内一致。

调谐质量阻尼器和轨道型非线性能量阱减震性能对比研究

基于2层钢框架模型,通过试验对比了在地震作用下调谐质量阻尼器(TMD)和非线性能量阱(NES)的减震性能,分析了两者时(频)域曲线和减震效果的差异,探究了影响两者减震效果的因素.试验结果表明:对于处在低阶模态的结构,TMD的减震效果更好,减小加速度响应最多可达42.5%;轨道型非线性能量阱因轨道摩擦系数不同减震效果有差异,减小加速度响应最多可达24.7%,但傅里叶幅值略有降低,高阶模态下减震效果将更好.

基于杠杆型非线性能量阱的复合材料层合梁横向振动抑制

本文将杠杆型非线性能量阱(Lever-Type Nonlinear Energy Sink, LNES)耦合到复合材料层合梁的中点位置,研究了LNES对梁的横向振动抑制性能。结合牛顿第二运动定律和广义哈密顿原理,推导了耦合系统的动力学方程。采用伽辽金截断法离散耦合系统的偏微分控制方程,并通过龙格–库塔法获得近似数值解,验证了谐波平衡法得到的近似解析解。对比在相同幅值激励下耦合NES系统的响应曲线,发现LNES对系统的振动抑制效果更为优越。此外,讨论了LNES单一参数变化对系统幅频响应曲线的影响。根据结果确定,LNES对复合材料层合梁的横向振动有着显著的振动抑制效果。

双曲型量子阱中非线性光学吸收率的计算

量子阱中的非线性光学效应因其潜在的实用价值而引起了人们的广泛的关注,而量子阱内带间的光学吸收问题对研究远红外光学探测器等光电子器件具有重要的理论指导意义.用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了双曲型量子阱中的线性与三阶非线性光学吸收系数的表达式．因双曲型量子阱中有一个可调参数。随着参数的增加,阱宽将相应增加,因此势阱的形状以及阱内的非线性光学吸收率将随参数变化而发生规律性的变化,并且当入射光强增强到一定程度会出现较强的饱和吸收现象,通过对这些规律的研究从而为实验研究提供了必要的理论依据。

p型量子阱太赫兹振荡器研究

采用非抛物平衡方程理论研究了直流偏置下 p型量子阱负有效质量 p+ pp+ 二极管电流的时空特性。在适当的掺杂和偏置条件下 ,由于高场畴的形成 ,二极管中将产生太赫兹 (THz,1 THz=1 0 1 2 Hz)电流自振荡。计算了自振荡频率对直流偏置的依赖性 ,提出了设计可调谐

用变分拟合方法计算电场下锯齿型多量子阱的激子结合能

采用一种变分拟合的简单方法计算了电场下锯齿型多量子阱的激子结合能。

弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱

采用 UHV / CVD系统 ,在 Si衬底上生长了具有渐变 Si1 - x Gex 缓冲层结构的弛豫 Si0 .76 Ge0 .2 4虚衬底和 5个周期的 Si0 .76 Ge0 .2 4/ Si多量子阱 .在渐变 Si1 - x Gex 缓冲层生长过程中引入原位退火 ,消除了残余应力 ,抑制了后续生长的 Si Ge中的位错成核 .透射电子显微照片显示 ,位错被有效地限制在组份渐变缓冲层内 ,而 Si Ge上层和 Si Ge/Si量子阱是无位错的 .在样品的 PL 谱中 ,观察到跃迁能量为 0 .96 1e V的 型量子阱的无声子参与 (NP)发光峰 .由于 型量子阱中电子和空穴不在空间同一位置 ,较高光功率激发下引起的高浓度载流子导致能带弯曲严重 .NP峰随激发功率增加向高能方向移动 ,在一定激发条件下 ,电子跃迁或隧穿至弛豫 Si Ge层弯曲的导带底后与处于同一位置的空穴复合发光 ,所以

应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱发光二极管结构优化研究

薄的应力补偿层AlGaN的引进对InGaN量子阱结构的发光二极管输出功率和内量子效率的影响被详细考察。由理论模拟结果得知,不管是在低温还是高温,合适的应力补偿层引进都能极大改善LED器件输出功率和内量子效率。应力补偿层AlGaN的加入导致器件漏电流的降低被认为是器件效能提高的主要原因。定量优化AlGaN应力补偿层的厚度和其中Al的含量在这里也被探讨研究。计算结果表明,当应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱结构中Al-GaN厚度为1nm,Al含量为0.25时,能够获得最大的发光功效和内量子效率。

p型半导体量子阱的有效计算方法

提出一种p型半导体量子阱中二维空穴气的有效计算方法。它使用半轴向近似把Luttinger哈密顿简约成3*3矩阵,而仍保留价带的扭曲性和重空穴、轻空穴和自旋-轨道耦合带间的能带混合。使用这种方法和简化的有限差分算出了p型半导体量子阱的价带结构和二维空穴气。研究了量子阱中的价带混合、能带扭曲和阱间空穴气的耦合。该方法计算量少,计算结果满足价带特性,适用于p型异质结器件的优化设计。

杠杆型并联非线性能量阱的振动控制

提出了一种新型杠杆型并联非线性能量阱的振动控制方法。基于谐波平衡法和伪弧长延伸法得到系统的幅频响应曲线。分析了杠杆型并联非线性能量阱的质量、非线性刚度以及悬挂位置对系统幅频响应的影响。对比研究了在孤立的环状共振响应消失后,杠杆型并联非线性能量阱与杠杆型单个非线性能量阱的吸振性能变化。仿真结果表明,在相同附加质量条件下,杠杆型并联非线性能量阱的吸振性能要优于杠杆型单个非线性能量阱。

杠杆型串联非线性能量阱整星隔振系统的振动控制

提出一种杠杆型串联非线性能量阱的整星系统的振动控制方法。首先,基于谐波平衡法结合伪弧长延伸法,得到系统的幅频响应曲线。其次,分析了杠杆型串联非线性能量阱的质量、非线性刚度以及杠杆支点位置对系统幅频响应的影响。最后,对比研究了在相同附加质量条件下,杠杆型串联非线性能量阱与杠杆型并联非线性能量阱的吸振性能。仿真结果表明,在附加质量相同的条件下,杠杆型串联非线性能量阱的吸振性能要优于杠杆型并联非线性能量阱。

不同参数的不对称阶梯型量子阱等离激元特性研究

用无规相近似的二子带模型,系统研究了阶梯层宽度、深阱宽度、阶梯层的Al组分(阶梯层势垒的高度)对Al Ga As/Ga As不对称阶梯型量子阱中准二维电子气的等离激元特性的影响。发现子带间等离激元模的能量大小取决于基态和第一激发态的能级差,而模的长短取决于这两个能级波函数的交叠大小。这些结论可能为研究空间不对称效应对准二维电子气特性的影响以及基于阶梯型量子阱结构的器件应用等方面提供有益的参考。

双n型深阱隔离式高压n型沟道LDMOS器件设计

为了进一步优化高压LDMOS器件的耐压和比导通电阻的关系,提出了一种新颖的隔离式双n型深阱高压n型沟道LDMOS器件结构。采用独特的双n型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单n型深阱,解决了垂直方向上的pnp(p型阱-DNW-p型衬底)穿通问题和横向漏端扩展区的耐压与比导通电阻的优化问题的矛盾。器件仿真和硅晶圆测试数据显示,在0.35μm的工艺平台上,采用新结构的器件在满足100 V的耐压下,比导通电阻达到122 mΩ·mm2。同时,非埋层工艺使成本大幅下降。

抛物线型量子阱中的强耦生磁极化子(英文)

本文用Pekar型变分法研究了抛物线型量子阱中的强耦合磁极化子,给出了垂直于磁场方向的极化子的有效质量的新的定义,并作为在磁场不存在时有效质量的自然推广,平行和垂直于磁场方向的有效质量和基态能量被写作磁场强度和三维量子阱维数的函数.

用离子阱经H_2^++H_2碰撞反应碰撞反应制备H_4^+

用Ｐｅｎｎｉｎｇ型离子阱经碰撞反应Ｈ２＋＋Ｈ２→Ｈ４＋产生稳定的Ｈ４＋。主要的反应产物是 Ｈ３＋，但十分明显地观测到Ｈ４＋信号。Ｈ４＋在阱中稳定存在时间长达 ０．１ｓ量级。远比 Ｋｉｒｃｈｎｅｒ等人测 量的１０－６ｓ量级长。最后讨论了生成Ｈ４＋的反应过程机制。

点阵夹芯梁在气动力下的振动控制与能量采集

本文提出了一种带有振动控制与能量采集的多功能点阵夹芯梁(Multifunctional-Lattice Sandwich Beam,M-LSB)结构.首先,在点阵夹芯梁内部安装了镍钛合金型非线性能量阱(Nitinol-Nonlinear Energy Sink,N-NES),以实现振动抑制.其次,在梁上铺设超磁致伸缩薄片(Giant Magnetostrictive Lamina,GML),通过GML的维拉里效应实现能量采集.根据哈密顿原理和牛顿第二定律,建立了气动环境下耦合系统的运动方程.使用龙格-库塔法计算动力学方程得到了有无N-NES时多功能点阵夹芯梁的时域响应,验证了N-NES的振动控制效果和GML的能量采集效率.结果表明,N-NES可以实现高效的振动抑制,GML可以有效地收集气动环境下点阵夹芯梁的振动能量.

铀标样的无损测量检验

用有源阱型中子符合计数器(AWCC)装置和JSR-12符合计数器对为有源符合中子无损测量而研制的铀标样首次进行试用性检验。测试了32个样品,其中,质量为20 g的样品24个、40 g样品4个及80 g样品4个。20和40 g样品的标准合成不确定度约为2%,80 g样品的标准合成不确定度在2%以内,大多数样品间的相对比值与称重给出的结果一致。

^(240)Am半衰期的测量

^(240) Am的半衰期对准确测量241 Am(n,2n)240 Am反应截面具有重要作用,当前评价的数据50.8(3)h是对240 Am的987.8keVγ射线用Ge(Li)探测器跟踪测量6d的结果,测量时间不到3个半衰期,使得测量结果的不确定度偏大。本文利用Geant4模拟软件建立了阱型HPGe探测器的测量模型,模拟计算了不同Pb吸收厚度下240 Am高能γ射线的探测效率,确定使用阱型HPGe探测器配合吸收X射线和低能γ射线的Pb吸收体可有效提高240 Am高能γ射线的探测效率。根据Geant4模拟计算的结果,Pb吸收体厚度为1mm时,对240 Am的888.8keV和987.8keV两条特征γ射线的探测效率分别为14.1%和13.3%。在中国原子能科学研究院的HI-13串列加速器上通过242Pu(p,3n)反应生产了240 Am,制备了约700Bq的240 Am测量源,用上述方法跟踪测量240 Am的888.8keV和987.8keV两条特征γ射线的强度,时间超过18d,用最小二乘法拟合得到其半衰期为50.79(5)h,结果与评价结果一致,但减小了不确定度。

空穴在动量空间分布对p型量子阱红外探测器响应光谱的影响

通过对p型量子阱红外探测器(QWIP)的自洽计算,得到了量子阱价带的电子结构和器件的光电流谱,并研究了载流子在动量空间分布对p型QWIP光谱响应的影响.计算结果表明,在动量空间不同区域的空穴对器件的光谱响应起着不同作用,从而使得在p型QWIP中,空穴浓度和温度都将影响器件的响应光谱.所得结果合理地解释了实验中器件响应光谱随掺杂浓度和温度的变化.