阱接触面积对PMOS单粒子瞬态脉冲宽度的影响

使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响。结果表明,纳米工艺下,当存在脉冲窄化效应时,增加阱接触面积会导致SET脉冲变宽,这与传统的通过增加阱接触面积可抑制SET脉冲的观点正好相反。同时,还分析了不同入射粒子LET值以及晶体管间距条件对该现象的作用趋势。

单粒子效应TCAD数值仿真的三维建模方法

文中探讨了单粒子效应数值仿真建模的问题。首先,基于对单阱N+-P结构的二极管在重离子辐照下的TCAD仿真,研究电流脉冲和电荷收集特性对器件模型几何尺寸与比例的依赖关系,进一步给出了精确仿真单粒子效应所需的模型尺寸的实用标准。其次,讨论阱接触电极的位置对电流脉冲和电荷收集的影响,指出对阱接触的正确建模的必要性。