Si光阳极保护层——CN薄膜

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以沉积时间和沉积温度为变量在n-Si(100)衬底上沉积CN薄膜.XRD与傅里叶转换红外光谱测试表明,沉积物为CN,其中主要含有Si—C键、C—N键、CC键和CN键.紫外测试表明,CN薄膜带隙值约为3eV,光致发光测试也表明其具有良好的适合的带隙.从CN薄膜对Si光阳极光解水的保护性能综合来看,其中沉积时间为60min、沉积温度为400℃所得到的CN薄膜的保护性能最好,其光电流密度达到51.5mA/cm2,腐蚀电流为2.19μA,光解水性能稳定.