脉冲阴极弧金属等离子体源的调试及其应用

对脉冲阴极弧金属等离子体源的工作参数进行了测量,研究了离子流与磁导管偏压以及磁场电流与离子流之间的关系,确定了其最佳工作参数。并应用该脉冲阴极弧金属等离子体源和等离子体浸没离子注入与沉积技术制备了TiC薄膜。对改性层的显微硬度、摩擦磨损性能和膜基结合力进行了测试分析。结果表明:合成TiC薄膜后,试样的显微硬度、摩擦磨损性能得到了明显的改善,并且膜层与基体之间的临界载荷为36.03 N。

减少阴极弧金属等离子体源液滴的技术措施

液滴的存在并伴随着金属等离子体输运是阴极弧金属等离子体源的主要特性之一,液滴问题的严重性常常影响着阴极弧金属等离子体源广泛应用的可能性。文中针对如何减少液滴,提出了在阴极弧金属等离子体源物理和结构设计上采取的适当技术措施;然后在金属等离子体输运过程中,用正偏压的45°弯管(短磁导管)进行电磁过渡,使液滴减少到最少,使离子得到高效传输,最大限度地减少了液滴对被沉积薄膜性能的影响。

多弧离子渗金属——利用金属弧光等离子体进行表面合金化的新技术

本文作者将多弧离子镀技术发展为多弧离子渗金属技术。充分发挥了阴极电弧源产生的金属弧光等离子体的作用。获得了各种渗金属层、渗镀结合层。本文介绍了多弧离子渗金属原理和各种渗金属层的特征。

“液相等离子体电解新技术”专题序言

液相等离子体电解技术基于液相放电产生高温等离子体,对轻金属和钢铁等金属材料进行表面改性,形成氧化膜、沉积层或渗层,显著提高材料的耐磨、耐蚀等性能。目前,基于阳极放电的铝、镁、钛等阀金属等离子体电解氧化(即微弧氧化技术)逐渐成熟,氧化工艺、性能和机理研究论文大量发表。除阀金属微弧氧化外,等离子体电解技术还包括等离子体电解渗(碳氮硼)、等离子体电解抛光和清洗、等离子体电解氟化、阴极微弧电沉积、阴极等离子体电解氧化等工艺,也包括铁基、铜基材料等非阀金属微弧氧化。

磁过滤等离子体沉积和注入技术

利用阴极真空弧放电技术能够产生高密度的金属等离子体。经过 90度的磁过滤器 ,可以除去金属等离子体中的大颗粒微粒 ,从而为制备高质量的、致密的各种薄膜提供了一种全新的技术。利用该技术制备薄膜具有非常广泛的应用。本文介绍了阴极真空弧放电技术的应用 。

多弧离子渗金属技术

本文用阴极电弧源做离子渗金属源。源极的靶材用Ｔｉ、Ａｌ、不锈钢制做。弧源因 产生冷阴极弧光放电而产生金属等离子体，形成高密度的金属离子流。基板由钢材制 成，施加适当的负偏压．在基板负偏压作用下，金属离子轰击并加热基板至 ９００℃或 １１００℃。金属原子渗入钢中形成高渗速渗金属层．文中测试了渗金属层的组织形貌和 Ｔｉ、 Ａｌ、 Ｃｒ、 Ｎｉ在渗层中的分布。结果表明阴极电弧源离子渗金属技术是新的金属等离子 体表面合金化技术，是对多弧离子镀的发展。

阴极真空弧沉积中MEVVA源两种工作状态的比较

介绍了阴极真空弧沉积中，弧源在阴极接地和阳极接地2种不同工作状态下的工作特性．发现阳极接地时，因沉积靶室入口法兰的第二阳极作用，聚焦磁场对孤源放电稳定性的影响不如阴极接地时明显．因此可以加较高的聚焦磁场，从而获得电流较大和较稳定的沉积离子束．

阴极真空弧源磁过滤弯管偏压模式研究

为了改进阴极真空弧等离子体通过磁过滤弯管的传输效率 ,测定了磁过滤弯管出口离子电流与阴极弧流的关系。结果表明 :磁过滤弯管内表面中 ,靠近大径中心一侧的表面 (内侧面 )和远离大径中心一侧的表面 (外侧面 )与等离子体的相互作用是独立的。存在两种向磁过滤弯管内表面运动的离子流 :离子碰撞导致的横向扩散离子流和从阴极弧出来的较高能量的惯性离子流。两种离子流通过磁过滤管的传输过程有不同的机制。整个磁过滤弯管偏压较仅仅Bilek板偏压有更高的离子传输效率 ,Bilek板偏压对磁过滤弯管离子传输起主要作用。

阴极真空弧沉积中靶室第二阳极作用对系统性能的影响

介绍了阴极真空弧沉积中 ,弧源在阴极接地和阳极接地两种不同工作状态下的工作特性。发现阳极接地时 ,因沉积靶室入口法兰的第二阳极作用 ,聚焦磁场对弧源放电稳定性的影响不如阴极接地时明显。因此可以加较高的聚焦磁场 。

真空离子精饰镀膜技术研究

黄铜基材装饰件表面采用高能级溅射离子镀 ,镀不锈钢代替电镀钯 -镍合金 ,采用等离子体型阴极弧源 -磁控溅射镀技术在不锈钢镀膜表面上镀制 Ti N/ Au透明陶瓷保护膜 Si O2 、Ti O2 。并对各膜层的硬度、耐蚀性、耐磨性及相结构进行分析。

用于材料表面强化处理的第三代多功能PⅢ装置

第三代多功能等离子体浸没离子注入 (PIII)装置的强流脉冲阴极弧金属等离子体源既具有强的镀膜功能 ,同时也具有强的金属离子注入功能 ;它的脉冲高压电源能输出大的电流 ;并可获得高的注入剂量均匀性。该装置既能执行离子注入 ,又能把离子注入与溅射沉积 ,镀膜结合在一起 ,形成多种综合性表面改性工艺。本文描述了它的主要设计原则、主要部件的特性以及近期的研究工作成果。

可降解纯铁薄膜的制备和血液相容性

用磁过滤阴极真空弧源法在单晶硅基片上制备纯铁薄膜,分析了薄膜表面的组成、元素价态和薄膜的物相结构,研究了薄膜的腐蚀降解行为和抗凝血性能.结果表明:具有纳米晶粒的纯铁薄膜其腐蚀速率低于普通晶粒的纯铁,在纯铁薄膜表面粘附的血小板数量少于316L不锈钢,且激活和团聚比较轻微,增生的伪足数量比较少;纯铁薄膜表面对血浆中的凝血因子激活比较轻微,具有较好的抗腐蚀性和血液相容性.

透明陶瓷保护膜的研究

对黄铜基材装饰件表面先采用高能级磁控溅射离子镀 (专利号 :85 10 2 6 0 0 .1)技术镀不锈钢代替电镀钯 -镍合金 ,再采用等离子体型阴极弧源 -磁控溅射镀 (专利号 :ZL982 36 95 0 .6 )技术在不锈钢镀膜表面上镀制Ti N/ Au/透明陶瓷保护膜 Si O2 、Ti O2 。对其硬度。

MEVVA放电在材料表面改性上的应用

本文描述了金属蒸发真空弧（ＭＥＶＶＡ）放电的特点、阴极弧等离子体的形成过程．以及与加热蒸发电离方式相比ＭＥＶＶＡ放电的优越性。文章还叙述了建造的ＭＥＶＶＡ离子源的实用参数、工作过程及ＭＥＶＶＡ等离子体源在全方位离子注入装置中的应用。