期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
直流断路器用4.5 kV/10 kA IGCT特性研究
被引量:
3
1
作者
操国宏
陈勇民
+1 位作者
陈芳林
潘学军
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2022年第2期133-135,共3页
集成门极换流晶闸管(IGCT)由于电压等级高、关断电流能力大、通态损耗低,在直流断路器(DCCB)领域应用倍受关注。基于4英寸4.5kV/4kA IGCT技术基础,通过优化N-基区掺杂浓度、阳极掺杂分布及阴极梳条排布,研制出6英寸4.5 kV/10kA IGCT。...
集成门极换流晶闸管(IGCT)由于电压等级高、关断电流能力大、通态损耗低,在直流断路器(DCCB)领域应用倍受关注。基于4英寸4.5kV/4kA IGCT技术基础,通过优化N-基区掺杂浓度、阳极掺杂分布及阴极梳条排布,研制出6英寸4.5 kV/10kA IGCT。测试结果显示该器件具有良好的高温阻断能力,在高温125℃下8kA时导通压降典型值为1.6V,在DCCB应用拓扑回路中其关断电流能力可达到12kA,且关断电流拖尾期间没有电压振荡现象。
展开更多
关键词
集成门极换流晶闸管
阴极梳条排布
直流断路器
下载PDF
职称材料
题名
直流断路器用4.5 kV/10 kA IGCT特性研究
被引量:
3
1
作者
操国宏
陈勇民
陈芳林
潘学军
机构
新型功率半导体器件国家重点实验室
株洲中车时代半导体有限公司
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2022年第2期133-135,共3页
基金
国家重点研发计划(2017YFB0903200)
科技助力经济2020重点专项(2020YFF0426272)。
文摘
集成门极换流晶闸管(IGCT)由于电压等级高、关断电流能力大、通态损耗低,在直流断路器(DCCB)领域应用倍受关注。基于4英寸4.5kV/4kA IGCT技术基础,通过优化N-基区掺杂浓度、阳极掺杂分布及阴极梳条排布,研制出6英寸4.5 kV/10kA IGCT。测试结果显示该器件具有良好的高温阻断能力,在高温125℃下8kA时导通压降典型值为1.6V,在DCCB应用拓扑回路中其关断电流能力可达到12kA,且关断电流拖尾期间没有电压振荡现象。
关键词
集成门极换流晶闸管
阴极梳条排布
直流断路器
Keywords
integrated gate commutated thyristor
arrangement design of cathode fingers
direct current circuit breakers
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
直流断路器用4.5 kV/10 kA IGCT特性研究
操国宏
陈勇民
陈芳林
潘学军
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2022
3
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部