电子冷却装置阴极激活及阴极表面温度计算

电子冷却在重离子加速器冷却储存环中用于束流冷却和累积。实验发现,电子冷却装置电子枪高压绝缘陶瓷的绝缘电阻值下降影响到电子冷却装置的正常运行。介绍了电子冷却装置的阴极更换、真空烘烤、阴极碱土金属碳酸盐的分解和阴极激活过程;在60 W的加热功率下,得到了10.6μA/V1.5的导流系数;用灰体辐射计算的典型工作状态下电子枪氧化物阴极发射面的温度为1 108 K,与实际测量的1 078 K相近;阴极首次激活不完全是电子枪使用中导流系数的增长原因。

砷化镓负电子亲合势光电阴极激活灵敏度在线检测与分析

模拟光电阴极灵敏度测试仪对 Ga As阴极激活光源进行校准 ,并对透、反射阴极光电流比值对灵敏度的影响进行了讨论 ,实验结果证明 。

Mo La_2O_3模拟阴极的高温XPS/AES研究 Ⅱ.激活过程中La的变化及对发射的影响

选用片状样品考察ＭｏＬａ２Ｏ３ 阴极激活过程， 侧重分析Ｌａ 的存在状态和变化对热发射的影响。对高温ＸＰＳ实验结果的分析证实， 激活过程Ｌａ 的化学价态发生了改变， 伴随大量晶格氧的分离，Ｌａ２Ｏ３变成了缺氧化合物ＬａＯｘ（ｘ＜３／２） ， 即形成了超额的金属Ｌａ； 修正的Ａｕｇｅｒ 参数等变化趋势与上述相符。ＬａＯｘ 具有较低的逸出功是由于氧缺位的存在， 氧缺位对电子发射起到积极影响。激活过程促使Ｌａ，Ｏ离子的价电子态密度增加， 配位不饱和的Ｌａ 离子外层６ ｓ 高能价电子易形成电子发射， 即这一变化过程对热电子发射具有积极作用。

GaN负电子亲和势光电阴极的激活改进研究

采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石（0001）衬底上生长2-5μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN层（0〈X≤0.4）,在AlxGa1-xN层中的Al浓度为0.2〈X〈0.7。P型GaN激活层的电子扩散长度确定为2-5μm,并获得3×1019 cm^-3的掺杂浓度。提出的GaN基光电阴极的表面能带结构模型,对实验结果给予了比较满意的解释。

GaN负电子亲和势光电阴极材料的生长研究

采用低压金属有机化学汽化淀积法在蓝宝石(0001)

浸铯钽阴极热发射性能的研究

通过实验分析,验证了浸铯的钽阴极在低于700℃时也有比较理想的发射,并有发射峰出现。同时对产生这种现象的原因进行了分析 与探索。

新型可印刷FED场致发射显示器的研制

介绍了国内外平板显示器,特别是场致发射显示器(FED)的市场预测和主要研究单位以及FED显示器的基本制作工艺流程,包括阴极激活和真空镀膜技术,论述了阴极激活技术及其对提高FED阴极发射能力的作用。采用丝网印刷、真空镀膜和阴极激活技术与低逸出功材料结合增强发射场强的方法研制出能显示视频图像的20英寸(50.8cm)单色FED显示器样机,其亮度已达300cd/m2,对比度已达400。并讨论了FED显示器今后可能的发展方向。

一台国外引进微光管制备真空设备超高真空获得的技术改进

介绍了国外引进微光管超高真空设备的系统结构、组成、设备功能及关键技术指标,得出了超高真空获得技术改进取得的结果,并对设备在国内的应用前景作了全面分析。

其它光电技术及器件

O462.3 96010562反射式GaAs光电阴极激活研究=Activationstudy on reflective GaAs photocathodes[刊,中]/张书明,孙长印,朱李安,赛小峰,程沼,侯洵(中科院西安光机所。陕西,西安(710068))∥光学技术。—

其它光电技术及器件

O462.3 97053377NEA GaAs光电阴极激活工艺研究=Study ofNEA GaAs photocathode activation[刊,中]/张书明,孙长印,朱李安,赛小峰,程昭,何益民,高鸿楷,侯洵(中科院西安光机研究所半导体室.陕西,西安(710068))∥光子学报.—1996,25(8).—745—748报道了GaAs反射式光电阴极的激活工艺过程和结果。通过实验确定了GaAs表面的热清洁温度,利用钼丝热辐射加热方法达到了比较理想的清洁效果,采用铯分子源和高纯氧作氧源获得了高于1000 μA/lm的激活积分灵敏度。图4参6(严兰)

其他

O462.3 2001053533透射式GaAs光电阴极激活技术研究=Research on transmissive GaAs photocathode active technique[刊,中]/徐江涛(西安应用光学研究所.陕西,西安(710065))//应用光学.—2000,21(4).—5-7,15通过对成像器件GaAs负电子亲合势(NEA)光电阴极激活技术的研究。运用分析仪器进行工艺质量在线监测,在大、薄、均的GaAs外延层激活出的台内阴极灵敏度大于1300 μA/lm。图4参9(吴淑珍)

其他

O462.3 2003053823砷化镓负电子亲合势光电阴极激活灵敏度在线检测与分析=On-line inspection and analysis of the active sensitivityof GaAs negative electron affinity photocathode[刊,中]/徐江涛(西安光学应用研究所.陕西,西安(710100))//应用光学.—2002,23(1).—26-28,33模拟光电阴极灵敏度测试仪对GaAs阴极激活光源进行校准,并对透、反射阴极光电流比值对灵敏度的影响进行了讨论。实验结果证明,P^+衬底和阴极组件激活灵敏度的差别主要来源于台外工艺质量的影响。