电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜影响因素研究

研究了 N2 流量、阴极偏压、工作气压等工艺参数对电子浴辅助阴极电弧源法合成 Al N薄膜质量的影响规律及其原因。

工艺参数对电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜的影响

介绍了一种应用电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜的新方法 ,研究了N2 流量、阴极偏压、工作气压等工艺参数对合成AlN薄膜质量的影响规律。结果表明 ,随N2 流量的增加 ,AlN薄膜的质量得以提高 ,当N2 流量达到 30mL·min-1时 ,可合成较纯净的AlN薄膜 ;阴极偏压主要影响合成薄膜的结晶状况 ;此外 。

电子浴辅助阴极电弧源法合成AlN薄膜机理初探

研究了电子浴辅助阴极电弧源法合成 Al N薄膜的形核生长过程 。