阴极耦合倒相2A3推挽功放制作

2A3是美国RCA 公司于1933 年专为音频放大开发的 直热式功率三极管,音 色清澈,低音松弛,早年 在收音机、电唱机和高 档放大器中应用十分普 遍,也是风靡一时的名 管。由于口碑较好,又派 生出灯丝电压为6.3V 的直热管6BG4和傍热 管6A5G等,以便玩家 代换。2A3单端工作时 最大输出功率一般不超过3.5W,用以推动中低灵敏度音 箱略嫌低了一些,本机采用推挽甲类工作状态,可获得 7W以上的输出功率。

增强型等离子体耦合干法刻蚀条件对PR胶灰化的影响

通过改变压力、O2和SF6的流量研究干法刻蚀增强型阴极等离子耦合模式下对PR胶灰化速率、均匀性、H/V比值的影响。研究结果表明:在一定范围内随着压力的不断增大,PR的刻蚀速率逐渐增大,同时刻蚀的均匀性也逐渐变好,H/V逐渐变大;增加单组分SF6流量时刻蚀率和H/V比值均先增大后减小,而刻蚀均匀度数值有先减小后增大的趋势;增加单组分O2流量时PR灰化速率变化不明显,但刻蚀的均匀性逐渐变好,H/V比值先增大后减小;当O2和SF6的流量比例不变时,同时增加O2和SF6流量,PR灰化速率会先增加后减小,均匀性数值和H/V比值先减小后增大。

大尺寸TFT-LCD ECCP刻蚀工艺低耗整合

为简化大尺寸液晶面板四次光刻法的刻蚀工艺、减少有毒气体使用、降低射频功率消耗,在2 200mm×2 500mm大尺寸玻璃上,采用正交实验设计,验证了功率、气压、反应气体和比例等参数对各刻蚀步骤刻蚀速率、均一性和选择比的影响关系,从而得到各膜层的最佳工艺条件。在Enhance Cathode Couple Plasma Mode(ECCP)刻蚀模式下,采用新刻蚀条件合并薄膜晶体管有源区非晶硅、光刻胶、湿刻后源极和漏极剩余金属钼以及沟道非晶硅层干法刻蚀。利用扫描电子显微镜(SEM)对薄膜电学特性进行测试,结果显示,金属钼的刻蚀可以采用一次两步干法刻蚀,"2干2湿"刻蚀可以整合为"1干1湿"。整合后总刻蚀工艺时间减少16s,减少了氯气使用量和RF总功率。试验改进了均一性和刻蚀率,同时对于下底衬具有良好的选择比,保持了良好的形貌,为大批量"1干1湿"生产提供了依据。

顶发射绿光OLED器件制备及其光电性能研究

实验制备了结构为多层阳极/EHI608/NPB/Alq3:ELL/ETL1/LiF/Mg:Ag/CPL的硅基绿光有机电致发光OLED器件,研究了不同掺杂浓度对器件驱动电压、亮度、发光效率和EL光谱影响。在此基础上,通过在阴极上制备了一定厚度的阴极耦合层CPL,并研究了阴极耦合层对OLED器件微腔效应影响。结果表明,随着发光层掺杂浓度的增大,器件驱动电压、发光亮度和效率逐渐增加,并出现EL光谱发光峰位红移。同时,随着CPL厚度增加,多层膜系ETL/EIL/Mg:Ag/CPL透过率逐渐增加,当阴极耦合层CPL厚度在30 nm时候,多层膜系结构的透过率和透过频带较高,多层膜系透过率光谱坐标接近白光(0.33,0.33)等能点。此时,顶发射绿光OLED器件在不同视角下EL光谱的蓝移现象最大限度得到了抑制,且EL光谱半峰宽明显增加。

TFT有源层刻蚀均一性和电学性质的研究

对TFT制作工艺中,TFT有源层刻蚀均一性与电学性质进行分析研究。通过扫描电子显微镜,电学测试设备对样品进行分析。结果显示沟道有源层的刻蚀功率,气体比例及刻蚀压强对有源层的刻蚀均一性都有较大影响,并会影响TFT电学特性的均一性。通过适当降低刻蚀功率及反应气体SF6/Cl2的比例,同时,降低反应压强,可以改善有源层刻蚀的均一性。从而,TFT电学特性的均匀性得到优化。

新鲜空气(外二则)

新鲜空气 在高空飞行的民航机上,空气比水还要精贵。据熟悉航空的人讲,飞机上供应给驾驶舱的空气是品质最好的,然后依次是头等舱和普通舱。道理很简单,驾驶舱里的人必须保持头脑处于高度清醒、思维敏捷的状态,容不得出现半点失误,他们理所当然应享受最新鲜的空气。