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溴化铈晶体的阴阳离子共掺生长方法研究
被引量:
3
1
作者
武欢
李海林
+4 位作者
何晔
王瑞
刘建军
王佳
丁雨憧
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020年第2期245-247,共3页
采用阴阳离子共掺法提高了溴化铈晶体质量。研究结果表明,通过掺杂F-能有效消除晶体开裂、潮解等缺陷,同时掺杂Sr^2+能提高晶体的光学线性输出及能量分辨率。采用改进的坩埚下降法进行晶体生长,掺杂摩尔分数为x(CeBr3)=98%,x(SrBr2)=2%,...
采用阴阳离子共掺法提高了溴化铈晶体质量。研究结果表明,通过掺杂F-能有效消除晶体开裂、潮解等缺陷,同时掺杂Sr^2+能提高晶体的光学线性输出及能量分辨率。采用改进的坩埚下降法进行晶体生长,掺杂摩尔分数为x(CeBr3)=98%,x(SrBr2)=2%,x(CeF3)=10%时,生长出 45 mm×90 mm的溴化铈晶体毛坯,切割成的器件经137Cs放射源662 keVγ线作用下能量分辨率可达4.0%。
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关键词
溴化铈
阴阳离子共掺
潮解
闪烁晶体
坩埚下降法
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职称材料
等价阴-阳离子共掺杂调节ZnO的能带结构及其光催化活性
2
作者
潘靖
沈国华
《计算物理》
CSCD
北大核心
2021年第3期371-378,共8页
采用等价阴-阳离子共掺的方法调节ZnO的能带结构,提高其光催化分解水制氢的效率。计算结果表明:等价阴-阳离子共掺不仅减小了ZnO的带隙,使其在可见光区域的光吸收增强,而且能有效抑制电子-空穴的复合,提高载流子迁移率。(Cd+Te)共掺杂的...
采用等价阴-阳离子共掺的方法调节ZnO的能带结构,提高其光催化分解水制氢的效率。计算结果表明:等价阴-阳离子共掺不仅减小了ZnO的带隙,使其在可见光区域的光吸收增强,而且能有效抑制电子-空穴的复合,提高载流子迁移率。(Cd+Te)共掺杂的ZnO是较理想的水分解的光催化剂,因为它具有合适的带隙、较少的电子-空穴复合中心、增强的可见光区域的光吸收和与水氧化还原势相匹配的带边位置。等价阴-阳离子共掺的方法也可运用到其它宽带隙的半导体中以提高光催化活性。
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关键词
ZNO
光催化水分解
等价
阴阳离子共掺
第一性原理计算
宽带隙半导体
原文传递
题名
溴化铈晶体的阴阳离子共掺生长方法研究
被引量:
3
1
作者
武欢
李海林
何晔
王瑞
刘建军
王佳
丁雨憧
机构
中国电子科技集团公司第二十六研究所
出处
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020年第2期245-247,共3页
基金
2016年工信部工业强基工程基金资助项目(TC160A310-17)。
文摘
采用阴阳离子共掺法提高了溴化铈晶体质量。研究结果表明,通过掺杂F-能有效消除晶体开裂、潮解等缺陷,同时掺杂Sr^2+能提高晶体的光学线性输出及能量分辨率。采用改进的坩埚下降法进行晶体生长,掺杂摩尔分数为x(CeBr3)=98%,x(SrBr2)=2%,x(CeF3)=10%时,生长出 45 mm×90 mm的溴化铈晶体毛坯,切割成的器件经137Cs放射源662 keVγ线作用下能量分辨率可达4.0%。
关键词
溴化铈
阴阳离子共掺
潮解
闪烁晶体
坩埚下降法
Keywords
cerium bromide
cationic and anionic co-doping
deliquescence
scintillation crystal
bridgman method
分类号
TN384 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
等价阴-阳离子共掺杂调节ZnO的能带结构及其光催化活性
2
作者
潘靖
沈国华
机构
扬州大学物理科学与技术学院
江苏省水利勘测设计研究院有限公司
出处
《计算物理》
CSCD
北大核心
2021年第3期371-378,共8页
基金
Supported by the Natural Science Foundation of China(11774302)
the Qinglan Project of Jiangsu Province of Yangzhou University。
文摘
采用等价阴-阳离子共掺的方法调节ZnO的能带结构,提高其光催化分解水制氢的效率。计算结果表明:等价阴-阳离子共掺不仅减小了ZnO的带隙,使其在可见光区域的光吸收增强,而且能有效抑制电子-空穴的复合,提高载流子迁移率。(Cd+Te)共掺杂的ZnO是较理想的水分解的光催化剂,因为它具有合适的带隙、较少的电子-空穴复合中心、增强的可见光区域的光吸收和与水氧化还原势相匹配的带边位置。等价阴-阳离子共掺的方法也可运用到其它宽带隙的半导体中以提高光催化活性。
关键词
ZNO
光催化水分解
等价
阴阳离子共掺
第一性原理计算
宽带隙半导体
Keywords
ZnO
photoelectrochemical water-splitting
isovalent anion-cation codoping
first-principles calculations
wide-band-gap semiconductors
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
溴化铈晶体的阴阳离子共掺生长方法研究
武欢
李海林
何晔
王瑞
刘建军
王佳
丁雨憧
《压电与声光》
CAS
北大核心
2020
3
下载PDF
职称材料
2
等价阴-阳离子共掺杂调节ZnO的能带结构及其光催化活性
潘靖
沈国华
《计算物理》
CSCD
北大核心
2021
0
原文传递
已选择
0
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参考文献
引证文献
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