紫外多阳极(128×128)微通道阵列光电倍增管的研制

详细报道了新研制的紫外多阳极微通道阵列光电倍增管。该器件采用了叠合式阵列阳极 (12 8× 12 8)、端窗式“日盲”紫外光电阴极 (碲铷RbTe)、高增益的Z型微通道板组件、近贴聚焦结构等先进技术。器件的主要性能参数为 :阴极发射灵敏度 18mA/W ,增益 2× 10 6,暗电流 0 5nA ,时间响应 0 3ns,单光子计数率 2× 10 5s-1。

多阳极微通道阵列(MAMA)探测器及其应用

一种全新的可用于二维光子计数的真空成像器件———多阳极微通道阵列 (multi anodemicrochannelarray简称MA MA)探测器 ,能探测单个光子的位置信息。本文详细阐述了该探测器的结构、工作原理 ,并将已研制成功的MAMA探测器的设计考虑及其应用进行了扼要的介绍。

关于MAMA探测器中128×128阳极阵列的设计研究

本文主要叙述了ＭＡＭＡ探测器的工作原理、阳极阵列结构选择及电极编码结构选择的依据，对几种不同类型的阳极与编码方式进行了比较，同时对制作工艺也提出了一些要求。最后介绍了１２８×１２８阳极结构设计的具体参数和设计图。

多阳极微通道阵列探测器测试平台研制与应用

在解决了多阳极微通道阵列(MAMA)探测器读出电路及解决算法等关键技术的基础上,研制了一套探测器测试平台,用来对120管脚以下各类MAMA探测器进行性能测试。本文介绍了测试平台的研制与应用情况,给出了对国产MAMA探测器的测试结果并对结果进行了分析。

128×128阵列MAMA器件

介绍了最新研制的１２８×１２８阵列ＭＡＭＡ器件。该器件采用了叠合式阵列阳极，三块微通道板及近贴聚焦等先进技术。脉冲上升时间为０．３ｎｓ，单光子计数率为２×１０＾５／ｓ等器件的主要性能参数达到了国外同类产品水平。

硅纳米线阵列光阳极的制备及其光电转换性能研究

结合光刻和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备出了用于光伏型光电化学池的图形化硅纳米线阵列光阳极,并表征和研究了其光电转换性能。扫描电子显微镜和漫反射光谱测试表明光阳极表面为多孔状,在300nm-1000nm的光谱范围之内光反射率低于5%。基于该光阳极的光电化学池具有明显的光响应,光电转换效率为0.33%。通过光电转换过程分析,光生载流子在硅纳米线/电解液界面上的复合可能是导致较低光转换效率的主要原因。

光子计数成像原理及其应用

20世纪80年代发展起来的光子计数成像系统有极高的灵敏度,原理上可探测单个光子及其空间位置,因此可以探测到极弱的光子图像。随着微光像增强技术和弱光成像器件的发展,光子计数成像技术近年来发展很快并日趋成熟,光子计数成像在军事、天文学、物理学、化学、生物学、量子电子学等领域得到了广泛应用。介绍了光子计数成像的原理、技术特点及其应用。

光探测与器件

TB366 2000010493关于MAMA探测器中128×128阳极阵列的设计研究=Designing studies on 128×128 anode arrayfor MAMA detectors[刊,中]/戴丽英,陈举忠,王全其(南京电子器件研究所.江苏,南京(210016))//真空电子技术.—1998,(5).—20-25叙述了MAMA探测器的工作原理。

TiO_2纳米管阵列太阳能电池薄膜材料及电池性能研究

寻找一种新型微结构的纳晶半导体以替代无规则的纳晶半导体是染料敏化太阳能领域研究的一个重要方向,其中有序的TiO2纳米管结构是最近研究的热点.TiO2纳米管阵列作为一种新型的纳米TiO2材料,由于其独特的阵列结构和优异的光电、氢敏特性,引起了人们的广泛关注.利用TiO2纳米管阵列薄膜组装的染料敏化太阳能电池体系在AM1.5条件下光电转化效率已达到5.44%.本文就国内外关于TiO2纳米管阵列太阳能电池材料的制备方法及TiO2纳米管阵列太阳能电池存在的问题和最新研究进展进行了介绍.

无吸收光栅的X射线相位衬度成像实验研究

通过对基于空间相干源和具有分析光栅功能的X射线转换屏的微分干涉X射线相位衬度成像系统的理论分析,利用线发射体阵列结构阳极X射线管和光助电化学刻蚀技术研制的相位光栅和具有分析光栅功能的X射线转换屏,组建了一种无吸收光栅的X射线微分干涉相衬成像系统.在此系统上开展了生物样品的实验研究,获得了较传统吸收成像更为清晰和更多样品结构信息的相位衬度图像.从而试验验证了该系统方案设计的可行性,为X射线相衬成像技术从实验室走向临床应用提供了有效途径.

光子成像计数技术及其新进展

介绍了光子成像计数技术的几种主要类型,并详细阐述了其中几种发展迅速且在该领域应用最为广泛的技术,对这些技术目前的发展现状和最新进展也作了详尽的介绍。

光电器件

9913029128～128阵列 MAMA 器件[刊]/黄丽英//光电子技术.—1999,19(2).—117～120(Y)介绍了最新研制的128×128阵列 MAMA 器件。该器件采用了叠合式阵列阳极、三块微通道板近贴聚焦等先进技术,脉冲上升时间为0.3ns,单光子计数率为2×10~5/s 等器件的主要性能参数达到了国外同类产品水平。