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阶跃电压法测量产生寿命的简单方法
被引量:
1
1
作者
丁扣宝
张秀淼
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期52-53,51,共3页
采用Zerbst产生区宽度模型,提出了阶跃电压法中一个计算简单、方便、快捷的确定产生寿命的方法。
关键词
半导体
阶跃电压法
生产寿命
测量
下载PDF
职称材料
阶跃电压法确定产生寿命的计算公式
2
作者
丁扣宝
赵荣荣
张秀淼
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期186-189,共4页
采用一个最近发展起来的产生区宽度模型,导出了描述阶跃电压作用下MOS电容器的电容-时间(C-t)瞬态特性方程。
关键词
产生寿命
阶跃电压法
器件物理
MOS器件
下载PDF
职称材料
题名
阶跃电压法测量产生寿命的简单方法
被引量:
1
1
作者
丁扣宝
张秀淼
机构
杭州大学电子工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期52-53,51,共3页
基金
硅材料国家重点实验室资助
文摘
采用Zerbst产生区宽度模型,提出了阶跃电压法中一个计算简单、方便、快捷的确定产生寿命的方法。
关键词
半导体
阶跃电压法
生产寿命
测量
Keywords
Semiconductor Step voltage Generation lifetime
分类号
TN304.07 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
阶跃电压法确定产生寿命的计算公式
2
作者
丁扣宝
赵荣荣
张秀淼
机构
浙江大学材料系
上海船舶电子设备研究所
杭州大学电子工程系
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第3期186-189,共4页
基金
硅材料国家重点实验室资助
文摘
采用一个最近发展起来的产生区宽度模型,导出了描述阶跃电压作用下MOS电容器的电容-时间(C-t)瞬态特性方程。
关键词
产生寿命
阶跃电压法
器件物理
MOS器件
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
阶跃电压法测量产生寿命的简单方法
丁扣宝
张秀淼
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
下载PDF
职称材料
2
阶跃电压法确定产生寿命的计算公式
丁扣宝
赵荣荣
张秀淼
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1997
0
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职称材料
已选择
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参考文献
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