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一种电迁移测试失效时间判定方法
1
作者
钱燕妮
尹彬锋
+1 位作者
周柯
于赫薇
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期793-797,共5页
采用铜大马士革工艺制备了用于电迁移测试的样品,对电迁移测试过程中存在的两类电阻-时间(R-t)特征曲线进行了研究。研究发现采用固定电阻变化率作为失效判定标准所得的失效时间分布曲线不能真实地反映样品的实际寿命,而采用第一次阻值...
采用铜大马士革工艺制备了用于电迁移测试的样品,对电迁移测试过程中存在的两类电阻-时间(R-t)特征曲线进行了研究。研究发现采用固定电阻变化率作为失效判定标准所得的失效时间分布曲线不能真实地反映样品的实际寿命,而采用第一次阻值跳变点对应的时间作为失效时间所得的分布曲线则更符合电迁移理论。针对两种失效判定方法所得到的不同结果进行了机理分析,结果表明,采用第一次阻值跳变点对应的时间作为失效时间分析电迁移失效更合理。
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关键词
超大规模集成电路(VLSI)
电迁移
失效判定标准
固定电阻变化率
阻值第一次跳变点
下载PDF
职称材料
题名
一种电迁移测试失效时间判定方法
1
作者
钱燕妮
尹彬锋
周柯
于赫薇
机构
上海华力微电子有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第10期793-797,共5页
文摘
采用铜大马士革工艺制备了用于电迁移测试的样品,对电迁移测试过程中存在的两类电阻-时间(R-t)特征曲线进行了研究。研究发现采用固定电阻变化率作为失效判定标准所得的失效时间分布曲线不能真实地反映样品的实际寿命,而采用第一次阻值跳变点对应的时间作为失效时间所得的分布曲线则更符合电迁移理论。针对两种失效判定方法所得到的不同结果进行了机理分析,结果表明,采用第一次阻值跳变点对应的时间作为失效时间分析电迁移失效更合理。
关键词
超大规模集成电路(VLSI)
电迁移
失效判定标准
固定电阻变化率
阻值第一次跳变点
Keywords
very large scale integration(VLSI)
electromigration
failure criterion
fixed resistance change percentage
the first jump points of resistance
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种电迁移测试失效时间判定方法
钱燕妮
尹彬锋
周柯
于赫薇
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015
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