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Pt/Yb2O3/Pt的阻变性质
1
作者
张智方
赵霜
+1 位作者
方泽波
朱燕艳
《微纳电子技术》
北大核心
2018年第4期234-238,共5页
采用电子束蒸发的方法制备了Yb薄膜,对这些样品在不同条件下进行退火,得到Yb2O3薄膜。用热蒸发法在衬底和薄膜表面分别制备了Pt电极,用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,发现随着退火时间延长和退火温度升高,薄膜的表面粗糙度...
采用电子束蒸发的方法制备了Yb薄膜,对这些样品在不同条件下进行退火,得到Yb2O3薄膜。用热蒸发法在衬底和薄膜表面分别制备了Pt电极,用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,发现随着退火时间延长和退火温度升高,薄膜的表面粗糙度增加。采用电流-电压法研究了Pt/Yb2O3/Pt结构的阻变性质。研究发现,阻变性质与制备薄膜的衬底温度和后期退火温度有直接关系。用不同的电流原理仔细分析电流性质之后发现,制备的薄膜内部有一定的缺陷,出现阻变现象,这些薄膜的缺陷态决定了阻变性质。如果选择合适的条件,Yb2O3可以作为阻变存储器薄膜。
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关键词
Yb2O3薄膜
阻
变
存储器(RRAM)
阻变性质
稀土氧化物
电流-电压法
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职称材料
相变材料Ge2Sb2Te5的性质及其面向新型数据存储的应用
被引量:
2
2
作者
杨冲
韩伟华
+3 位作者
陈俊东
张晓迪
郭仰岩
杨富华
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第5期341-348,共8页
信息时代产生的海量数据驱动着计算机存储架构的革新,高性能的非易失性存储器和存算一体的神经形态计算成为存储体系的发展方向。首先,介绍了相变材料Ge2Sb2Te5的阻变性质的机理与应用,详细阐述了相变存储器的发展以及神经形态计算的实...
信息时代产生的海量数据驱动着计算机存储架构的革新,高性能的非易失性存储器和存算一体的神经形态计算成为存储体系的发展方向。首先,介绍了相变材料Ge2Sb2Te5的阻变性质的机理与应用,详细阐述了相变存储器的发展以及神经形态计算的实现。然后,讨论了基于Ge2Sb2Te5铁电性质的存储器、基于Ge2Sb2Te5介电性质的光子存储单元和基于Ge2Sb2Te5应变作用的高迁移率晶体管。最后,讨论了Ge2Sb2Te5和n型硅等材料的异质结结构在器件中的应用。基于Ge2Sb2Te5材料多种特性的新型存储器件必将在未来存算一体的数据处理中扮演重要的角色。
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关键词
存算一体
相
变
材料
阻变性质
铁电
性质
介电
性质
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职称材料
题名
Pt/Yb2O3/Pt的阻变性质
1
作者
张智方
赵霜
方泽波
朱燕艳
机构
上海电力学院
绍兴文理学院
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2018年第4期234-238,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(51672172)
上海市自然科学基金资助项目(15ZR1418700)
文摘
采用电子束蒸发的方法制备了Yb薄膜,对这些样品在不同条件下进行退火,得到Yb2O3薄膜。用热蒸发法在衬底和薄膜表面分别制备了Pt电极,用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,发现随着退火时间延长和退火温度升高,薄膜的表面粗糙度增加。采用电流-电压法研究了Pt/Yb2O3/Pt结构的阻变性质。研究发现,阻变性质与制备薄膜的衬底温度和后期退火温度有直接关系。用不同的电流原理仔细分析电流性质之后发现,制备的薄膜内部有一定的缺陷,出现阻变现象,这些薄膜的缺陷态决定了阻变性质。如果选择合适的条件,Yb2O3可以作为阻变存储器薄膜。
关键词
Yb2O3薄膜
阻
变
存储器(RRAM)
阻变性质
稀土氧化物
电流-电压法
Keywords
Yb2O3 film
resistance random access memory (RRAM)
resistive switching property
rare earth oxide
current-voltage method
分类号
O485 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
相变材料Ge2Sb2Te5的性质及其面向新型数据存储的应用
被引量:
2
2
作者
杨冲
韩伟华
陈俊东
张晓迪
郭仰岩
杨富华
机构
中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心
中国科学院大学材料与光电研究中心
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2020年第5期341-348,共8页
基金
国家重点研发计划资助项目(2016YFA0200503)。
文摘
信息时代产生的海量数据驱动着计算机存储架构的革新,高性能的非易失性存储器和存算一体的神经形态计算成为存储体系的发展方向。首先,介绍了相变材料Ge2Sb2Te5的阻变性质的机理与应用,详细阐述了相变存储器的发展以及神经形态计算的实现。然后,讨论了基于Ge2Sb2Te5铁电性质的存储器、基于Ge2Sb2Te5介电性质的光子存储单元和基于Ge2Sb2Te5应变作用的高迁移率晶体管。最后,讨论了Ge2Sb2Te5和n型硅等材料的异质结结构在器件中的应用。基于Ge2Sb2Te5材料多种特性的新型存储器件必将在未来存算一体的数据处理中扮演重要的角色。
关键词
存算一体
相
变
材料
阻变性质
铁电
性质
介电
性质
Keywords
in-memory computing
phase change material
resistive property
ferroelectric property
dielectric property
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Pt/Yb2O3/Pt的阻变性质
张智方
赵霜
方泽波
朱燕艳
《微纳电子技术》
北大核心
2018
0
下载PDF
职称材料
2
相变材料Ge2Sb2Te5的性质及其面向新型数据存储的应用
杨冲
韩伟华
陈俊东
张晓迪
郭仰岩
杨富华
《微纳电子技术》
北大核心
2020
2
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职称材料
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