Pt/Yb2O3/Pt的阻变性质

采用电子束蒸发的方法制备了Yb薄膜,对这些样品在不同条件下进行退火,得到Yb2O3薄膜。用热蒸发法在衬底和薄膜表面分别制备了Pt电极,用原子力显微镜（AFM）观察了薄膜的表面形貌,发现随着退火时间延长和退火温度升高,薄膜的表面粗糙度增加。采用电流-电压法研究了Pt/Yb2O3/Pt结构的阻变性质。研究发现,阻变性质与制备薄膜的衬底温度和后期退火温度有直接关系。用不同的电流原理仔细分析电流性质之后发现,制备的薄膜内部有一定的缺陷,出现阻变现象,这些薄膜的缺陷态决定了阻变性质。如果选择合适的条件,Yb2O3可以作为阻变存储器薄膜。

相变材料Ge2Sb2Te5的性质及其面向新型数据存储的应用

信息时代产生的海量数据驱动着计算机存储架构的革新,高性能的非易失性存储器和存算一体的神经形态计算成为存储体系的发展方向。首先,介绍了相变材料Ge2Sb2Te5的阻变性质的机理与应用,详细阐述了相变存储器的发展以及神经形态计算的实现。然后,讨论了基于Ge2Sb2Te5铁电性质的存储器、基于Ge2Sb2Te5介电性质的光子存储单元和基于Ge2Sb2Te5应变作用的高迁移率晶体管。最后,讨论了Ge2Sb2Te5和n型硅等材料的异质结结构在器件中的应用。基于Ge2Sb2Te5材料多种特性的新型存储器件必将在未来存算一体的数据处理中扮演重要的角色。