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功率发光二极管的寿命预测
被引量:
4
1
作者
蔡伟智
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第10期902-904,共3页
针对功率发光二极管(LED)的使用寿命问题,提出了利用阿仑尼斯模型预测功率发光二极管器件寿命的方法,以器件输出光功率P下降到初始值P0的50%为失效判据,通过对功率蓝光GaN LED芯片两个结温点的高温恒定应力加速寿命实验结果进行分析计算...
针对功率发光二极管(LED)的使用寿命问题,提出了利用阿仑尼斯模型预测功率发光二极管器件寿命的方法,以器件输出光功率P下降到初始值P0的50%为失效判据,通过对功率蓝光GaN LED芯片两个结温点的高温恒定应力加速寿命实验结果进行分析计算,求出了功率蓝光GaN LED器件在正常应力条件下的期望寿命,确定阿仑尼斯模型在功率发光二极管寿命实验过程中的适用性,为预测功率发光二极管寿命提供理论依据。
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关键词
发光二极管
阿仑尼斯
寿命实验
结温
退化
下载PDF
职称材料
题名
功率发光二极管的寿命预测
被引量:
4
1
作者
蔡伟智
机构
厦门三安电子有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第10期902-904,共3页
文摘
针对功率发光二极管(LED)的使用寿命问题,提出了利用阿仑尼斯模型预测功率发光二极管器件寿命的方法,以器件输出光功率P下降到初始值P0的50%为失效判据,通过对功率蓝光GaN LED芯片两个结温点的高温恒定应力加速寿命实验结果进行分析计算,求出了功率蓝光GaN LED器件在正常应力条件下的期望寿命,确定阿仑尼斯模型在功率发光二极管寿命实验过程中的适用性,为预测功率发光二极管寿命提供理论依据。
关键词
发光二极管
阿仑尼斯
寿命实验
结温
退化
Keywords
LED
Arrhenius
life test
junction temperature
deterioration
分类号
TN364.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
功率发光二极管的寿命预测
蔡伟智
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
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