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题名S波段硅微波功率晶体管的加速寿命试验
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作者
童亮
彭浩
高金环
黄杰
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机构
国家半导体器件质量监督检验中心
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期321-325,共5页
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文摘
为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验。试验采用步进应力加速寿命试验摸底,找出了最高试验应力水平,并根据摸底结果分别进行了3组恒定应力加速寿命试验,最高试验壳温分别为250℃和220℃,大幅度提高了温度应力,加快了试验速度。试验全程采用数据采集卡实施实时监测,并对失效样品进行了失效分析,最大程度地保证了试验数据的准确性。通过对试验结果的统计分析,推算出了两种S波段硅微波功率晶体管的平均寿命。
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关键词
硅微波功率晶体管
加速寿命试验
阿列尼乌斯模型
可靠性
S波段
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Keywords
silicon microwave power transistor
accelerate lifetime test
Arrhenius model
reliability
S-band
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分类号
TN323.4
[电子电信—物理电子学]
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