期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
一种应用于可编程模拟电路的EEPROM单元
1
作者 张关保 刘文平 唐威 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2008年第11期105-108,共4页
为改善传统EEPROM在可编程模拟电路应用中的不足,提出了一种新型的单层多晶EEPROM单元结构,与常见的单层多晶EEPROM结构相比,该结构采用双N阱、附加栅结构实现,与标准数字CMOS工艺兼容,具有写入电流控制准确、阈值电压低的特点.通过对... 为改善传统EEPROM在可编程模拟电路应用中的不足,提出了一种新型的单层多晶EEPROM单元结构,与常见的单层多晶EEPROM结构相比,该结构采用双N阱、附加栅结构实现,与标准数字CMOS工艺兼容,具有写入电流控制准确、阈值电压低的特点.通过对器件的分析及仿真,验证了该结构在模拟电路应用中的有效性. 展开更多
关键词 单层多晶EEPROM 浮栅 FN隧道 附加栅
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部