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基于第一性原理计算的C、Si、Ge的原子间相互作用势及晶格动力学 被引量:8
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作者 刘英 陈难先 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第12期1275-1280,共6页
运用第一原理赝势技术 ,计算了金刚石结构晶体 C、Si、Ge的结合能曲线以及总能随晶格畸变的变化 .根据陈氏三维晶格反演得到了 C- C、Si- Si、Ge- Ge的原子间相互作用对势 ;根据弹性系数的计算结果 ,确定了原子间相互作用的 MSW(m odifi... 运用第一原理赝势技术 ,计算了金刚石结构晶体 C、Si、Ge的结合能曲线以及总能随晶格畸变的变化 .根据陈氏三维晶格反演得到了 C- C、Si- Si、Ge- Ge的原子间相互作用对势 ;根据弹性系数的计算结果 ,确定了原子间相互作用的 MSW(m odified Stillinger- Weber)三体势参数 ;晶格动力学的计算结果和实验结果能够较好地符合 .给出了一种基于第一性原理的计算、无参数调节地确定原子间相互作用势的技术路线 。 展开更多
关键词 第一性原理 陈氏三维晶格反演 原子间相互作用势 晶格动力学 半导体 碳硅锗三原子间
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