集成于电流模降压型DC-DC变换器的电流采样电路

针对电流模降压型DC-DC变换器,提出了一种新颖的CMOS片上电流采样电路.该电路结构简单,易于集成,功率损耗小,且通过MOSFET的匹配使采样比例几乎不受温度、模型以及电源电压变化影响.并通过进一步的优化设计,使得响应速度更快,工作电压进一步降低.提出的采样电路在一款基于0.5μm CMOS工艺设计的单片电流模降压型DC-DC变换器中进行了验证.在2.5~5.5V的电压范围,0~2A的负载范围内芯片工作稳定,瞬态响应良好,且效率高达96%.

用于降压型DC-DC转换器的新颖过零检测电路

针对降压型DC-DC转换器需要工作在电感电流不连续导通模式(DCM)下的场合,设计了一个输出电压自适应的过零检测方案。该方案通过采集输出电压信息来调整检测到电感零电流后的响应时间,使其在输出电压很大时倒灌电流仍然很小。采用0.5μm BCD工艺,在8V输出电压下进行芯片级仿真,结果显示,与传统过零检测电路相比,新电路的倒灌电流减小了66%。

过零电流自动切换的同步降压型DC-DC变换器

设计了一种基于自适应导通时间(Adaptive On Time,AOT)控制的同步降压型DC-DC变换器。在重载工作时频率近乎恒定,在轻载工作时频率随负载变化,以此实现整个负载范围内的高效率。同时,该DC-DC变换器采用内置MOS管的同步整流方式,提高了转换器的效率。在DCM状态下电流过零时,通过检测同步整流下管漏端的负电位,提早关断同步整流MOS下管,电流自动切换到寄生的二极管,防止过零时电流反灌。芯片采用韩国东部0.35μm BCD工艺投片验证,给出了详细的测试结果。

一种降压型DC-DC转换器的误差放大器设计

本文提出了一种适用于降压型DC-DC转换器的误差放大器电路,该误差放大器采用数字电路的设计方法对软启动信号与基准信号进行处理,很好地实现了输出电压从启动状态到稳定状态的过渡,有效地消除了降压型DC-DC转换器启动阶段的浪涌电流和过冲电压。该误差放大器已应用到降压型DC-DC转换器中,电路采用SMIC0.18umCOMS工艺设计。从仿真结果可看出,该误差放大器的低频增益为64dB,相位裕度为55°,带宽高达65MHz,静态功耗为10uA,具有良好的整体性能指标。

PWM型降压式DC-DC变换器中的混沌现象

对工作在电感电流连续模式下的 PWM型降压式 DC- DC变换器进行了研究 ,采用连续采样、恒频的 PWM控制环调节 DC- DC变换器的输出电压 .通过理论分析与实验电路两方面证实了DC- DC变换器在某些特定的电路参数下会出现多脉冲、倍周期分叉及混沌等现象 .

一种多模式四开关降压-升压型DC-DC转换器

为了提高电池能量利用率,延长便携式电子设备的电池使用时间,提出一种级联4开关降压-升压型DC-DC转换器。该电路采用多模式工作方式,能根据输入和输出电压的具体关系和不同的负载条件采取相应的控制策略,以提高转换器的效率;在电池电压的整个波动范围内,提供稳定的电压输出。整个系统使用1.5μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺设计实现。

一种用于PWM控制Buck型DC-DC变换器的带隙基准源

在DC-DC转换器芯片设计中,用于产生参考电压的带隙基准精度直接影响芯片的控制精度,设计了一种用于低压型DC-DC转换器芯片内的基准电路。电路基于BJT的Widler型电压基准基本原理,经过理论分析和仿真模拟,采用东部BD0.35μm BCD工艺流片成功。在-40℃～160℃温度范围条件下进行仿真,当VIN=4.75 V,-25℃～160℃的温度系数是22×10-6/℃,低频下PSRR为-57.37 dB。电源电压从7.5 V～18 V的变化范围内,基准输出变化了0.03 mV/V。整个带隙基准电压源具有好的综合性能。

一种用于Buck型DC-DC电源管理芯片的带隙基准源

针对广泛使用的Buck型DC-DC电源管理系统,出于带隙基准源产生的电压精度对系统输出影响的考虑,本文设计了一种带负反馈环路用于Buck(降压)型DC-DC电源管理芯片的基准电路.本文在对传统的基于BJT电压基准源的分析基础上,经过理论分析和模拟仿真,选用华虹0.18μm BCD工艺,在-40℃~100℃的温度范围内进行仿真,当输入电压为5 V的时候,基准源的温度系数为4.9×10-6 ppm/℃,PSRR(电源抑制比)分别为-65.8 dB@dc,-40.2 dB@1.5 MHz,均表现出较好的性能.

一种基于ACOT的Buck型开关电源设计

基于自适应恒定导通时间(ACOT)控制方式,设计了一种恒频效果良好的降压型DC-DC转换器。该转换器采用V2COT架构,兼具输出精度高和瞬态响应速度快的特点。采用一种改进的自适应导通时间控制方式,降低了负载电流对开关频率的影响,使转换器在连续导通模式(CCM)下具有良好的开关频率稳定性。基于东部高科0.15μm BCD工艺完成流片,芯片输入电压为4.5~17 V,输出电压为0.76~7 V,最大负载电流为3 A,开关频率为1 MHz。测试结果表明,在CCM下,开关频率随输入电压变化率为2.67 kHz/V,随负载电流变化率为2.95 kHz/A,峰值效率达96.43%,输出电压纹波为8.2 mV,负载调整率为0.93%,负载瞬态响应时间小于20μs。

一种基于BCD工艺的高速低功耗电平位移电路

提出了一种基于0.25μm BCD工艺、适用于高压降压型DC-DC转换器的新型电平位移电路。该电路使用了耐压60V的高压DMOS器件(HVNMOS、HVPMOS)、耐压5V的低压CMOS器件(LVNMOS、LVPMOS),以及耐压5V的三极管器件(BJT)。分析了降压型DC-DC转换器对电平位移电路的特殊要求;基于对两种常见电平位移电路的分析,提出了一种新型的电平位移电路。电路仿真结果显示,与之前的电路相比,新型电路结构具有响应快速、功耗低、输出电平精确、可靠性高等优点。

信息高速路

凌特推出新型微功率降压型DC-DC变换器；凌特推出新型低噪声稳压充电泵倍增器；凌特推出新型集成式电源管理IC；凌特开发新型RF有源混频器；安森美半导体推出新型PWM控制器；安森美半导体推出新型低压沟道MOSFET；