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采用0.18μm CMOS RF模型的高线性度降频混频电路的设计
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作者 胡伟 陈金福 +1 位作者 张振勇 杨莲兴 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期48-50,共3页
介绍了降频混频电路的电路结构及其工作原理, 并且着重分析了一种高线性度的实现方法。电路采用了0.18μm CMOS RF模型, 通过仿真,得出了令人满意的结果.
关键词 高线性度 降频混频电路 0.18μm CMOS 射频电路 工作原理
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