高纯GeCl_4中负压抽真空除氢杂质的工艺研究

研究并发明四氯化锗负压抽真空除氢杂质工艺,通过试验回流比(10∶1)、全回流时间(3 h)、抽真空排气时间(10 h)、氮气补充量(30～40)L/h对深度提纯效率的影响为最佳,检验高纯四氯化锗中含氢杂质(-OH,-CH,HCl)红外吸收峰透过率达97%以上。