单层陶瓷介质基片烧结技术研究

单层片式瓷介电容器产业化对制备该系列产品所需的陶瓷介质基片提出了很高的质量要求,要求陶瓷介质基片（长度×宽度×厚度=（25~50）mm×（25~50）mm×（0.1~0.3）mm）厚度均匀（五点测试,偏差≤0.01 mm）、表面平整（翘曲度≤0.05 mm/25 mm）、表面光洁、无凹坑和无杂质等缺陷。通过采用＂垫片负重＂、＂生坯垒烧＂和＂生坯垒烧＋垫片负重＂烧结方式进行陶瓷介质基片的烧结试验,然后对不同烧结方式制备的介质基片表面质量进行分析和评价。结果表明：采用＂生片垒烧＋垫片负重＂烧结方式制备出尺寸为40 mm×40 mm×0.25 mm的介质基片,其厚度均匀（最大偏差为0.003 mm）、表面平整（翘曲度≤0.05 mm/25 mm）,陶瓷介质基片满足单层片式瓷介电容器后续工序对其表面质量的要求。

5G用铁氧体/介质陶瓷复合基片的加工制备技术

针对铁氧体-介质陶瓷(FDA)复合基片的一些加工制备工艺进行了研究,采用挤压成型工艺结合精准烧结控制技术,可极大地改善小尺寸的薄壁介质环烧结变形情况,提高介质陶瓷管内径加工效率。通过精密匹配加工工艺可显著减小微波铁氧体与介质陶瓷间粘接层厚度,解决匹配不佳造成的漏光等不合格现象,提升FDA基片合格率。控制半成品外径加工余量,可有效解决FDA基片的同心度问题,将同心度合格率由78.13%提升至98%。最终,提升了FDA基片的批生产加工质量。