SiC多孔陶瓷的低温制备与表征

以聚碳硅烷为粘接剂,SiC粉末为骨料,经模压成型、惰性气氛保护下于1000℃裂解低温制得SiC多孔陶瓷。考察了聚碳硅烷含量、SiC粉末粒径、模压压力、造孔剂碳含量等参数对多孔陶瓷孔隙率、弯曲强度、孔结构的影响。结果表明,随着聚碳硅烷含量和模压压力的增加,SiC多孔陶瓷的开口孔隙率下降,弯曲强度升高;随着造孔剂碳含量的增加,多孔陶瓷的孔隙率由53.05%升高至58.6%,抗弯曲强度迅速由7.88MPa下降到1.08MPa。随着模压压力的升高,多孔陶瓷的平均孔径下降;随着SiC粉末粒径的增加,平均孔径增大。