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SrTiO_3陶瓷变阻器 被引量:5
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作者 朱俊鑫 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1992年第2期22-27,共6页
SrTiO_3陶瓷变阻器是一种新型的复合功能元件,它既具有电容器功能,又具有吸收浪涌的压敏电阻器作用的功能。在工业电子设备、家用电子设备中均有广泛的应用,并可大大地提高电子设备的抗干扰性能和抗噪声能力。本文简要介绍了SrTiO_3陶... SrTiO_3陶瓷变阻器是一种新型的复合功能元件,它既具有电容器功能,又具有吸收浪涌的压敏电阻器作用的功能。在工业电子设备、家用电子设备中均有广泛的应用,并可大大地提高电子设备的抗干扰性能和抗噪声能力。本文简要介绍了SrTiO_3陶瓷变阻器的制造方法和电气特性,以及它们在电器设备中的主要应用。 展开更多
关键词 陶瓷变阻器 复合功能元件 抗噪声
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烧成制度对氧化锌陶瓷变阻器性能影响的探讨
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作者 王洪波 《江苏建材》 1992年第3期24-26,共3页
关键词 陶瓷变阻器 氧化锌 烧结 温度
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钛酸锶铌基高介变阻器陶瓷的制备与表征 被引量:1
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作者 李兴教 鲍军波 +3 位作者 李少平 庄严 顾豪爽 袁润章 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第4期437-440,共4页
采用铌掺杂的方法制备钛酸锶(STO)粉末,烧成钛酸锶基变阻器陶瓷。经电流-电压(I-V)特性和介电特性测试表明,多种掺杂的Nb-STO具有优异的性能,其介电常数很大,有良好的介电温度系数和频率系数,介电损耗小,压敏电压低,非线性... 采用铌掺杂的方法制备钛酸锶(STO)粉末,烧成钛酸锶基变阻器陶瓷。经电流-电压(I-V)特性和介电特性测试表明,多种掺杂的Nb-STO具有优异的性能,其介电常数很大,有良好的介电温度系数和频率系数,介电损耗小,压敏电压低,非线性系数大。全面给出了压敏电阻的9项指标,并与文献中的数值进行了比较。εeff高达(4~9)×10^5,具有良好的介电温度系数(|αs|〈0.3%)、频率系数(fr〈12%)和电压温度系数(|k|=0.2%);介电损耗小(tanδ〈1%);非线性系数大(α=4~10);电流密度为1mA时的场强(E1 mA)值很低(0.3~2.9V/mm);电压系数小于10%。 展开更多
关键词 SrTiO3变阻器陶瓷 铌掺杂 I-V特性 介电性质
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二乙胺法制备含多种添加剂的ZnO粉体与变阻器陶瓷的研究 被引量:1
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作者 姚尧 (竹夌)田俊一 白崎信一 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期53-58,共6页
本文采用二乙胺化学制备方法研制了如下6种成份组成的 ZnO 粉料:97mol%ZnO+0.5mol%Bi_2O_3+0.5mol%CO_2O_3+0.5mol%Cr_2O_3+1.0mol%Sb_2O_3+0.5mol%MnO_(?)。测量了粉体的粒度分布,粒径<1μm 的粉体占70~80%,其平均粒径为0.5μm 左... 本文采用二乙胺化学制备方法研制了如下6种成份组成的 ZnO 粉料:97mol%ZnO+0.5mol%Bi_2O_3+0.5mol%CO_2O_3+0.5mol%Cr_2O_3+1.0mol%Sb_2O_3+0.5mol%MnO_(?)。测量了粉体的粒度分布,粒径<1μm 的粉体占70~80%,其平均粒径为0.5μm 左右。测量瓷体的烧结密度和电物理特性-α值,并用SEM 对粉体和陶瓷进行观察。实验结果表明:本法可获得电物理特性优良、成份均匀的粉料,瓷体的烧结密度较高(理论密度的97%),晶粒较细且均匀。实验中还发现:化学制备 ZnO 陶瓷无焦绿石相呈现及消失。表明了制备方法不同,材料的相变化亦不同。 展开更多
关键词 二乙胺法 氧化锌粉末 变阻器陶瓷
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Bi_2O_3与Sb_2O_3掺杂对ZnO力学性能的影响 被引量:3
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作者 彭志坚 杨义勇 +3 位作者 王成彪 付志强 苗赫濯 Ludwig J.Gauckler 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1265-1270,共6页
设计、制备了三个系列(不同Bi_2O_3与Sb_2O_3掺杂浓度)的ZnO基复合材料.力学性能测试的结果表明.Bi含量(2%,原子分数)保持不变,随Sb含量(在合适的剂量范围内)的增大,由于基质ZnO晶粒减小,陶瓷致密度增大,所得材料的模量、抗弯强度以及... 设计、制备了三个系列(不同Bi_2O_3与Sb_2O_3掺杂浓度)的ZnO基复合材料.力学性能测试的结果表明.Bi含量(2%,原子分数)保持不变,随Sb含量(在合适的剂量范围内)的增大,由于基质ZnO晶粒减小,陶瓷致密度增大,所得材料的模量、抗弯强度以及断裂韧性均增大;Sb含量(3%,原子分数)保持不变,随Bi含量的增大,由于基质ZnO晶粒增大、陶瓷致密度减小,所得材料的模量、抗弯强度以及断裂韧性均减小.在设汁组成范围内材料的最佳力学性能约为:弹性模量114 GPa,弯曲模量115 GPa,抗弯强度120 MPa,断裂韧性1.87 MPa·m^(1/2). 展开更多
关键词 ZN0 Bi203 Sb203 掺杂 复合陶瓷变阻器 力学性能
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Influence of soaking time on semi-conductivity and nonlinear electrical properties of TiO_2-based varistor ceramics 被引量:4
6
作者 孟凡明 《Journal of Chongqing University》 CAS 2008年第4期297-301,共5页
We investigated the influence of soaking time on the semi-conductivity and nonlinear electrical properties of TiO2- based varistor ceramic samples. We used a single sintering process and fabricated six disk samples of... We investigated the influence of soaking time on the semi-conductivity and nonlinear electrical properties of TiO2- based varistor ceramic samples. We used a single sintering process and fabricated six disk samples of (Sr, Bi, Si, Ta)-doped TiO2- based varistor ceramics sintered at 1 250℃ for 0.5 h, 1.0 h, 2.0 h, 3.0 h, 4.0 h, and 5.0 h, respectively. The samples were characterized by X-ray diffraction, breakdown voltage, and complex impedance. The results show that as the soaking time increases from 0.5 h to 5.0 h, the breakdown voltage drops before rising while the nonlinear coefficient increases and then decreases. We suggest that, considering both grain semi-conductivity and nonlinear electrical properties of the TiO2-based varistor ceramics, the optimal soaking time is between 2.0 h and 3.0 h. 展开更多
关键词 TiO2-based varistor ceramics nonlinear electrical properties semi-conductivity soaking time
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掺杂水平对ZnO基变阻器电学性能的影响
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作者 符秀丽 唐为华 彭志坚 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期5844-5852,共9页
根据相图规则设计、制备了三个系列不同Bi2O3与Sb2O3掺杂水平的ZnO基复合变阻器材料,研究了掺杂对氧化锌复合陶瓷电学性能的影响.研究发现,当Sb元素掺杂水平较低时,随着Sb2O3掺杂量的增加,所得氧化锌基变阻器材料漏电流的变化也很小,非... 根据相图规则设计、制备了三个系列不同Bi2O3与Sb2O3掺杂水平的ZnO基复合变阻器材料,研究了掺杂对氧化锌复合陶瓷电学性能的影响.研究发现,当Sb元素掺杂水平较低时,随着Sb2O3掺杂量的增加,所得氧化锌基变阻器材料漏电流的变化也很小,非线性系数(非线性系数αL和击穿非线性系数αB)将减小,而场强(场强EL和击穿场强EB)将增大;但是,当Sb元素掺杂量较高时,随着更多Sb2O3的掺入,漏电流急剧增大,αL和αB进一步减小,而EL和EB将突然减小.随着Bi元素掺杂水平的提高,所得氧化锌基变阻器材料漏电流增大,αL和αB增大,而EL和EB减小. 展开更多
关键词 氧化锌 掺杂 复合陶瓷变阻器 电学性质
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