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氮化铝陶瓷金属化技术的探讨
被引量:
6
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作者
高陇桥
崔高鹏
刘征
《真空电子技术》
2020年第1期32-36,共5页
本文对目前常用的电子陶瓷(例如,氮化铝陶瓷、氧化铍陶瓷、氧化铝陶瓷)的性能和金属化技术进行了初步的比较,提出了氮化铝陶瓷要加强其应用研究,特别是要进一步提高其Mo-Mn法封接强度,论述了氧化铍陶瓷比氮化铝陶瓷DBC技术上的某些优势。
关键词
电子
陶瓷
陶瓷
金属化
陶瓷敷铜板直接结合
下载PDF
职称材料
题名
氮化铝陶瓷金属化技术的探讨
被引量:
6
1
作者
高陇桥
崔高鹏
刘征
机构
北京真空电子技术研究所
出处
《真空电子技术》
2020年第1期32-36,共5页
文摘
本文对目前常用的电子陶瓷(例如,氮化铝陶瓷、氧化铍陶瓷、氧化铝陶瓷)的性能和金属化技术进行了初步的比较,提出了氮化铝陶瓷要加强其应用研究,特别是要进一步提高其Mo-Mn法封接强度,论述了氧化铍陶瓷比氮化铝陶瓷DBC技术上的某些优势。
关键词
电子
陶瓷
陶瓷
金属化
陶瓷敷铜板直接结合
Keywords
Electronic ceramic
Ceramic metallizing
Direct bonding copper
分类号
TB756 [一般工业技术—真空技术]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
氮化铝陶瓷金属化技术的探讨
高陇桥
崔高鹏
刘征
《真空电子技术》
2020
6
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