用阳极微弧氧化法建立陶瓷绝热层过程的优化

描述了在多位电化学槽专用装置条件下在复杂的异形表面形成绝热保护层的方法,列举了微等离子体化学处理参数变化时组织形成的某些研究结果。

用于铝电解的贵金属陶瓷复合涂层惰性阳极及其制备方法

用于铝电解的贵金属陶瓷复合涂层惰性阳极及其制备方法，涉及有色金属熔盐电解领域以及金属陶瓷复合材料制备技术。该惰性阳极由合金基体、合金表面的氧化物薄膜和外层的贵金属一氧化铝复合层构成，贵金属一氧化铝复合层具有贵金属包覆氧化铝颗粒的结构。这种贵金属陶瓷复合涂层惰性阳极具有贵金属的理想惰性阳极特性，在铝电解过程中电极表面仅发生析出氧气的反应，

Na_2SiO_3-KOH-(NaPO_3)_6溶液中Ti6Al4V微弧氧化陶瓷膜研究

用非平衡交流微弧氧化法于Na2SiO3-KOH-(NaPO3)6溶液中在Ti6A14V表面形成氧化物陶瓷膜。分别用扫描电镜、电子探针及X射线衍射研究了陶瓷膜的组织形貌、元素分布和相组成。相对致密均匀的膜层主要由TiO2(钙钛矿相及金红石相)及非晶相组成。厚约20μm的膜可分为3层:过渡层、致密层与疏松层。电解液所含元素Si,P进入到膜层中,表明电解液组元急烈参与微弧氧化反应,这为通过选择电解液来设计膜层的相组成进而对膜层进一步改性提供途径。

Q235钢热浸镀铝微弧氧化层的生长规律

微弧氧化是在普通阳极氧化技术基础上建立起来的一项高新技术。在Q235钢表面热浸镀铝后再进行微弧氧化获得一陶瓷层。研究了强化时间和电流密度对所得陶瓷层向内、向外生长厚度的影响,同时研究了陶瓷层向内与向外生长之间的关系。结果表明,微弧氧化陶瓷层向内与向外的生长比例受强化时间和电流密度综合控制。

利用钛保护层在ITO电极上直接制备大面积的超薄氧化铝膜(英文)

通过磁控溅射并引入钛保护层,利用在0.3mol·L-1硫酸中20V电压下二次阳极氧化,在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上直接制备了超薄(约140nm,为阳极氧化前Al厚度的一半)、大面积(约4cm2)的多孔阳极氧化铝(AAO).扫描电子显微镜结果表明生成的微孔与衬底垂直,孔径和孔间距分别约为30和60nm.我们发现钛保护层的作用是提高了Al层的附着性并且防止ITO被腐蚀,在此体系中钛不能被其它的金属如铬、金、银或铜代替.紫外-可见光谱透过率结果显示在阳极氧化过程中Ti被氧化成为透明的TiO2,利用10-20nm的钛保护层以及二次阳极氧化过程,能够保证高透明度.在ITO上直接制备的这种透明、有序的AAO纳米结构在光子学、光伏领域和纳米制备等方面具有潜在应用.

基于氧化铝模板原位制备Ni/Al-LDHs薄膜的工艺及性能研究

采用电化学阳极氧化铝模板提供Al3+,在Ni(NO3)2和NH4NO3溶液中采用原位生长法制备了Ni/Al-NO3-LDHs薄膜,在弱酸性条件下通过离子交换将磺基水杨酸阴离子引入Ni/Al-NO3-LDHs薄膜层间,制备了磺基水杨酸/LDHs复合薄膜,优化了工艺条件,并借助XRD、FT-IR、SEM等手段对薄膜进行了结构和形貌分析。结果表明,磺基水杨酸阴离子成功插层于LDHs薄膜层间,层间距由0.883 nm增大为1.153 nm,NO-3离子在1 384 cm-1的特征峰基本消失,同时出现了磺基水杨酸的特征峰。SEM照片显示,LDHs晶片垂直于Al基底生长。电化学腐蚀和UV-Vis分析表明,LDHs薄膜具有良好的耐蚀性和优异的紫外阻隔性能。

仿生法制备功能陶瓷薄膜材料(英文)

介绍了一种新的功能陶瓷薄膜制备方法———仿生法。该方法不同于传统的湿化学方 法,如水热合成法、熔胶凝胶法、电化学法等,其突出特点是无外加电场,不需要调制熔胶或者 凝胶,可以在常温常压下合成。该方法涉及两个关键点:基板表面的修饰和溶液条件的控制。 我们在基板(单晶硅,玻璃等)的表面通过化学吸附的方式生长了一层自组织单分子层,然后将 这层单分子层部分暴露在紫外光下,使暴露部分发生光化学反应,从而生成与未暴露部分不同 的新的官能团。以此为模板,在适合的溶液条件下(溶液的过饱和度等),通过溶液与模板表面 官能团之间的选择性的物理化学作用,实现了从溶液中直接制备位置、形貌、结晶形态等可控 的功能陶瓷薄膜。作者以SrTiO3为例简单介绍了这种新的合成方法。

电流密度对TA2纯钛微弧氧化多孔陶瓷膜的影响

采用恒定电流密度控制方法,在碳酸钠-硅酸钠溶液体系中制备TA2纯钛微弧多孔氧化陶瓷膜,研究了阳极电流密度ja和阴/阳极电流密度比jc/ja对陶瓷膜的厚度和相结构的影响。实验发现,陶瓷膜的厚度随ja和jc/ja的增加都存在一个峰值;提高阳极电流密度,陶瓷膜中的金红石相TiO2的含量增加,而增加阴/阳极电流密度比,陶瓷膜中金红石相TiO2的含量减少,但有利于锐钛矿相TiO2含量的增加。

Nb／Al／Nb多层薄膜介面的探讨

本文报导Ｎｂ／Ａｌ／Ｎｂ多层薄膜的阳极氧化实验和其电压谱图技术。并着重分析谱图上Ａｌ／Ｎｂ介面凹谷随Ａｌ膜厚度变化的现象及其产生的原因。

铝合金微弧阳极氧化膜性能研究

研究的是在铝酸盐电解液体中对LF21、LY12铝合金进行微弧阳极氧化的技术。介绍了自制的微弧阳极氧化试验装置、实验基本操作工艺流程以及工艺流程详细说明。研究了铝酸钠电解液体系所生成的微弧阳极氧化膜的性能,其中包括微弧阳极氧化膜的膜层与基体金属的结合力、膜层的硬度以及膜层的耐腐蚀性能。

微弧氧化研究进展

详细综述微弧氧化的国内外研究现状;介绍并分析微弧氧化的性能特点和影响因素;概括总结微弧氧化技术的能耗研究和应用领域;展望微弧氧化的发展趋势和前景。

微弧氧化钛基种植材料对成骨细胞早期黏附的影响

目的:检测纯钛种植体材料微弧氧化(microarcoxidation,MAO)表面改性后的成骨细胞生物相容性,探讨微弧氧化技术在钛种植体表面改性中的价值。方法:在纯钛种植体材料表面用微弧氧化法制备羟基磷灰石陶瓷薄膜,将MAO改性钛种植体材料作为实验组Ⅰ,将纯钛表面阳极氧化改性处理的种植体材料作为实验组Ⅱ,并设立对照组Ⅰ(纯钛种植体材料)和对照组Ⅱ(即细胞直接生长在培养板上),分别进行扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)、X射线衍射图谱分析(XRD)等检测,比较成骨细胞的黏附水平,对数据采用SPSS11.0统计软件包进行单因素方差分析。结果:MAO改性后生成粗糙、多孔的陶瓷薄膜层,与处理前电解液成分相比,钙磷比无显著改变。MAO改性钛组黏附的细胞密度显著高于其他组(P<0.01),而对照组Ⅰ、Ⅱ的细胞密度无显著差异(P>0.05)。结论:与阳极氧化表面改性材料相比,该钛基微弧氧化薄膜层能够显著促进成骨细胞的附着,具有良好的细胞相容性。

国内铝和铝合金微弧氧化技术研究动态

以国内公开发表的微弧氧化技术文献为基础 ,针对铝和铝合金表面微弧氧化技术 ,从机理研究、工艺参数的研究与选择、陶瓷层结构及性能等 ,系统归纳了其研究结果。从文献的内容来看大多数研究处于对试验现象及结果的分析的层次 。

“微弧氧化在腐蚀领域中的应用”专题序言

微弧氧化(MAO)也称作等离子体电解氧化(PEO),由传统阳极氧化技术发展而来。它通过液相放电产生的高温等离子体微区瞬间烧结作用,在铝、镁、钛、锆、钽、铌等金属材料表面原位形成氧化物陶瓷膜,具有高硬度、耐腐蚀、耐磨损、良好的绝缘和生物相容性等优异性能,是目前受到广泛关注的表面改性技术之一。中国在微弧氧化技术方面的研究队伍规模和重要学术期刊发表论文数量都占全球半数以上,在各种基体材料、膜层性能、氧化机理和技术应用方面都有涉猎,取得了丰硕的成果。

铝电解惰性阳极专利技术分析

惰性阳极由于存在许多优点,一直是铝电解领域关注的热点.本文对涉及铝电解用惰性阳极的国内外专利文献进行收集并分析.详细分析了合金惰性阳极材料、金属陶瓷惰性阳极材料以及金属基体加氧化物膜层复合电极材料的发展及其特点.

发明专利申请中的制作铝及铝合金薄膜的技术

本文分析了近年来已公开的制作铝及铝合金薄膜发明专利申请,对上述专利申请进行了技术分类,介绍了铝及铝合金薄膜的各种应用及优点;其中制作薄膜的技术一直在不断改进;本文最后还对铝及铝合金薄膜制作的发展前景进行了展望。

水热原位生长制备致密氧化铈基固体氧化物燃料电池隔离层

面向高性能固体氧化物燃料电池(SOFC)低成本制备及长寿命运行需求,提出了一种致密氧化铈基隔离层的制备方法.将阳极支撑半电池的Y_(2)O_(3)稳定ZrO_(2)(YSZ)电解质浸没于硝酸钆和硝酸铈水溶液中,并在180℃水热条件下处理36 h,获得了原位生长的致密Gd2O3掺杂CeO_(2)(GDC)薄膜;进一步将其与La_(0.6)Sr_(0.4)Co_(0.2)Fe_(0.8)O_(3–δ)阴极在1075℃共烧结,得到阳极支撑SOFC单电池.结果表明,水热原位生长制备的GDC隔离层连续且致密,组成约为Gd0.044Ce0.956O_(2)–δ,厚度约为0.23μm;阳极支撑单电池在750℃的欧姆阻抗约为0.101Ω·cm2,相较于传统丝网印刷GDC隔离层单电池降低了约38%,在室温加湿氢气燃料下的最大功率密度达到了约1.038 W/cm2,表现出较好的长期运行稳定性.报道的水热原位生长法能满足多构型、多尺寸SOFC致密隔离层薄膜的低成本规模化制备,具有工业应用前景.

导电浆料用铜粉的表面改性及其性能

将铜粉在甲醇-油酸混合溶液中进行油酸预包覆,然后以异丙醇为分散介质、TEOS和A酸为原料,采用溶胶-凝胶法对油酸预包覆的铜粉进行S iO2-A1系薄膜的包覆.对改性后铜粉的膜层进行了微观分析,对改性铜粉的高温抗氧化性能、烧结性能和导电性能进行了研究,并探讨了正硅酸乙脂、A酸、水、氨水用量和反应温度对其高温抗氧化性能的影响.研究结果表明:采用该法可在铜粉表面包覆一层连续的S iO2-A1系薄膜,包覆的S iO2、A1膜能显著降低其烧结温度。升高温度、增加TEOS用量以及加入微量的A酸均能明显地提高铜粉的高温抗氧化性。在试剂摩尔比为n(TEOS)∶n(A)∶n(Cu)=0.0455∶0.0227∶1,n(H2O)∶n(NH3)∶n(TEOS+A)=25∶7∶1,温度为70℃的条件下改性的铜粉开始氧化的温度为310℃,和铜粉原样相比提高了110℃。铜粉原料按一定的配方制成导电薄膜后,其电阻率为2.12×10-4Ω.cm,而该改性铜粉按照同样配方制成的导电薄膜的电阻率为6.25×10-4Ω.cm,这保证了它在用于MLCC端电极材料时仍具有良好的导电性.

三层共烧制备LaCrO_3基连接体/复合阳极/YsZ电解质的研究

将La_(0.7)Ca_(0.3)Cr_(0.97)O_(3-δ)(LCC)连接材料引入到NiO/YSZ阳极中,制备NiO/YSZ/LCC三相复合阳极,并进行烧结特性、微观结构、电导率、热嘭胀系数等性能对比测试.结果表明,NiO/YSZ/LCC新型复合阳极具有优良的综合性能.采用浆料浸渍法在NiO/YSZ/LCC阳极戈撑体两个表面上分别制备LCC和YSZ湿膜,1400℃空气条件下三层共烧4 h后,获得致密LCC连接体和YSZ电解质薄膜.

氧化铝互补型金属-氧化物-半导体集成电路的制作

引言在金属—氧化物—半导体(以下简称“MOS”)器件中,作为栅绝缘层的介质薄膜是器件的主要部分,器件的工作和特性对其性能很敏感。因此在MOS工艺中着重于这层氧化物的制备。对于多数非临界使用的情况下,通常商用硅作栅氧化物的MOS器件及集成电路还是适用的。其工艺过程现已能较好地控制,并已相当地简化了。更多良好的试验结果也已获得,因此给低成本MOS电路的大规模集成电路(LSI)未来发展提供了保证。然而,对于某些较苛刻的要求,就遇到了两个可靠性方面的问题:(1)极微量的杂质在该薄膜中的迁移。