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陶瓷PTCR化学镀铜电极溶液中络合剂的作用 被引量:1
1
作者 张道礼 胡云香 +1 位作者 龚树萍 周东祥 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期338-340,352,共4页
通过热力学平衡的方法 ,研究了在 Ba Ti O3 系陶瓷 PTCR上进行化学沉积金属电极时常用的酒石酸盐-铜离子和乙二胺四乙酸钠盐 (EDTA) -铜离子体系化学镀铜溶液中各种型体铜离子的分布。实验表明 ,加入络合剂会影响化学镀铜的速度。文章... 通过热力学平衡的方法 ,研究了在 Ba Ti O3 系陶瓷 PTCR上进行化学沉积金属电极时常用的酒石酸盐-铜离子和乙二胺四乙酸钠盐 (EDTA) -铜离子体系化学镀铜溶液中各种型体铜离子的分布。实验表明 ,加入络合剂会影响化学镀铜的速度。文章研究的络合剂酒石酸盐和 EDTA会使化学镀铜速度明显下降 ,这可能是由于空间位阻的原因。通过研究表明 ,选择合适的络合剂对于化学镀铜的稳定操作 ,意义十分重大。 展开更多
关键词 化学镀铜 络合剂 ptcr热敏陶瓷 电极 溶液
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BaTiO_3基PTCR陶瓷的复阻抗谱研究 被引量:20
2
作者 唐小锋 唐子龙 周志刚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期1037-1042,共6页
采用复阻抗方法,系统地研究了BaTiO3基PTCR陶瓷的电性能.通过Cole-Cole图,计算了样品的晶粒、晶界电阻值和弛豫时间常数,同时利用Heywang模型估算了势垒高度.Cole-Cole图分析表明,随着测试温... 采用复阻抗方法,系统地研究了BaTiO3基PTCR陶瓷的电性能.通过Cole-Cole图,计算了样品的晶粒、晶界电阻值和弛豫时间常数,同时利用Heywang模型估算了势垒高度.Cole-Cole图分析表明,随着测试温度的提高,Cole-Cole圆将从单半圆向双扭线过渡,表明在居里温度附近,由于热激活出现了不同的缺陷类型.实验结果表明了PTC效应是一种晶界效应,晶粒电阻随温度的变化呈NTC特性,而晶界电阻却呈明显的PTC特性.Heywang模型作为经典的理论模型,经过不断的完善,至今仍能对陶瓷材料PTC现象的宏观机制做出明确的解析。 展开更多
关键词 BaTiO3ptcr陶瓷 Cole-Cole图 复阻抗谱
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工艺条件对PTCR热敏陶瓷喷雾造粒粉体性能的影响 被引量:4
3
作者 张道礼 章登宏 +1 位作者 龚树萍 周东祥 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期130-133,141,共5页
采用压力喷雾造粒的方式对 Ba Ti O3系 PTCR热敏陶瓷粉体进行喷雾造粒处理 ,研究了喷雾造粒过程中浆料组成和雾化条件对粉体性能的影响。研究结果表明 :喷雾造粒过程中浆料粘度过高 ,雾化条件控制不当 ,都会使喷雾造粒粉体颗粒的团聚程... 采用压力喷雾造粒的方式对 Ba Ti O3系 PTCR热敏陶瓷粉体进行喷雾造粒处理 ,研究了喷雾造粒过程中浆料组成和雾化条件对粉体性能的影响。研究结果表明 :喷雾造粒过程中浆料粘度过高 ,雾化条件控制不当 ,都会使喷雾造粒粉体颗粒的团聚程度增加 ,影响粉体的松装密度和流动性 ,对生坯成型及材料烧结不利。考虑到料浆中粘合剂含量、固体物含量的综合影响 ,添加适量的分散剂可以降低料浆的粘度。控制适当的雾化压力 。 展开更多
关键词 ptcr陶瓷 喷雾造粒 热敏陶瓷 粉体性能 工艺条件
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BaTiO_3基PTCR气敏陶瓷的晶界化学研究 被引量:4
4
作者 周志刚 唐子龙 张中太 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期571-578,共8页
陶瓷化学传感器的敏感机制与品界的化学缺陷结构在周围微环境下的变异密切相关.晶粒表面和晶界是空位源,研究陶瓷材料在环境气氛中晶界化学缺陷的变化,对于探索陶瓷材料的敏感机制和开拓新应用具有重要意义.本文就BaTiO_3基PTCR陶瓷中... 陶瓷化学传感器的敏感机制与品界的化学缺陷结构在周围微环境下的变异密切相关.晶粒表面和晶界是空位源,研究陶瓷材料在环境气氛中晶界化学缺陷的变化,对于探索陶瓷材料的敏感机制和开拓新应用具有重要意义.本文就BaTiO_3基PTCR陶瓷中本征缺陷的生成和分布,缺陷在高温冻结、吸附和脱附过程中的变化,缺陷的重分布及其对晶界势垒的贡献进行深入的讨论. 展开更多
关键词 BATIO3 ptcr陶瓷 晶界 缺陷 CO气敏
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(Ba,Sr)TiO_3系线性PTCR陶瓷的电性能研究 被引量:4
5
作者 周方桥 吴国安 陈志雄 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期112-114,共3页
通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻 温度等电学特性的测试和分析 ,对 (Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷进行了相关研究 .结果表明 :微量元素Sb的掺杂量对线性电阻 温度特性影响较大 ;晶粒体内的载流子浓度n大约只有 2 .83× 1... 通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻 温度等电学特性的测试和分析 ,对 (Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷进行了相关研究 .结果表明 :微量元素Sb的掺杂量对线性电阻 温度特性影响较大 ;晶粒体内的载流子浓度n大约只有 2 .83× 1 0 2 2 m-3;而晶界处的有效表面态密度ns 仅有 2 .3 5× 1 0 16 m-2 ;晶界势垒φ0 约为 0 .1 1eV ,这比常规的PTCR陶瓷的晶界势垒差不多小了一个量级 .这些很可能是决定该类材料具有较好线性电阻 展开更多
关键词 ptcr陶瓷 线性电阻 温度特性 复阻抗 霍尔系数 电性能
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BaTiO_3基PTCR陶瓷中B_2O_3蒸汽掺杂的异常行为 被引量:2
6
作者 齐建全 李龙土 +2 位作者 朱青 王永力 桂治轮 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期739-741,共3页
钛酸钡基半导化陶瓷中的PTCR效应通常与材料中的施受主掺杂密切相关.在高温下B2O3具有较高的蒸汽压,通过B2O3蒸汽掺杂的研究表明,含主族元素B的氧化物蒸汽掺杂,钛酸钡基半导化陶瓷样品的升阻比同样得到了大幅度提高,... 钛酸钡基半导化陶瓷中的PTCR效应通常与材料中的施受主掺杂密切相关.在高温下B2O3具有较高的蒸汽压,通过B2O3蒸汽掺杂的研究表明,含主族元素B的氧化物蒸汽掺杂,钛酸钡基半导化陶瓷样品的升阻比同样得到了大幅度提高,同时室温电阻率也有所增加.B2O3蒸汽掺杂BaTiO3基材料的PTCR效应的提升可能得益于硼填隙和钡缺位相关的复合缺陷在晶界上的形成. 展开更多
关键词 B2O3 BATIO3 ptcr陶瓷 蒸汽掺杂 钛酸钡
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低电阻率Ba_(0.92)Ca_(0.08)Ti_(1.02)O_3PTCR陶瓷界面缺陷态研究 被引量:2
7
作者 曹明贺 袁俊 +1 位作者 周东祥 龚树萍 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1235-1239,共5页
用TEM和EDS相结合的测试手段,研究了低电阻率Ba_(0.92)Ca_(0.08)Ti_(1.02)O_3PTCR陶瓷材料的界面元素分布.根据界面元素分布的情况,对低电阻率Ba_(0.92)Ca_(0.08)Ti_(1.02)O_3PTCR陶瓷界面可能存在的缺陷态进行分析,认为在低电阻率Ba_(0... 用TEM和EDS相结合的测试手段,研究了低电阻率Ba_(0.92)Ca_(0.08)Ti_(1.02)O_3PTCR陶瓷材料的界面元素分布.根据界面元素分布的情况,对低电阻率Ba_(0.92)Ca_(0.08)Ti_(1.02)O_3PTCR陶瓷界面可能存在的缺陷态进行分析,认为在低电阻率Ba_(0.92)Ca_(0.08)Ti_(1.02)O_3PTCR陶瓷界面上主要存在以下缺陷结构:Mn"Ti,Mn'Ti或Al'Ti,V"Ba. 展开更多
关键词 低室温电阻率 ptcr陶瓷 晶界 缺陷结构
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PTCR陶瓷化学镀镍电极溶液中镍离子型体分布和络合剂的作用 被引量:4
8
作者 张道礼 龚树萍 周东祥 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2000年第1期17-19,共3页
通过热力学平衡的方法 ,研究 Ba Ti O3系陶瓷 PTCR元件进行化学沉积金属镍电极时常用的醋酸盐 -镍离子、甘氨酸 -镍离子和柠檬酸盐 -镍离子体系化学镀镍溶液中各种型体镍离子的分布。实验表明 ,加入络合剂会影响化学镀镍的速度 ,醋酸盐... 通过热力学平衡的方法 ,研究 Ba Ti O3系陶瓷 PTCR元件进行化学沉积金属镍电极时常用的醋酸盐 -镍离子、甘氨酸 -镍离子和柠檬酸盐 -镍离子体系化学镀镍溶液中各种型体镍离子的分布。实验表明 ,加入络合剂会影响化学镀镍的速度 ,醋酸盐会使化学沉积速度升高 ,而甘氨酸和柠檬酸盐会使化学镀镍速度明显下降 ,这可能和化学镀镍过程的混合电位、络合剂的空间位阻及镍 -配位原子间的结合力等因素有关。通过本文的研究表明 ,选择合适的络合剂对于化学镀镍的稳定操作 。 展开更多
关键词 化学镀镍 络合剂 ptcr陶瓷 热敏电阻器
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低电阻率高性能BaTiO_3基PTCR陶瓷材料 被引量:2
9
作者 贾金亮 畅柱国 +2 位作者 杨孟林 崔斌 熊为淼 《西北大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期174-176,共3页
目的研制低电阻率高性能BaTiO3基PTCR陶瓷材料。方法采用“溶胶凝胶一步法”新技术和改进的烧结工艺。结果获得了室温电阻率ρ为6.76Ω·cm,电阻率突变ρmax/ρmin为105,温度系数α30为11.63,耐电压Vb为104.8V·mm-1,居里温度TC... 目的研制低电阻率高性能BaTiO3基PTCR陶瓷材料。方法采用“溶胶凝胶一步法”新技术和改进的烧结工艺。结果获得了室温电阻率ρ为6.76Ω·cm,电阻率突变ρmax/ρmin为105,温度系数α30为11.63,耐电压Vb为104.8V·mm-1,居里温度TC为100℃的PTCR陶瓷材料。结论液相添加剂ST掺杂中,各掺杂量的不同对PTCR陶瓷的电性能有不同程度影响。室温电阻率ρ随Si含量或Ti/Ba含量的增加呈U形变化;温度系数α30随Si含量增加单调递减,而随Ti/Ba含量的增加呈倒U形变化。 展开更多
关键词 ptcr陶瓷 溶胶-凝胶法 电阻率
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高温钛酸铅钡PTCR陶瓷制备中铅的挥发与抑制 被引量:6
10
作者 徐天华 朱云松 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第1期64-66,共3页
通过理论分析,提出了在BaTiO3中掺入PbTiO3而不是按传统掺入PbO或Pb3O4,采用敝开式烧结工艺便可有效地减少烧结过程中Pb成分的损失。实验结果表明效果极好,同时表明Pb元素对居里温度的移动效率随Pb总含量... 通过理论分析,提出了在BaTiO3中掺入PbTiO3而不是按传统掺入PbO或Pb3O4,采用敝开式烧结工艺便可有效地减少烧结过程中Pb成分的损失。实验结果表明效果极好,同时表明Pb元素对居里温度的移动效率随Pb总含量而明显变化,在铅含量较低时,可获得比通常文献报导的高得多的值。本文阐述了这些规律,并作出了理论解释。 展开更多
关键词 ptcr陶瓷 居里温度 钛酸钡 钛酸铅
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PTCR陶瓷化学沉积镍电极的工艺及结构 被引量:2
11
作者 张道礼 东振中 +1 位作者 龚树萍 周东祥 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第3期22-23,32,共3页
用化学沉积法在PTCR陶瓷上制作镍电极可形成良好的欧姆接触,且成本较低。通过实验,优选出了合适的镀液成分、浓度及施镀条件。用扫描电镜分析了镍层的结构和成分,探讨了镀层的生长机理,并描述了核生长机理的模型。
关键词 化学沉积 镍电极 ptcr陶瓷 微观结构 生长机理
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PTCR陶瓷复阻抗图谱拟合结果分析 被引量:2
12
作者 蒲永平 梁云鹤 +2 位作者 杨公安 王瑾菲 杨文虎 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期892-895,共4页
采用砖形结构模型(brick wall model)分析了PTCR陶瓷的电显微结构,通过公式推导得到复阻抗图谱的宏观拟合结果与陶瓷单个晶粒和晶界电性能的对应关系。
关键词 ptcr陶瓷 电性能显微结构 晶粒和晶界 电阻率
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高性能PTCR陶瓷材料的制备 被引量:6
13
作者 赵丽丽 吴淑荣 熊为淼 《西北大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期528-530,共3页
采用正交试验法设计实验,用溶胶-凝胶一步法制备了具有较高性能的低阻 PTCR(Positivtemperature coefficient of resistance)陶瓷材料;考察了包括钛、锰、硅、 钇等 4种元素掺杂... 采用正交试验法设计实验,用溶胶-凝胶一步法制备了具有较高性能的低阻 PTCR(Positivtemperature coefficient of resistance)陶瓷材料;考察了包括钛、锰、硅、 钇等 4种元素掺杂量的改变和烧结制度的改变对PTCR陶瓷材料性能的影响,结果在一定的锰掺杂物浓度范围内,只要各掺杂物彼此搭配合理,利用较高受主浓度掺杂也能获得高性能的低阻 PTCR陶瓷材料。 展开更多
关键词 正交试验设计 溶液-凝胶法 ptcr陶瓷材料
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钛酸钡系PTCR半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟Ⅰ.烧结初期的动力学方程及计算机模拟 被引量:5
14
作者 张道礼 翁广安 +1 位作者 龚树萍 周东祥 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期635-637,642,共4页
研究了BaTiO3 系PTCR半导体陶瓷的烧结机理 ,建立了综合作用机制下的烧结初期的动力学方程 ,并对烧结过程进行了计算机模拟 ,得到了BaTiO3
关键词 钛酸钡系ptcr陶瓷 计算机模拟 烧结初期 晶粒生长 动力学
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改性剂Sb对BaTiO_3基PTCR陶瓷电学性能的影响 被引量:2
15
作者 赵丽丽 畅柱国 +2 位作者 杨孟林 吴淑荣 熊为淼 《西北大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期406-408,共3页
以溶胶 -凝胶一步法合成了含有改性剂 Sb 的 Ba Ti O3 基正温度系数电阻 (positivetemperature coefficient of resistivity,PTCR)陶瓷 ,着重讨论了改性剂 Sb掺杂量的变化对 PTCR陶瓷电学性能的影响。结果表明 ,随改性剂含量的增加 ,材... 以溶胶 -凝胶一步法合成了含有改性剂 Sb 的 Ba Ti O3 基正温度系数电阻 (positivetemperature coefficient of resistivity,PTCR)陶瓷 ,着重讨论了改性剂 Sb掺杂量的变化对 PTCR陶瓷电学性能的影响。结果表明 ,随改性剂含量的增加 ,材料的室温电阻率 (ρ室 )、电阻 -温度系数(α)、耐电压强度 (VB,max)均呈现“W” 展开更多
关键词 改性剂 BATIO3基 ptcr陶瓷 纳米晶粉 溶胶-凝胶一步法 电学性能 钛酸钡
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PTCR纳米陶瓷粉及其烧结体的制备 被引量:3
16
作者 李东升 畅柱国 +2 位作者 吴淑荣 熊为淼 王尧宇 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第9期971-974,共4页
The PTCR(positive temperature coefficient of resistance) nanosized ceramic pow der was prepared by Sol-Gel process and characterized by XRD, DSC, SEM and BET techniques. The results showed that the nanopowder has an a... The PTCR(positive temperature coefficient of resistance) nanosized ceramic pow der was prepared by Sol-Gel process and characterized by XRD, DSC, SEM and BET techniques. The results showed that the nanopowder has an average crystallite si ze of 35nm with sphere-shaped, whose specific surface area is 27.80m2·g-1 and the crystal structure is abnormal cubical perovskite phase at room temperature. In addition, the nanopowder was pressed into pellets and then sintered accordin g to improved technique which was built based on the data of thermal analysis of the PTCR green-compact to yield PTCR ceramic materials with peculiar microstru cture and higher properties, which has a resistivity at room temperature of ~20 Ω·cm, a temperature coefficient of resistivity of ~19%·℃-1, a withstand v oltage intensity of >160V·mm-1 and a resistivity jump of >105. 展开更多
关键词 ptcr纳米陶瓷 烧结工艺 制备 Sol-Gel工艺 热敏电阻 烧结体
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钛酸钡系PTCR半导体陶瓷烧结过程的计算机模拟Ⅱ.烧结中后期及奥氏熟化过程中的晶粒生长 被引量:4
17
作者 张道礼 翁广安 +1 位作者 龚树萍 周东祥 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期638-642,共5页
对Monte Carlo计算机模拟法的Q StatesPotts模型进行了修正 ,用于模拟BaTiO3 系PTCR半导体陶瓷烧结中后期的晶粒生长和奥氏熟化过程以及液相性质对晶粒生长的影响。模拟结果表明 :在含有液相的二相系统 ,钛酸钡半导瓷样品在12 40℃附近... 对Monte Carlo计算机模拟法的Q StatesPotts模型进行了修正 ,用于模拟BaTiO3 系PTCR半导体陶瓷烧结中后期的晶粒生长和奥氏熟化过程以及液相性质对晶粒生长的影响。模拟结果表明 :在含有液相的二相系统 ,钛酸钡半导瓷样品在12 40℃附近体积收缩率基本上达到了最大值 ,以后的保温阶段是在液相控制下的晶粒生长和致密化过程 。 展开更多
关键词 钛酸钡系ptcr陶瓷 计算机模拟 烧结中后期 奥氏熟化 晶粒生长
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(Sr,Pb)TiO_3系V形PTCR陶瓷材料的研制 被引量:4
18
作者 詹益增 吴世俊 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第2期21-23,共3页
研究了原材料、液相添加剂BN对Y3+掺杂的(Sr0.4Pb0.6)TiO3V形PTCR陶瓷半导化和显微结构的影响。结果表明,添加剂BN能促进晶粒生长、改善显微结构、显著降低室温电阻率ρ25和烧结温度。用常规的制备方法... 研究了原材料、液相添加剂BN对Y3+掺杂的(Sr0.4Pb0.6)TiO3V形PTCR陶瓷半导化和显微结构的影响。结果表明,添加剂BN能促进晶粒生长、改善显微结构、显著降低室温电阻率ρ25和烧结温度。用常规的制备方法制得居里温度TC≈210℃、ρ25≤5.0×103Ω·cm、电阻温度系数α40≈13%℃-1、电阻率ρ突变比ρmax/ρmin>5.0×103的V形PTCR陶瓷材料。 展开更多
关键词 钛酸锶铅 V形ptcr陶瓷 添加剂 氮化硼
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高性能BaTiO_3基PTCR陶瓷的制备与表征 被引量:1
19
作者 贾金亮 朱丽 +2 位作者 畅柱国 杨孟林 王瑞芳 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期747-749,共3页
以乙酸钡和钛酸四丁酯为主要原料,采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了BaTiO3基PTCR纳米晶粉体。通过热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)分析了粉体的合成过程和晶粒尺寸及相结构;纳米晶粉体经造粒、成型、烧结获得了居里温度(TC)为... 以乙酸钡和钛酸四丁酯为主要原料,采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了BaTiO3基PTCR纳米晶粉体。通过热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)分析了粉体的合成过程和晶粒尺寸及相结构;纳米晶粉体经造粒、成型、烧结获得了居里温度(TC)为100℃,室温电阻率(p25℃)~18Ω·cm,温度系数(α30)~17%·℃^-1,耐电压(Vb)〉195V·mm^-1,电阻率突变(pmax/pmin)〉10^6的PTC陶瓷材料,并通过扫描电子显微镜(SEM)对其显微结构进行了观察。 展开更多
关键词 ptcr陶瓷 溶胶-凝胶法 高性能 过电流保护
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高性能BaTiO_3基PTCR陶瓷的制备与研究 被引量:2
20
作者 黄庆 曲远方 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第4期271-274,302,共5页
报道了在传统 Ba Ti O3基 PTCR陶瓷基料中间时加入一定配比的 Pb3O4 和 Ba CO3所产生的低阻现象。当 x=2 .5和 Pb/Ba=1.3时 ,陶瓷在 114 0°C保温 6 0 m in条件下获得了高性能的 PTCR瓷体 ,其室温电阻率与升阻比分别为 8Ω· cm... 报道了在传统 Ba Ti O3基 PTCR陶瓷基料中间时加入一定配比的 Pb3O4 和 Ba CO3所产生的低阻现象。当 x=2 .5和 Pb/Ba=1.3时 ,陶瓷在 114 0°C保温 6 0 m in条件下获得了高性能的 PTCR瓷体 ,其室温电阻率与升阻比分别为 8Ω· cm和 4× 10 4 。结果表明 ,Pb3O4 和 Ba CO3的添加不仅能显著降低瓷体的室温电阻率 ,且还可以大幅度降低陶瓷的烧结温度。通过 XRD衍射谱分析并未在低阻瓷体中发现 Ba Pb O3相。根据所研究材料系统的一系列固态化学反应与缺陷反应提出了氧空位模型 ,并很好地解释了低阻化现象。 展开更多
关键词 ptcr陶瓷 制备 正温度系数 钛酸钡 氧化铅 偏高铅酸钡
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