FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究

本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 .

罗丹明B掺杂ZnQ_2的电致发光器件及其性能研究

将8-羟基喹啉锌(ZnQ_2)和8-羟基喹啉铝(AIQ_3)的发光性能进行比较,筛选出ZnQ_2作为掺杂发光层主体材料,与荧光染料罗丹明B(RhB)共掺杂,采用真空热蒸镀法制备有机电致发光器件(OLEDs).掺杂不同浓度RhB可以获得不同波长的光发射,得到不同的发光色调.通过对溶液态荧光光谱和器件发光光谱等特性的测量与分析.探讨了器件的能量转移及发光机理.

SrAl_2O_4∶Tb^(3+)荧光粉的合成与发光性研究

报道了以高温固相法合成SrAl2O4:Tb3+光致绿色荧光粉,并用X射线粉末衍射对其结构进行了表征。在SrAl2O4:Tb3+体系中加入Ce3+,得到了发绿色光的长余辉荧光粉,利用荧光分光光度计测定了两种荧光粉的激发光谱和发射光谱。对荧光体发光机理进行了探讨:认为O2-空位Vo是一种电子俘获陷阱,是形成余辉的根本原因,Ce3+的加入使陷阱的深度适宜而使余辉时间延长。

发光体MAl_2O_4:Eu^(2+),RE^(3+)的长余辉形成机理

提出了 Eu2 + 激活的 MAl2 O4:Eu2 + ,RE3 + ( M=Ca,Sr,Ba;RE=Dy,Nd,Ho,Er,Pr,Tb等稀土元素 )系列铝酸盐发光体的长余辉发光机理。认为 O2 -空位 Vo是一种电子俘获陷阱 ,是形成余辉的根本原因 ,RE3 +的引入使陷阱深度适宜而使余辉时间延长。缺陷在晶格中成簇分布 ,Vo和碱土金属离子空位 VM在高温下可相互缔合。

AlGaN/GaN HEMT器件电流坍塌和膝点电压漂移机理的研究

考虑了势垒层、缓冲层体陷阱及表面电荷的浓度变化对电流坍塌和膝点电压的影响,发现表面电荷和势垒层体陷阱浓度的变化对沟道电子的浓度影响较小,表面电荷浓度变化下的膝点电压的偏移和坍塌强度的大小与势垒层势阱能量的变化有着主要的关系.缓冲层有着比势垒层更强的局域作用,势垒层和缓冲层的体陷阱浓度在一定范围变化时的膝点电压偏移主要是由沟道电子浓度的变化而引起的,但偏移量却比表面电荷浓度变化的情况下小很多.势阱能量的变化是造成膝点电压偏移的重要原因,坍塌强度主要取决于势阱能量和沟道的电子浓度.