Pt/(Ba_(0．65)Sr_(0．35))TiO_3/Pt漏电流特性研究

利用射频(RF)溅射在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上沉积(Ba_(0.65)Sr_(0.35))TiO_3(BST)薄膜,制成Pt/BST/Pt平板电容,研究在正反偏压下BST薄膜漏电流的J-V和J-T特性。反偏压时,上电极Pt和BST薄膜形成肖特基接触,漏电流遵循肖特基发射机制。正偏压时,BST薄膜和下电极Pt界面存在大量的界面态,使得漏电流遵循空间电荷限制电流(SCLC)机制,漏电流密度随偏压的增加而急剧增加,随测试温度的增加而减小产生了PTCR效应。利用深陷阱空间电荷限制电流模型,解释了BST薄膜的PTCR效应受ε_r(T)和V^((Tc/T)+1)的共同作用,其中ε_r(T)的作用占优。