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InGaN插入层对AlGaN/GaN界面电子散射的影响
1
作者
宋莉娜
吕燕伍
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第17期216-223,共8页
本文研究InGaN作为AlGaN/GaN插入层引起的电子输运性质的变化,考虑了AlGaN和InGaN势垒层的自发极化与压电极化对Al_(x)Ga_(1-x)N/In_(y)Ga_(1-y)N/GaN双异质结高电子迁移率晶体管中极化电荷面密度、二维电子气(2DEG)浓度的影响,理论分...
本文研究InGaN作为AlGaN/GaN插入层引起的电子输运性质的变化,考虑了AlGaN和InGaN势垒层的自发极化与压电极化对Al_(x)Ga_(1-x)N/In_(y)Ga_(1-y)N/GaN双异质结高电子迁移率晶体管中极化电荷面密度、二维电子气(2DEG)浓度的影响,理论分析了不同In摩尔组分下,InGaN厚度与界面粗糙度散射、随机偶极散射和极性光学声子散射之间的关系.计算结果表明:界面粗糙度散射和随机偶极散射对双异质结Al_(x)Ga_(1-x)N/In_(y)Ga_(1-y)N/GaN的电子输运性质有重要影响,极性光学声子散射对其影响最弱;2DEG浓度、界面粗糙度散射、随机偶极散射和极性光学声子散射的强弱由InGaN势垒层厚度和In摩尔组分共同决定.
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关键词
二维电子气浓度
界面粗糙度
散射
随机偶极散射
极
性光学声子
散射
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职称材料
题名
InGaN插入层对AlGaN/GaN界面电子散射的影响
1
作者
宋莉娜
吕燕伍
机构
北京交通大学理学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第17期216-223,共8页
基金
国家自然科学基金(批准号:60976070)资助的课题.
文摘
本文研究InGaN作为AlGaN/GaN插入层引起的电子输运性质的变化,考虑了AlGaN和InGaN势垒层的自发极化与压电极化对Al_(x)Ga_(1-x)N/In_(y)Ga_(1-y)N/GaN双异质结高电子迁移率晶体管中极化电荷面密度、二维电子气(2DEG)浓度的影响,理论分析了不同In摩尔组分下,InGaN厚度与界面粗糙度散射、随机偶极散射和极性光学声子散射之间的关系.计算结果表明:界面粗糙度散射和随机偶极散射对双异质结Al_(x)Ga_(1-x)N/In_(y)Ga_(1-y)N/GaN的电子输运性质有重要影响,极性光学声子散射对其影响最弱;2DEG浓度、界面粗糙度散射、随机偶极散射和极性光学声子散射的强弱由InGaN势垒层厚度和In摩尔组分共同决定.
关键词
二维电子气浓度
界面粗糙度
散射
随机偶极散射
极
性光学声子
散射
Keywords
two-dimensional electron gases density
interface roughness scattering
random dipole scattering
polar optical phonon scattering
分类号
TN011 [电子电信—物理电子学]
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InGaN插入层对AlGaN/GaN界面电子散射的影响
宋莉娜
吕燕伍
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
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职称材料
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