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避免快速存取RAM设计中的总线争用
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《电子产品世界》 1998年第3期82-83,共2页
当设计一个面向总线的系统时,必须考虑总线争用的可能性。当两个或更多器件在同一共同总线上试图输出相反的逻辑电平时,就会发生争用现象。本文指出在用快速静态RAM设计时总线争用的常见原因,并描述消除或减少总线争用的方法。总... 当设计一个面向总线的系统时,必须考虑总线争用的可能性。当两个或更多器件在同一共同总线上试图输出相反的逻辑电平时,就会发生争用现象。本文指出在用快速静态RAM设计时总线争用的常见原因,并描述消除或减少总线争用的方法。总线争用最常见的形式发生在一个器件在... 展开更多
关键词 快速存取RAM 总线争用 随要存储器设计
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1998年SRAM和VRAM价格大幅下跌
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作者 建宁 《世界电子元器件》 1998年第5期25-26,共2页
作为强烈依赖于信息工业的静态随机存储器(SRAM)和视频随机存储器(VRAM),已由于近来PC机销售下降,而使其需求减弱。Intel公司将用超高速缓存SRAM集成高档CPU的计划对该市场的获利性将产生又一威胁。 然而,台湾Utron技术公司认为,由于来... 作为强烈依赖于信息工业的静态随机存储器(SRAM)和视频随机存储器(VRAM),已由于近来PC机销售下降,而使其需求减弱。Intel公司将用超高速缓存SRAM集成高档CPU的计划对该市场的获利性将产生又一威胁。 然而,台湾Utron技术公司认为,由于来自发展中国家对低档计算机的需求仍然相当大,因此。 展开更多
关键词 SRAM VRAM 随要存储器
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