新型集成隐埋齐纳二极管的研制及稳定性研究

介绍了一种采用40 V高压双极工艺制作的新型集成隐埋齐纳二极管的稳定性研究。这种新型隐埋齐纳二极管击穿电压值可调,齐纳击穿区避开表面,隐埋在硅体内,且内阻小、噪声低。首先分析了40 V高压双极工艺现有的次表面集成齐纳二极管长期稳定性和热稳定性不足的原因,接着介绍了新型集成隐埋齐纳二级管的工作机理。对新型集成隐埋齐纳二极管开展了老化试验,通过分析试验数据验证了新型集成隐埋齐纳管结构的有效性。

齐纳管稳定性技术研究

基于1.5μm 32 V双极工艺制造的某芯片在经历老炼、温度循环试验后,芯片内部齐纳管电压发生明显漂移,严重影响了芯片性能。针对该现象,本文开展了齐纳管电压漂移的机理分析和试验验证,并提出了齐纳管电压漂移的解决方法。经过试验证明,改进后的齐纳管电压稳定性得到很大提升,电压漂移由原来的1~2 V减小到100 mV以内。

如何选用合适的电压基准源

本文讨论了几种电压基准源的工作原理和结构，介绍了选择电压基准源时需要考虑的关键特性参数，给出了电压基准源的选择原则及使用中需要考虑的问题和使用方法。