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关于SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋N沟MOSFET的新型解析模型
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作者 周天舒 黄庆安 童勤义 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期117-122,共6页
对SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋N沟MOSFET(FDBC NMOSFET)的器件结构及导电机理进行了深入研究,建立了明确的物理解析模型,推导出各种状态下器件工作电流的解析表达式。并将解析模型的计算结果与实验数据进行了比较和讨论。
关键词 SOI/SDB 隐埋n沟 场效应晶体管
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