1
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氢化非晶硅带隙态密度光诱导变化的研究 |
王广民
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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1996 |
1
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2
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用温度调制空间电荷限制电流法研究GD-a-Sic∶H膜的隙态密度 |
王印月
王辉耀
张仿清
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《兰州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
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1990 |
0 |
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3
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用光学方法研究掺硼 a-Si_(1-x)C_x∶H 膜的隙态密度 |
王印月
吴现成
陈光华
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《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1989 |
0 |
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4
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n^+-i-n^+结构的电极附近结区电场对SCLC法确定薄a—Si:H膜隙态密度的影响──计算机模拟分析 |
林鸿生
林臻
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1990 |
0 |
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5
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金属/非晶硅势垒低频电容中等价的隙态密度分布 |
唐元洪
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《湖南大学学报》
EI
CAS
CSCD
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1990 |
0 |
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6
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ZC36微电流测试仪测量非晶硅有效隙态密度 |
唐元洪
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《湖南大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
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1997 |
0 |
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7
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由表面光生电压实验确定α-Si:H中费米能级附近的隙态密度 |
林鸿生
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《中国科学技术大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
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1989 |
0 |
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8
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SCLC法测量非晶硅有效隙态密度 |
唐元洪
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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1997 |
0 |
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9
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a-Si:H的FE测量及其隙态密度分析 |
何丰如
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《广州大学学报(社会科学版)》
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1998 |
0 |
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10
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空间电荷限制电流法对a—Si:H隙态密度的测量 |
楚振生
朱永福
袁建峰
马凯
黄锡珉
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《液晶与显示》
CAS
CSCD
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1996 |
0 |
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11
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自洽法计算非晶硅的带隙态密度 |
王广民
朱秉升
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《华东工学院学报》
CAS
CSCD
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1989 |
2
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12
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用高频电容—电压法研究GD-a-Si:H的隙态密度 |
王印月
胡著华
陈光华
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《兰州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
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1989 |
0 |
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13
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a—Si:HBTFT及其隙态密度场效应分析的新方法 |
何丰如
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《半导体杂志》
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1992 |
0 |
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14
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用热激电导谱确定非晶态半导体能隙态密度的研究 |
朱美芳
许政一
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1989 |
2
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15
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用SCLC法研究低k多孔SiO_2:F薄膜的隙态密度 |
缑洁
何志巍
潘国辉
王印月
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
0 |
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16
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a-SiC/c-Si异质结太阳能电池设计分析 |
林鸿生
段开敏
马雷
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
8
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17
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a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池设计分析 |
林鸿生
马雷
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2003 |
7
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18
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a-Si/CIS叠层太阳能电池的光诱导性能衰退和稳定性分析 |
林鸿生
马雷
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《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
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2002 |
2
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19
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a—SiC/c—Si异质结太阳能电池中a—SiC:H薄膜的设计分析 |
林鸿生
段开敏
马雷
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2001 |
0 |
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20
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a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的空间电荷效应和稳定性分析 |
林鸿生
段开敏
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《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
0 |
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