磁性半导体隧道结中自旋注入效率的温度效应

利用了隧道哈密顿方法研究了稀磁性半导体(DMS)到非磁性半导体(SM)隧道结中自旋注入效率与温度的关系。计算表明,随着温度的升高,自旋注入效率逐渐降低。这主要是由两方面的原因引起的,其一温度升高稀磁半导体的极化率降低;其二温度升高自旋反转隧穿增加。

隧道磁电阻效应中的两种不同的理论方法

使用两种不同的理论方法来计算磁性隧道结中的隧道磁电阻 .结果显示 ,Slonczewski模型得出的隧道磁电阻比Julliere公式得到的要大得多 .在Slonczewski模型中 ,当两边铁磁体的磁化方向相反时 ,为了确保平行于界面方向上的动量守恒 ,费米面上的电子只有一部分参与了隧穿过程 ;而在隧道哈密顿方法中 ,则假设费米面上所有的电子都参与了 .还发现 ,在Slonczewski模型中 。