浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究

本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手 ,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理 ,并提出了改进EEPROM保持特性的措施 .

FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究

本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 .

击穿电荷(QBD):监测E^2PROM中超薄隧道氧化层的一种方法(英文)

本文采用恒定电流应力的ＱＢＤ测试来描述超薄隧道氧化层的质量。Ｅ２ＰＲＯＭ失效的内在机理是由于隧道氧化层中的电荷陷阱。并同时绘出了ＱＢＤ的测试方法。测试表明，使用８ｎｍ隧道氧化层，ＱＢＤ＞５Ｃ／ｃｍ２时，可获得高质量的Ｅ２ＰＲＯＭ电路，擦／写次数可超过１００万次。

高场应力对隧道氧化层电特性的影响

详细研究了Ｎ＋埋层－隧道氧化层－多晶硅电容（Ｎ＋ＯＰ电容）和Ｐ型衬底－隧道氧化层－多晶硅电容（ＰＯＰ电容）在高场应力下的高频Ｃ－Ｖ特性和Ｉ－Ｖ特性的漂移，以及两种电容在隧道氧化层中陷阱电荷的产生现象。

臭氧推动隧道氧化层的发展

闪存器件中预氧化湿法清洗的作用很重要．因为虽然它们并不像逻辑栅的尺寸那样快速地缩小．但是他们比逻辑栅需要更低的泄漏性能．通常在更高的电压下工作。最近的基础研究采用了非接触和传统电性测试探究了预清洗特性对氧化层质量的影响。

恒流应力下E^2PROM隧道氧化层的退化特性研究

在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况.这种退化是恒流应力和时间的函数,对恒流应力大小的依赖性更加强烈,隧道氧化层在F-N电流下的退化是注入电荷密度(Qinj)的函数.在较低Qinj下氧化层中发生正电荷俘获,在较高Qinj下发生负电荷俘获,导致栅压变化的反复.

超薄氧化层的电击穿特性

本文在测试分析N+理层—隧道氧化层一多晶硅电容（N+OP电容）、P衬底一隧道氧化层一多晶硅电容（POP电容）和EEPROM单元隧道氧化层电容（TOP电容）的I－V特性、I－t特性、V－t特性的基础上，对隧道氧化层的击穿特性进行了理论分析，并提出了提高隧道氧化层可靠性的具体措施。

双层多晶硅FLOTOX EEPROM特性的模拟和验证

介绍了 EEPROM的电学模型 ,模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关系 .根据模拟结果 ,采用 0 .6μm CMOS工艺 ,对双层多晶硅 FL OTOX EEPROM进行了流片 ,PCM的测试结果验证了模拟结果在实际工艺中的可行性 .

高场应力下FLOTOXMOS管的性能退化研究

利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法，测试分析了在周期性电场应力下ＦＬＯＴＯＸＭＯＳ管隧道氧化层中陷阱电荷的特性，为研究陷阱电荷对ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ 阈值电压的影响提供了实验依据。在＋ １１ Ｖ、－ １１ Ｖ 周期性老化电压下所产生的氧化层陷阱电荷饱和密度分别为－ １．８×１０１１ ｃｍ － ２和－ １．４×１０１１ ｃｍ － ２，平均俘获截面分别为５．８×１０－ ２０ ｃｍ ２ 和７．２×１０－ ２０ ｃｍ ２，有效电荷中心距分别为３．８ ｎｍ 和４．３ ｎｍ ，界面陷阱电荷饱和密度分别为６．５４×１０９ ｃｍ － ２ｅＶ－ １和－ ３．８×１０９ ｃｍ － ２ｅＶ－ １，平均俘获截面分别为１．１２×１０－ １９ ｃｍ ２ 和４．９×１０－ １９ ｃｍ ２。

斜坡电流测试应用与比较方法研究

讨论了斜坡电流测试的相关参数如电流斜坡速率、步长及电流倍增速率对测试结果击穿电荷具有的严重影响。指出斜坡电流测试中各个参数的设定、影响及其相关性,使斜坡电流测试的结果具有可比较性。同时,讨论了由于斜坡电流测试本身的特性,击穿电荷具有非连续性,针对击穿电荷的非连续性,提供了一种统计上的数据处理方法,并且根据工程上不同的定性比较结果提供了不同的统计比较方法,可以对非连续的斜坡电流测试结果进行定量的统计比较。在产品验证或生产线出现异常时,能够进行统计上的比较,给出定量的结果。据此能对生产线的稳定性或异常事件对产品的影响给出明确的结论,为受影响的产品的处置提供定量的数据支持。这是首次对斜坡电流测试数据的统计定量分析。

EEPROM电路中的等离子体损伤分析

文章讨论了等离子体损伤造成的EEPROM电路失效,从隧道氧化层质量、器件结构、PECVD、等离子体腐蚀几方面分析了工艺中造成等离子体损伤的原因。分析结论得出金属腐蚀工艺中存在的天线效应和电子阴影效应对隧道氧化层质量有决定性影响。

磁性隧道结热稳定性的x射线光电子能谱研究

通过XPS等微观分析手段证实了磁性隧道结在高温退火后,反铁磁层中的Mn元素扩散到被钉扎铁磁层及势垒层中,破坏了势垒层/铁磁层界面,从而导致了磁性隧道结高温退火后TMR的下降.然而在反铁磁层和被钉扎铁磁层之间插入一层纳米氧化层后,Mn的扩散得到了抑制,使磁性隧道结的热稳定性得以提高.

存储器、锁存器

Y2000-62135-6 0019204用于铁电存储器件的电极及互连=The electrode andinter-connection for ferroelectric memory devices[会,英]/Hidemi.T.//1999 IEEE Proceedings of Interna-tional Interconnect Technology Conference.—6～8(EC)铁电存储器是一种理想存储器,它具有非挥发性,低功耗,耐久性和高速写入等优点,而且是嵌入式系统的合适器件,但铁电薄膜具有易疲劳和工艺退化的弱点,为解决此问题,电极材料和互连工艺是相当重要的。