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优化了栅电极溅射工艺的难熔金属栅 MOS电容的性能(英文)
1
作者
李瑞钊
徐秋霞
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第10期1231-1234,共4页
论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高 3nm栅氧 W/ Ti N叠层栅 MOS电容的性能 .实验选取了合适的 Ti N厚度来减小应力 ,以较小的 Ti N溅射率避免溅射过程对栅介质的损伤 ,并采用了较高的 N2 / Ar...
论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高 3nm栅氧 W/ Ti N叠层栅 MOS电容的性能 .实验选取了合适的 Ti N厚度来减小应力 ,以较小的 Ti N溅射率避免溅射过程对栅介质的损伤 ,并采用了较高的 N2 / Ar比率在 Ti N溅射过程中进一步氮化了栅介质 .实验得到了高质量的 C- V曲线 ,并成功地把 Nss(表面态密度 )降低到了 8× 10 1 0 / cm2以下 ,达到了与多晶硅栅
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关键词
难熔金属栅
溅射工艺
栅电极
MOS电容
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职称材料
新型半导体器件及工艺基础研究
被引量:
1
2
作者
张兴
《中国基础科学》
2003年第5期16-19,共4页
为了提高系统芯片的可靠性和性能价格比,增强其市场竞争力,缩小器件特征尺寸并提高集成度仍是一个主要的途径。当器件特征尺寸进入亚50nm以后,大量来自于传统工作模式、传统材料、传统工艺乃至传统器件物理基础等方面的问题将成为器件...
为了提高系统芯片的可靠性和性能价格比,增强其市场竞争力,缩小器件特征尺寸并提高集成度仍是一个主要的途径。当器件特征尺寸进入亚50nm以后,大量来自于传统工作模式、传统材料、传统工艺乃至传统器件物理基础等方面的问题将成为器件特征尺寸进一步缩小的限制性因素。因此我们的973项目从新型材料、半导体器件分析、新型器件结构、关键制备工艺等方面开展了深入的研究。本文主要介绍我们在新型半导体器件结构以及制备工艺方面取得的主要成果,具体包括平面双栅器件、金属栅器件、垂直沟道双栅器件、DSOI器件、SON器件、SOI肖特基晶体管、高K介质器件等。
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关键词
半导体器件
工艺基础
微电子技术
MILC平面双栅器件
难熔金属栅
CMOS器件
改进型垂直沟道双栅器件
n沟SoI肖特基势垒晶体管
高K介质半导体器件
亚lOOnm半导体器件
原文传递
题名
优化了栅电极溅射工艺的难熔金属栅 MOS电容的性能(英文)
1
作者
李瑞钊
徐秋霞
机构
中国科学院微电子研究中心
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第10期1231-1234,共4页
文摘
论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高 3nm栅氧 W/ Ti N叠层栅 MOS电容的性能 .实验选取了合适的 Ti N厚度来减小应力 ,以较小的 Ti N溅射率避免溅射过程对栅介质的损伤 ,并采用了较高的 N2 / Ar比率在 Ti N溅射过程中进一步氮化了栅介质 .实验得到了高质量的 C- V曲线 ,并成功地把 Nss(表面态密度 )降低到了 8× 10 1 0 / cm2以下 ,达到了与多晶硅栅
关键词
难熔金属栅
溅射工艺
栅电极
MOS电容
Keywords
sub01μm regime
refractory metal gate
sputtering process
surface states
分类号
TN305.92 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
新型半导体器件及工艺基础研究
被引量:
1
2
作者
张兴
机构
北京大学微电子学研究所
出处
《中国基础科学》
2003年第5期16-19,共4页
基金
973计划项目
文摘
为了提高系统芯片的可靠性和性能价格比,增强其市场竞争力,缩小器件特征尺寸并提高集成度仍是一个主要的途径。当器件特征尺寸进入亚50nm以后,大量来自于传统工作模式、传统材料、传统工艺乃至传统器件物理基础等方面的问题将成为器件特征尺寸进一步缩小的限制性因素。因此我们的973项目从新型材料、半导体器件分析、新型器件结构、关键制备工艺等方面开展了深入的研究。本文主要介绍我们在新型半导体器件结构以及制备工艺方面取得的主要成果,具体包括平面双栅器件、金属栅器件、垂直沟道双栅器件、DSOI器件、SON器件、SOI肖特基晶体管、高K介质器件等。
关键词
半导体器件
工艺基础
微电子技术
MILC平面双栅器件
难熔金属栅
CMOS器件
改进型垂直沟道双栅器件
n沟SoI肖特基势垒晶体管
高K介质半导体器件
亚lOOnm半导体器件
分类号
F426.63 [经济管理—产业经济]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
优化了栅电极溅射工艺的难熔金属栅 MOS电容的性能(英文)
李瑞钊
徐秋霞
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
下载PDF
职称材料
2
新型半导体器件及工艺基础研究
张兴
《中国基础科学》
2003
1
原文传递
已选择
0
条
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引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
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