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半导体宏观数学模型的拟中性极限
1
作者
王术
王卫
《河南大学学报(自然科学版)》
CAS
2001年第4期11-14,共4页
首先给出了半导体材料科学中的各种数学模型 ,然后综述半导体材料科学的宏观模型拟中性极限问题的有力数学分析结果 .使用熵 (Entropy)
关键词
半导体模型
拟中性极限
熵方法
弱收敛方法
集中振荡现象
半导体材料
宏观数学模型
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职称材料
题名
半导体宏观数学模型的拟中性极限
1
作者
王术
王卫
机构
河南大学数学系
河南石油勘探局测井公司
出处
《河南大学学报(自然科学版)》
CAS
2001年第4期11-14,共4页
基金
国家自然科学青年基金 (批准号 :10 0 0 10 34 )
中国博士后科学基金资助项目
文摘
首先给出了半导体材料科学中的各种数学模型 ,然后综述半导体材料科学的宏观模型拟中性极限问题的有力数学分析结果 .使用熵 (Entropy)
关键词
半导体模型
拟中性极限
熵方法
弱收敛方法
集中振荡现象
半导体材料
宏观数学模型
Keywords
model for semiconductors
quasineutral limit
entropy method
weak compactness method
concentrationoscillation phenomena
分类号
TN304.02 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体宏观数学模型的拟中性极限
王术
王卫
《河南大学学报(自然科学版)》
CAS
2001
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