带封装的压电麦克风声电模型

基于声电类比的原理,通过对微机电系统(MEMS)压电麦克风的结构参数进行讨论,提出一种带封装结构的压电麦克风集总元件等效电路模型。利用此模型对压电麦克风的性能进行理论分析。通过模拟结果和实际实验数据进行对比可知,提出的压电麦克风等效声电模型模拟结果与实验结果一致,验证等效电路的合理性。为进一步优化MEMS压电麦克风的结构提供了理论基础。

PNP型HBT基极接触阻抗的理论估算

给出了非合金接触情况下 ,PNP型 HBT基极比接触电阻和接触阻抗的解析计算方法和结果。讨论了接触阻抗随频率的变化规律 。

通风孔对压电麦克风低频响应的影响研究

根据压电麦克风的工作原理建立压电传感器的集总元件等效声电模型,分析通风孔结构对压电麦克风灵敏度的影响。通过有限元建模,研究通风孔的几何尺寸对压电麦克风低频输出的影响。通风孔位于硅基的位置不影响麦克风的低频输出。通风孔的横截面积一定时,长度越长,低频响应越快。通风孔的长度一定时,横截面积越小,低频响应越好。如果要达到相同的低频位移输出,通风孔的横截面积比为2倍时,长度比应为4倍。

用SIR型开路枝节实现低通滤波器小型化和宽阻带

该文提出一种新型阶跃阻抗谐振器(SIR)型低通滤波器.设计SIR开路枝节结构,使之具有二阶低通滤波器的特性,从而达到损耗低、阻带宽、结构紧凑,能很好地改善带外抑制,提高频率选择性.实验测得通带内的插入损耗均在-0.3 dB以内,插入损耗大于15 dB的阻带宽度达到9 GHz,而3 dB截止频率是7.2 GHz.这种谐振器可广泛用于各种微波系统中.给出了该二阶低通滤波器的等效电路和电路参数,电路仿真、全波电磁仿真和实测结果基本上吻合.为了进一步增加阻带带宽,抑制高次谐波,又提出一种带SIR开路枝节和倒T型开路枝节的三阶低通滤波器,它具有更宽的阻带特性.