单片集成半导体激光器的阵发混沌特性（英文）

实验研究了一种由一个分布反馈半导体激光器、一个相位控制部分和一个半导体光放大器组成的三段式单片集成半导体激光器的动力学特性.采用常规的动力学分析方法,对不同相位控制电流下激光器输出的光谱、时间序列、相图及功率谱进行了分析,考察了其进入混沌的路径及阵发混沌的特性。研究结果表明,在适当的运行参数下,单片集成半导体激光器可呈现混沌态与稳定态随机交替出现的阵发混沌状态输出.在固定分布反馈半导体激光器电流和半导体光放大器电流不变的情况下,连续地增大相位区的电流I_P,单片集成半导体激光器将先后经历稳定态、单周期态、阵发混沌态,最后再回到稳定态的过程.在确定了激光器处于阵发混沌态时相位区电流I_P的取值范围之后,进一步的分析结果表明,随着相位区电流I_P的增加,平均层流时间先减小,达到一个极小值后再迅速增大.

基于微米级LED阵列的高度集成半导体信息显示

提出信息显示设备不仅能够在显示屏的平面上展示信息,更重要的是能够在真实的三维空间中显示内容,使人与信息之间的自然交互成为可能。微米级LED显示屏有可能将我们带入一个真正身临其境和互动体验的新时代。响应时间快,体积小,应用环境温度宽,使用寿命长,使Micro-LED显示屏几乎适用于所有显示应用,甚至可以是柔性和透明显示屏。通过减小LED的尺寸,可以实现非常高像素密度的显示器。研究认为,基于微米LED阵列可以为实现高度集成的半导体信息显示(HISID)铺平道路,实现下一代信息显示技术。

基于双波长集成半导体激光器的DVD光学头

提出了一种基于双波长半导体激光器的DVD光学头方案 .双波长半导体激光器能发射两个波长的激光 ,6 5 0nm的光束用来读取DVD ,780nm的光束用来读取CD和CD R/RW .讨论了设计中光轴的校正和伺服信号提取等关键问题 。

集成互注入半导体激光器的微波光子学应用

光源是微波光子(microwave photonic,MWP)系统的“发动机”,从根本上决定了系统性能的上限。光注入半导体激光器集聚诸多优势,但离散器件引发的系统集成度低、结构复杂、体积大、稳定性差等弊端明显,大大限制了MWP系统的工程化应用。集成化是解决目前MWP技术实用化等瓶颈问题的关键,轻量级、高性能、多功能的激光器光源是集成MWP系统的关键。基于此,本文综述了近年来集成互注入半导体激光器在高效电光转换、微波信号产生、MWP变频、弱信号探测以及光学频率梳源等MWP应用方面的创新研究,期望为集成MWP系统提供可行的高性能集成光源,推动集成MWP技术的工程化应用尽快实现。

半导体桥火工品的防静电与防射频设计

为提高半导体桥(SCB)火工品的防静电与防射频的双防能力,将静电加固器件瞬态电压抑制(TVS)二极管和射频加固器件负温度系数(NTC)热敏电阻同时集成入SCB火工品的结构中,并研究了上述组合器件对SCB火工品发火性能和抗电磁性能的影响规律。结果表明:集成防护器件后,SCB火工品的安全电流从1.2 A升至1.5 A;抗静电性能满足500 pF/500Ω/25 kV条件下不发火;在22μF/16 V的电容发火条件下,集成SCB火工品的平均爆发时间较SCB火工品增加了1.77μs。因此,该组合型防护器件可以在不改变SCB发火性能的基础上有效提高SCB的抗静电和抗射频的能力。

新阶段全球半导体供应链重构及其思考

半导体攸关国家安危,百年未有之大变局中的诸多因素诱发第四次全球半导体供应链重构。梳理了前三次全球半导体供应链重构的过程,并基于系统动力学、演化经济学等理论构建了产品—企业—区域—全球(PERG)分析框架,探讨了第四次全球半导体供应链重构的原因及趋势。虽然中国内地半导体产品和企业实力与美欧日韩及中国台湾地区具有很大差距,但全球影响力已上升为全球第二梯队。第四次全球半导体供应链重构由美国主导,但中国内地将成为第四次全球半导体供应链重构的核心力量。中国内地应做好半导体产业发展的长期规划,发挥新型举国体制和现代市场机制的作用,从PERG四个方面全面发力提升自身实力,稳定半导体领域外资和台资,持续推动本土替代,深度嵌入美欧日韩及中国台湾地区的全球半导体供应链。

半导体集成电路用表面钝化膜的研究

对于高性能高可靠性集成电路来说 ,表面钝化已成为不可缺少的工艺措施之一。本文分析了目前应用最广泛的几种无机表面钝化膜 (SiO2 、Al2 O3 和Si3 N4)的特点 ,并指出氮化硅薄膜是半导体集成电路中最具应用前景的表面钝化材料 ,发展低温的热化学气相沉积 (CVD)工艺来沉积氮化硅表面钝化膜是集成电路发展的必然趋势 ,而开发新的能满足低温沉积氮化硅薄膜的硅源、氮源前驱体是解决这一难题的有效方法 ,并对这些前驱体物质的设计原则进行了阐述。

半导体集成电路芯片质量与可靠性保证方法

针对国内目前没有专门用于保证半导体集成电路芯片质量与可靠性要求的相关标准,相应测试、可靠性研究水平也较为落后的情况,对半导体集成电路芯片质量与可靠性保证方法进行研究。介绍半导体集成电路芯片质量与可靠性保证方面的国际、国内标准与技术水平现状,提出在目前技术水平下需从设计、工艺、筛选验证3个方面保证半导体集成电路芯片质量与可靠性,在筛选验证方面提出芯片筛选、封装样品考核相结合的方式。结果表明,该方法能满足混合集成电路、多芯片组件对半导体集成电路芯片的质量与可靠性要求。

基于半导体集成电路辐射效应的空间辐射环境探测器

空间辐射环境能够引起半导体集成电路发生的总剂量效应、单粒子效应等辐射效应 ,可以被用来进行空间辐射环境监测。在一定条件下 ,基于此原理的探测器具有常规的面垒型探测器以及 PIN型探测器等所不具备的优点。尤其适合航天器舱内带电离子探测和用于航天医学的个人辐射剂量探测。介绍了三种基于半导体器件辐射效应的探测器。

半导体集成电路课程改革的探索与思考

从半导体集成电路课程改革的必要性出发,介绍了课程内容、教学方法和手段的改革。课程内容兼顾双极集成电路和MOS集成电路,但以MOS集成电路为主,同时引入学科的前沿知识;教学手段上以多媒体为主,做到图文并茂,让学生建立集成电路的感性认识,方法上注重实践,将课程设计内容与集成电路设计技术课程的内容相结合,增强学生的实际动手能力。最后介绍了目前存在的主要问题和今后的工作重点。

采用TEG技术的半导体集成电路可靠性评价方法

详细介绍了一种新近采用的先进半导体集成电路可靠性评价技术———TEG技术。对其基本概念、评价方法以及应用情况进行了详细的阐述,重点介绍了其中的WLR TEG可靠性在线检测与控制技术;最后,对我国开展相关工作提出了切实可行的建议,以确保并提高我国军用半导体集成电路的固有可靠性水平,促进军用微电子技术的快速发展。

半导体集成电路器件生产废水处理工艺研究与应用

针对半导体集成电路器件生产产生的电镀废水、酸碱废水,对流量控制、pH、药剂投加量、反应搅拌强度进行研究,并提出合理的处理工艺,确保废水处理达标排放。

“半导体集成电路”课程建设与教学实践

教学改革的核心是教学内容与课程体系的改革。为了加强基础,拓宽专业面,必须对课程体系进行优化调整。本文针对我校微电子学本科专业的课程体系,重点介绍"半导体集成电路"课程建设;首先介绍了"半导体集成电路"课程建设的指导思想,然后阐述了课程建设的内容和实施情况,最后对课程建设的效果进行了简要的分析和总结。通过三届本专业学生的教学实践,收到了较好的效果。

集成双波导半导体光放大器小信号放大纵向特性

为了研究集成双波导半导体光放大器（ITG-SOA）小信号放大纵向特性,运用ITG-SOA静态分析模型进行了分析。结果表明,小信号放大时,ITG-SOA有源和无源波导间能够实现周期性光功率转移和完全的功率交换;与半导体光放大器中载流子浓度沿纵向单调下降明显不同,ITG-SOA有源波导中的载流子浓度沿纵向周期性摆动,且摆动幅度沿纵向逐渐加大;有源波导归一化层厚度、有效折射率和纵向传播常数等特性参量亦呈现出特有的纵向分布。这一结果对于深刻理解ITG-SOA小信号放大时的工作机理是有帮助的。

半导体和铁电体集成体系晶格振动

用实空间方法,借助一维模型研究了铁电体和半导体集成体系的晶格振动行为,讨论了一维链表面模、界面模,长程作用下的布里渊区边界模等的振动特性,解释了ＧａＡｓ/ＳｒＴｉＯ３体系的拉曼谱图．

半导体集成电路可靠性测试及数据处理方法分析研究

探讨了半导体集成电路可靠性设计技术,分析了栅氧化层测试技术与数据处理方法,介绍了斜坡电压测试和介质击穿的实验两种方法,并给出了热载流子注入测试技术与数据处理方法。

半导体集成电路标准概述

半导体集成电路是半导体器件两大产业之一,对电子电气产业发展有着重要影响。主要介绍了半导体集成电路的产业现状、国内外相关标准概况以及标准发展动向等。

结构相似性原理在半导体集成电路检验中的应用

介绍了如何应用结构相似性程序对半导体集成电路的最终检验进行分组和试验,从而提高检验效率,降低检验成本。

学分制条件下半导体集成电路课程体系改革与实践

从半导体集成电路课程教学的现状出发,在教学内容、教学方法和实践环节等方面进行了课程体系的改革与探索,形成了学分制条件下"以学生为本、软硬兼施、强化实践、激发思维"的课程体系。在教学内容上充分考虑本课程的"集成性",在强调基本知识的同时,注重各相关知识的交叉与集成;在教学方法上,用计算机技术弥补传统教学中的缺点,同时引入最新的研究动态,使学生在掌握基本知识点的同时,了解最先进的技术;在实践环节上"软硬"兼施,不仅设置"硬件"实验,而且开设"软件"设计仿真,强化动手能力。