GaAs/GaAlAs集成外腔激光器的模式谱分析

本文利用单 FP(Fabry—Perot)腔激光器的理论,并用有效反射率方法,通过计算机数值计算和作图,简单、清晰、明了地解决了集成外腔结构的 GaAs/GaAlAs激光器的模式谱问题,并给出了实验设计方案。与众多的理论分析方法相比,这种方法具有简明、精确、直观的优点。

集成外腔半导体激光器的量子噪声

本文首次用半经典理论给出了集成外腔(IEC)半导体激光器(LD)的量子AM和FM噪声谱。指出IEC LD的噪声特性主要取决于有源区和外腔的长度及折射率的变化。