LED集成封装的一次光学设计与优化

当前许多企业缺乏对集成光源严格的光学设计与优化,依据经验开模,效率低,成本高。本文采用蒙特卡洛非序列光线追迹方法,利用光学仿真软件Tracepro对集成光源进行的一次光学设计与优化,从LED集成封装的结构出发,设计出7WCOB光学模型,通过逐一改变芯片间距、反光杯底部半径、深度和硅胶折射率四个变量来获得各个参数的最优值。实验结果表明芯片间距、反光杯底部半径、深度和硅胶折射率对光源出光效率和光强分布影响具有一定规律性,这些规律对于实际生产具有指导意义。

LED集成封装的研究现状

多芯片LED集成封装是实现大功率白光LED照明的方式之一。本文归纳了集成封装的特点,并从产品应用、封装模式,散热处理和光学设计几个方面对其进行了介绍,并分析了集成封装的发展趋势,随着大功率白光LED在照明领域的广泛应用,集成封装也将得到快速发展。

一种新颖的Ka频段T/R组件立体混合集成封装

介绍了一种新颖的Ka频段T/R组件立体混合集成封装。针对Ka频段T/R组件高频率和高密度的特点,提出了一种新颖的多层组装和双面密封的立体电路结构,采用软基片、FR-4等简单成熟工艺,实现了Ka频段M-MCM的混合集成。该封装具有集成度高、散热性好和可靠性高等特点,能够应用于Ka频段二维有源相控阵T/R子阵的工程研制。

集成封装发光二极管光提取效率的计算及优化

基于蒙特卡罗方法模拟、计算并分析了芯片类型、大小、间距、数量以及布局对GaN基发光二极管(LED)集成封装器件COB(Chip On Board)能效的影响。计算结果表明:在芯片间距小于200μm且芯片尺寸或布局等参数相同的条件下,正装LED COB的能效最低,其次为倒装LED COB,垂直结构芯片的能效最大。当芯片间距大于200μm,3种LED COB的能效趋向饱和。芯片尺寸增加或数量减少可使正装和倒装芯片COB的能效上升,而垂直结构COB的能效基本保持不变。加入图形衬底可提高同样尺寸或布局的正装芯片COB封装器件的能效,但使倒装芯片COB的能效恶化。分析表明:芯片的侧面出光量占整个芯片出光量的比值以及相邻芯片材料的吸收对3种类型COB封装器件的能效有决定性影响。文中还针对正装芯片COB设计了新型菱形芯片布局,与常规正方形芯片布局的COB相比,其能效提高了6.2%。

大功率集成封装白光LED模组的散热研究

采用有限元分析软件ANSYS,分别对基于均温基板和金属芯印刷电路板结合太阳花散热器的100 W的大功率集成封装白光LED进行了热分析。结果发现:(1)相比金属芯印刷电路板,均温基板提高了LED芯片的均温性,可使每个LED芯片的温度分布一致,且每个芯片的最高温度比最低温度仅高1.1℃,避免了局部热点,从而提高了大功率集成封装白光LED的可靠性,保证了它的寿命。(2)太阳花散热器非常适合大功率集成封装白光LED模组的散热。因此对于大功率集成封装白光LED模组而言,均温基板结合太阳花散热器是一种有效的散热方式。

基于TGV工艺的三维集成封装技术研究

面向未来高速与高密度封装领域,基于玻璃基的TGV技术具有衬底损耗低、基板材料成本低、体积尺寸小、高密度集成等优点,成为三维集成技术的重点发展方向。尤其是在毫米波天线、射频前端等大带宽、低损耗高频传输器件的研制中,TGV技术有着广阔的应用前景。针对石英玻璃基板,开展TGV成孔关键技术研究,突破高深宽比TGV结构的研制技术难点,成功制备了特征孔径50μm、深宽比6∶1的石英玻璃三维封装基板,实现了垂直方向的信号传输。

多芯片集成封装发光二极管的设计和优化

针对影响多芯片集成封装发光二极管(LED)出光效率的关键要素:图形化基板的反光杯间距、封装硅胶形状,利用光学仿真软件Tracepro优化设计了基板图形和封装硅胶的微观结构。通过改变反光杯之间的距离和封装硅胶的凹凸结构,获得最优的结构参数。计算结构表明,反光杯间距、封装硅胶结构对多芯片集成封装LED取光效率的影响具有一定的规律性,这些规律对于多芯片集成LED的封装具有一定的指导意义。

COB集成封装技术相关专利分析

从专利分析的视角对基板上直接固定芯片(Chips on baord,COB)集成封装发光二极管(LED)技术进行分析介绍,从专利历年申请数量趋势分析、技术构成及专利申请/专利权人构成分析等几个方面对COB技术的专利布局情况进行系统总结,并简介一些重要的相关专利。

深硅刻蚀实现3D集成封装

Sematech在2004年提出，光靠改变互连的工艺和材料还不足以满足下一代IC的性能要求，同时预测所需的推动力可能来自于不同种类器件的混合集成。目前，各大器件制造商和封装厂都在积极研发晶圆级封装技术，以满足未来器件小型化和更多功能的要求。

一种半导体激光器混合集成封装技术

介绍一种满足新型光网络传输要求的半导体激光器的混合集成封装技术,它集结构、光路、电路、软件及工艺等设计于一体,实现12路大功率光信号独立或同时发射,通过相关技术手段快速实现可调谐波长并能持续稳定工作。详细描述各单元架构以及最终的测试结果。

广东启动全国首个集成封装LED路灯标准起草制定工作

在广东省科技厅的指导和大力推动下,广东半导体照明产品评价标杆体系（以下简称＂标杆体系＂）的研究取得了较大进展,其中最为突出的成果之一就在于项目研究将推动并加快广东LED照明产业标准化的进程。由标杆体系的执行单位广东半导体照明工程省部产学研创新联盟发起,

业界首款AMR传感器芯片和放大器芯片集成封装IC在荷兰推出

荷兰恩智浦半导体（NXP Semiconductors）最新上市了一种AMR角度传感器IC“KMZ60”，除了角度传感器芯片外，还在8端了SOP中集成了放大器芯片。据该公司介绍，这是业界首次推出将AMR传感器芯片和放大器芯片集成在一个封装中的IC。

中芯长电发布超宽频双极化毫米波天线射频芯片集成封装技术SmartAiP^TM

近日,中芯长电半导体有限公司(中芯长电)发布世界首个超宽频双极化的5G毫米波天线芯片晶片级集成封装SmartAiP^TM(Smart Antennain Package)工艺技术。SmartAiP^TM具有集成度高、散热性好、工艺简练的特点,能够帮助客户实现24GHz到43GHz超宽频信号收发、达到12.5分贝的超高天线增益、以及适合智能手机终端对超薄厚度要求等的优势,并且有进一步实现射频前端模组集成封装的能力。

用于电器和轻工业先进电动机驱动器的集成封装工艺

为家用电器设计的电动机是全球电能产品的最大用户之一,并代表电子工业直接产生积极影响的应用领域.这些电动机的效率在不断提高,即使增幅很小,都会对世界能量消耗产生巨大影响,并使环境、政府和用户受益.基于逆变器的电动机控制是提高效率的关键,但只有减少常规逆变器设计的开发时间、材料成本和总尺寸,才能在市场上获得成功.

大功率集成封装LED的一次光学设计

大功率LED作为集成封装光源时,为了增加出光效率,可以采用优化光学结构的方式。文章利用TracePro仿真软件,对大功率LED集成光源进行建模与一次光学设计,并以反光碗底部半径、深度和硅胶折射率为变量,研究封装结构对大功率LED出光效率及法向光强的影响。最后,通过对比试验,得出最优设计方案,对大功率LED的封装工艺具有实际意义。

电子封装技术中TSV集成封装专利分析

介绍了电子封装技术中TSV集成封装的特点及国内外专利分析.依据中国专利文摘数据库(CNABS)和德温特世界专利索引数据库(DWPI)进行检索,对电子封装技术中TSV集成封装专利申请总量及其区域分布进行了汇总分析,并针对中芯国际重点专利进行技术发展分析.指出我国电子封装技术中TSV集成封装的发展的优势及其不足,并提出参考建议.

集成电路封装压焊机劈刀应用工艺研究

劈刀是集成电路测试压焊工艺引线键合过程中的重要工具,正确的选择劈刀决定了键合的稳定性、可靠性和经济性。以ASM-AB339压焊机劈刀选用和更换为基础,介绍了劈刀的选型和拆装方法。研究得出,合理选择劈刀能有力地缓解压焊设备和劈刀刀头端面磨损,提高压焊设备和劈刀的使用寿命。

“1+X”背景下“集成电路封装与测试”教学改革研究

目前国内集成电路封装测试行业发展迅速,需要大量高素质的封装测试技术人员。文章在分析《集成电路封装与测试》课程教学现状的基础上,从课程内容、教学方法与手段、考核内容和考核形式、如何融入课程思政等方面探讨教学改革的具体措施和建议。通过课程改革,真正实现课证融通,更好的为集成电路产业培养优秀的微电子技术人才;提升教师的教学水平和教学能力,加强专业的内涵建设。

嵌入TMV转接板的扇出型三维封装集成技术研究

本文研究了一种嵌入TMV转接板的晶圆级扇出型封装技术,并成功应用于三维封装集成中。该技术首先通过热机械仿真对重构晶圆的翘曲及封装体的应力分布情况进行模拟;之后通过机械打孔、电镀等工艺制备尺寸、阵列数量均可定制化设计的独立TMV转接板。将TMV转接板与芯片通过晶圆级封装中的塑封、减薄、再布线、BGA植球等工艺制备具有双面再布线的封装体;然后通过倒装回流焊工艺将不同封装体的焊球与焊盘互相连接构筑三维集成封装体,以进一步拓展在三维集成中的应用,SEM图像和通断测试结果说明上述封装体具备良好的互连特性;最后对三维集成封装体进行了可靠性测试,优良的电性能结果表明封装体具备高可靠性。三维集成封装工艺的开发和可靠性试验表明嵌入TMV转接板的三维封装集成工艺稳定可靠,为三维集成提供了新的解决方案。