CMOS集成电容湿度传感器

CMOS集成湿度传感器是利用MEMS技术基于CMOS工艺的新型传感器,将传感器结构与接口电路集成在同一块片子上,具有体积小,价廉、可靠性高等优点,利于批量生产和系统集成。主要介绍了湿度传感器的工作原理和一些常用感湿介质,如多孔硅、聚酰亚胺、空气的感温特性,比较了几种流行的湿度传感器结构以及接口信号处理电路像开关电容电路、多谐振荡电路之间的优缺点。最后给出了微系统集成的概念,并对CMOS集成湿度传感器的应用前景进行了展望。

双面散热功率模块的低电感多端集成电容

双面散热功率模块能有效提升逆变器的功率密度,成为车用电机控制器的发展趋势。为了匹配双面散热功率模块的超低寄生电感,急需高性能的低电感集成电容。然而,现有集成电容存在构-效机理不明、基础模型缺失和设计方法匮乏等问题,成为限制双面散热功率模块性能的关键技术瓶颈。该文结合功率器件的开关工作机制,基于场-路映射分析方法,采用有限元仿真工具,揭示集成电容的磁场分布和电流路径规律,建立集成电容的寄生电感模型,理论模型和仿真结果之间的误差小于16%。为了降低集成电容的寄生电感,衍生了六种集成电容的设计结构,揭示端子布局与寄生电感之间的构-效规律,提出多端集成电容的概念,寄生电感约为32 nH,可以降低47%的寄生电感和21%的电压过冲。对标商业化集成电容产品,实验结果验证了所提多端集成电容在开关损耗、关断电压、能量密度等性能方面的技术优势。该文的研究,为低电感集成电容提供了新的模型方法,为高功率密度车用电机控制器提供了新的研究思路。

MOS工艺下叉指夹心集成电容的结构及其模拟分析

针对较大电容难以集成的实际,提出叉指夹心集成电容结构,采用横向电通量增加电容策略,在顶层上布铝导线呈平铺叉指夹心结构,涂盖Si3N4为介质,通过选择考虑边缘效应的模型进行仿真模拟,观测这种结构下两种连接方式电容的大小,得到了一定叉指电极长度的电容值可达到约15.3 pF.

高难度集成电容器制造技术在探索中推进

电容器、电阻器和电感器等这类无源元件是电子线路中进行各项功能如信号去耦、开关噪声抑制、滤波和调谐的重要部件.电子工业持续小型化发展非常需要将这类无源元件集成到印制线路板(PCB)或多芯片组件里芯片下面的介质层上.在约8000亿块无源元件/年的市场里,目前只有不到3%是采用集成形式.

一种集成电路电容适用的碳纤维改性复材制备及性能

为了提升集成电路电容用复合材料的综合性能,对比分析了碳纤维(CF)、Ni(OH)_(2)改性碳纤维CF-Ni(OH)_(2)和聚多巴胺改性碳纤维CF-PNi的表面形貌、化学结构、润湿性能和力学性能。结果表明,原始CF表面存在深度不一的加工沟槽、粗糙度较大,当经过Ni(OH)_(2)和聚多巴胺改性处理后,碳纤维表面沟槽基本消失,表面粗糙度减小。改性CF相较CF与树脂(EP)的接触角都有不同程度减小,与树脂接触角从大至小顺序依次为:CF、CF-Ni(OH)_(2)、CF-PNi;当采用Ni(OH)_(2)对CF进行改性后,CF-Ni(OH)_(2)/EP的弯曲强度F_(s)、弯曲模量F_(m)、层间剪切强度ILSS和横向拉伸强度Hl相较CF有明显提升,采用聚多巴胺进一步对CF-Ni(OH)_(2)进行改性处理后,CF-PNi/EP的F_(s)、F_(m)和Hl会相较CF-Ni(OH)_(2)/EP进一步提升,而ILSS变化幅度不大。

适合集成开关电容DC-DC变换器的浮地电容倍增器

针对在集成电路中制作大容量电容器的困难,提出了一种利用电流传输器提高集成电容器容量的方法,称之为连续可变浮地电容倍增器。分析了电容倍增的机理,建立了相应的关系式,在此基础上对用此浮地电容构成的一阶滤波器和开关电容DC-DC变换器进行了理论分析和PSPICE仿真。结果表明,利用电流传输器的阻抗变换作用,可使小容量的电容等效变换为较大容量的浮地电容,从而便于开关电容DC-DC变换器实现全单片集成。

一种片内集成飞电容的自适应开关电容DC-DC

提出一种电容片内集成、高效率升压模式的DC-DC电源管理芯片,较普通结构相比,文中提出的电路结构具有6组2×,3组3×,2组4×升压模型共11种工作模式,并具有低纹波等优点。通过MIM电容与积累型NMOS电容串联的方式,提高单位面积容值,使得总电容面积大幅减小。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,利用Cadence工具对电路进行仿真验证,所提出自适应开关电容升压电路,在输出电压为3 V时,其效率最高可达到83.6%。在开关频率为20 MHz时,输入电压范围为1~1.8 V,所需总片内集成电容总面积为900μm×900μm,输出电压纹波〈40 m V。

基于电容式触摸集成电路的高精度分段水位检测系统

本文研制了一种以盛群半导体公司HT46R47单片机和电容式触摸集成电路BS802B为核心器件的分段式水位检测系统。该系统通过电容式触摸集成电路将水位信号转换成电信号,利用放大电路对信号进行放大同时将该信号进行采样处理,将数据传输到上位机进行实时显示,从而对水位进行精确测量,这种设计不仅提高了精度,还极大地降低了成本。

智能集成电力电容器

该文通过智能集成电力电容器研发背景的说明,重点介绍该产品基于数字信号处理器(DSP)和单片机相结合的双CPU技术智能无功补偿技术,集成复合开关的过零投切与计算机智能网络模块技术,实现了现代配电网对无功补偿节能、过零投切、智能网络的要求。

适合SoC应用的片上集成输出电容快速响应LDO(英文)

提出了适合SoC应用的片上集成输出电容快速响应低压差线性稳压器(LDO)。通过使用一种新颖的双向非对称缓冲器,消除了由LDO传输元件寄生电容产生的右半平面零点。该零点的消除不仅提高了LDO的稳定性,而且可以有效拓展其单位增益带宽,从而改善瞬态响应性能。基于该缓冲器的LDO,其相位裕度大于55°,单位增益带宽可达1.7 MHz,在负载电流以50 mA/μs的速度阶跃变化时输出电压变化量小于100 mV。

10 kV紧凑型集成式并联电容器装置的研制

根据电力系统中对变电站并联电容器装置存在紧凑型布置和高集成度的需求,介绍了紧凑型集成式并联电容器装置高集成小型化的结构及性能特点,对电抗器布置、装置吊装及散热等关键技术问题进行深入的分析研究,提出了初步的解决方案,对变电站中紧凑型小型化电容器装置的设计具有一定的参考价值。

微机械加速度计及电容检测电路的设计

本文讨论一种扭摆式微机械加速度计。介绍其敏感元件的结构，振动模态和数学模型，说明了集成电容检测电路的原理，并对该电路进行了具体设计，利用ＰＳＰＩＣＥ软件进行仿真分析，结果证明完全达到要求，并给出了同步解调器电路的形式。

基于叉指结构的平面分形电容研究

以基于叉指结构的平面分形电容为研究对象,电容由激光刻蚀法制得,在测得其S参数后,利用ADS仿真工具进行了一阶等效电路参数提取及分析.结果表明,随着共面叉指电极间距的相对减小,电极间的耦合增大,相应的寄生电感也增大;而分形设计可以在保证电极间距不变的情况下,改善电容的工作稳定性.最后制得的分形平面电容的电容值在1~7 pF之间,电容稳定工作频率可达2.5 GHz以上,显示了较好的可调性和稳定性.

集成元件印制板技术

集成元件印制板是把无源元件(如电阻、电容和电感)分别或综合集成到PCB(印制板)内层而形成的,它是新一代HD I/BUM板发展的一个重要方面,并且随着集成电路(IC)的高集成化、高频信号和高速数字信号传输的发展,要求印制板有更好的特性阻抗和更小的电磁干扰,采用集成元件印制板既能提高印制板的高密性又能达到更好的特性阻抗匹配和更小的电磁干扰。介绍了集成电容印制板和集成电阻印制板的材料及工艺过程。

集成阻容元件及组件浪起潮涌

该文简介了全球集成元件的应用现状.展望了其发展前景.研究了国外集成薄膜电阻器、电容器及无源组件的关键工艺技术。探讨了我国在集成无源元件的研发应用方面与发达国家的差距及发展对策。

并联改善单片集成SCDC/DC变换器输出特性

计算机模拟和实验表明,缩小单元电路的电容,增加并联电路的数量,比在单元电路中采用总容量相等的大电容更有利于输出功率的提高。在变换器主电路上级联稳压器,使得输出电压的纹波小于1%,基本消除输出电压随负载电阻的变化,并且大大降低了滤波电容的值,更有利于实现单片集成。

简析集成式无功补偿装置的技术特点

阐述了集成式电力电容器无功补偿装置的组成与应用状况,在与常规电力电容器对比的基础上,分析了集成式电力电容器无功补偿装置的技术特点。通过对集成式无功补偿装置原理结构的分析,探讨了对集成式无功补偿装置的分类,并提出了一些看法。

国外高可靠军用集成元件技术研究综述

介绍了国外集成薄膜电阴器、电容器及无源组件的关键工艺技术的研究情况。